出版時間:2003-5 出版社:化學工業(yè)出版社 作者:陳光華 鄧金祥 編著 頁數(shù):470 字數(shù):408000
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內(nèi)容概要
能源、材料、信息科學是新技術革命的先導和支柱。作為特殊形態(tài)的電子薄膜,已成為微電子學、光電子學、磁電子學、刀具超硬化、傳感器、太陽能利用等新興學科的材料基礎,是高新技術的重要組成部分。本書內(nèi)容既介紹各類固體薄膜的研究和發(fā)展資料,也包括國內(nèi)學者和著者的研究成果,反映了當前學科的先進水平。本書既可作為相關專業(yè)高年級大學生及研究生的教學參考書,也可供廣大從事薄膜科學與技術的工程技術人員、科技工作者參考。
書籍目錄
第1章 緒論 1.1 薄膜的定義及特性 1.2 薄膜材料研究現(xiàn)狀 1.3 新型薄膜材料發(fā)展前景 參考文獻第2章 新型半導體薄膜材料 2.1 概述 2.2 硅基非晶態(tài)半導體薄膜 2.3 多晶硅和微晶硅薄膜 2.4 a-Si:H太陽電池 2.5 薄膜晶體管與大面積液晶顯示器 參考文獻第3章 金剛石薄膜及相關材料 3.1 概述 3.2 金剛石薄膜 3.3 類金剛石膜(DLC) 3.4 立方氮化硼薄膜 3.5 B-C3N4薄膜 3.6 BCN薄膜 3.7 其他硬質(zhì)薄膜 3.8 寬帶隙薄膜材料場電子發(fā)射研究的現(xiàn)狀與問題 參考文獻第4章 納米薄膜材料與可見光發(fā)射 4.1 概述 4.2 發(fā)光機理及Si發(fā)光面臨的問題 4.3 Ge/Si超晶格和量子阱結(jié)構(gòu)材料 4.4 Ge/SiO2、Si/SiO2納米膜發(fā)光 4.5 多孔硅發(fā)光 4.6 GaN基薄膜材料發(fā)光 4.7 薄膜發(fā)光顯示器(Ⅱ-Ⅵ族化合物) 4.8 硅中摻鉺(Er)的發(fā)光特性及機理 4.9 ZnO量子點——半導體激光器新材料 參考文獻第5章 硫系及其他多元化合物薄膜 5.1 概述 5.2 硫系化合物半導體 5.3 CuInSe2(CIS)薄膜及薄膜太陽能電池 5.4 CdTe太陽電池 5.5 薄膜靜電成像——復印鼓 5.6 納米Sn太陽能吸熱膜 參考文獻第6章 介質(zhì)薄膜材料 6.1 概述 6.2 電介質(zhì)薄膜及應用 6.3 鐵電薄膜及應用 6.4 壓電薄膜及應用 參考文獻第7章 高溫超導薄膜材料 7.1 概述 7.2 高溫超導薄膜制備方法 7.3 高溫超導薄膜材料的結(jié)構(gòu)和性質(zhì) 7.4 高溫超導薄膜材料的應用 參考文獻第8章 巨磁阻薄膜材料 8.1 概述 8.2 磁性多層模的巨磁阻效應 8.3 顆粒膜的巨磁阻效應 8.4 自旋閥多層膜的巨磁阻效應 8.5 摻雜稀土錳氧化物的巨磁電阻效應 參考文獻第9章 其他薄膜材料 9.1 概述 9.2 超晶體和量子阱薄膜材料 9.3 有機電致發(fā)光薄膜 9.4 透明導電膜(TCO)及其在電子工業(yè)方面的應用 9.5 窄帶隙紅外光導薄膜材料(HgCdTe) 9.6 變色薄膜材料 9.7 防偽技術和光學防偽膜 參考文獻第10章 薄膜制備的新技術和檢測手段 10.1 概述 10.2 濺射法 10.3 微波電子加旋共振化學相沉積 10.4 分子束外延 10.5 金屬有機化學氣相沉積 10.6 直流電弧等離子體噴射CVD法 10.7 溶膠-凝膠法 10.8 電沉積 10.9 脈沖激光沉積法 10.10 觸媒化學氣相沉積 10.11 薄膜檢測手段 參考文獻
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