正電子湮沒譜學(xué)及其應(yīng)用

內(nèi)容概要

本書講述了正電子湮沒譜學(xué)的原理、特性、實(shí)驗(yàn)技術(shù)及其在材料科學(xué)、化學(xué)、生物學(xué)、基礎(chǔ)物理和表面物理中的應(yīng)用。全書共分六章；第一、二章介紹正電子湮沿的特性和基本原理；第三章介紹六種基本測(cè)量技術(shù)；第四章至第六章介紹在各學(xué)科中的應(yīng)有。  本書原理描述簡(jiǎn)明扼要；實(shí)驗(yàn)技術(shù)介紹深入淺出；應(yīng)用部分涉及面廣，既有測(cè)量裝置的簡(jiǎn)介，又有測(cè)量結(jié)果分析。  本書可作為高等院校原子核物理和核技術(shù)專業(yè)教材或教學(xué)參考書，也可供從事材料科學(xué)、生物學(xué)、化學(xué)及其它相關(guān)學(xué)科的科技人員參考。

書籍目錄

第一章 正電子的性質(zhì)及其湮沒特性  第一節(jié) 正電子的基本性質(zhì)    一、正電子存在的理論預(yù)言    二、正電子的發(fā)現(xiàn)  第二節(jié) 正電子的湮沒特性    一、正電子在物質(zhì)中的慢化和擴(kuò)散    二、自由正電子湮沒    三、正電子捕獲湮沒    四、正電子素湮沿  第三節(jié) 正電子湮沒r輻射角度關(guān)聯(lián)和湮沿輻射多普勒能量展寬    一、湮沒輻射角度關(guān)聯(lián)    二、湮沿輻射多普勒能量展寬  參考文獻(xiàn)第二章 正電子素及其應(yīng)用  第一節(jié) 正電子素的形成    一、俄勒隙模型    二、激勵(lì)模型    三、自由體積模型    四、所泡模型    五、小粒度粉末中正電子素的形成    六、慢正電子束的產(chǎn)生和固體表面正電子素的形成  第二節(jié) 正電子素的基本性質(zhì)  第三節(jié) 正電子素的猝滅    一、轉(zhuǎn)換猝滅    二、拾取猝滅    三、磁猝滅    四、化學(xué)猝滅  第四節(jié) 正電子素的檢測(cè)      一、測(cè)量3r與2r產(chǎn)額之比Y3r/Y2r    二、測(cè)量正電子的湮沒壽命    三、測(cè)量湮沒光子的能譜    四、測(cè)量湮沒輻射角關(guān)聯(lián)  參考文獻(xiàn)第三章 正電子湮沒測(cè)量技術(shù)  第一節(jié) 基本測(cè)量技術(shù)    一、正電子源及其制備    二、樣品的制備    三、r射線探測(cè)器    四、電子儀器的單元特性  第二節(jié) 正電子湮沒壽命測(cè)量    一、測(cè)量原理    二、正電子湮沒壽命譜儀    三、譜儀參數(shù)選擇和標(biāo)定    四、壽命譜的數(shù)據(jù)分析    五、壽命測(cè)量中若干問題的探討  第三節(jié) 正電子湮沒輻射角關(guān)聯(lián)測(cè)量    一、測(cè)量原理    二、一維角關(guān)聯(lián)測(cè)量    三、二維角關(guān)聯(lián)測(cè)量  第四節(jié) 正電子湮沒輻射多普勒展寬譜測(cè)量    一、測(cè)量原理    二、多普勒展寬譜儀    三、多曾勒展寬譜的數(shù)據(jù)分析  第五節(jié) 雙參數(shù)測(cè)量技術(shù)    一、雙參數(shù)測(cè)量技術(shù)的種類及其裝置    二、參數(shù)的選擇和分析  第六節(jié) 慢正電子束裝置    一、正電子源    二、慢正電子的產(chǎn)生    三、慢正電子的傳輸    四、真實(shí)系統(tǒng)    五、靶室    六、慢正電子束技術(shù)的發(fā)展  參考文獻(xiàn)第四章 正電子湮沒技術(shù)有材料科學(xué)中的應(yīng)用  第一節(jié) 材料缺陷與正電子湮沒    一、材料中缺陷的正電子捕獲現(xiàn)象    ……第五章 正電子湮沒技術(shù)在化學(xué)、生物學(xué)和醫(yī)學(xué)上的應(yīng)用第六章 慢正電子在基礎(chǔ)物理和表面物理研究中的應(yīng)用

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