半導(dǎo)體器件原理

內(nèi)容概要

　　本書不僅介紹了傳統(tǒng)的p-n結(jié)、雙極型晶體管、單柵MOS場效應(yīng)管、功率晶體管等器件的結(jié)構(gòu)、原理和特性，還介紹了新型多柵MOS場效應(yīng)管、不揮發(fā)存儲器以及肖特基勢壘源／漏結(jié)構(gòu)器件的原理和特性。力求突出器件的物理圖像和物理概念，不僅有理論基礎(chǔ)知識的闡述，還有新近研究成果的介紹。
　　本書可作為電子科學(xué)與技術(shù)類低年級本科生的教材，也可供高年級本科生以及研究生等參考使用。

作者簡介

　　黃均鼐，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)系教授。1961年畢業(yè)于復(fù)旦大學(xué)物理系，曾在物理系、電子工程系和微電子學(xué)系從事教學(xué)和研究工作五十余年，長期從事半導(dǎo)體器件研制、半導(dǎo)體集成電路設(shè)計和集成電路計算機輔助設(shè)計軟件的開發(fā)和算法研究。參與了包括鍺、硅晶體管及射頻卡、現(xiàn)場可編程門車列(FPGA)等多種集成電路芯片的研制，合作出版6部有關(guān)晶體管、集成電路及FPGA的專著。
　　湯庭鰲，復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)系教授、博士生導(dǎo)師。1961年畢業(yè)于復(fù)旦大學(xué)物理學(xué)系。任中國電子學(xué)會理事、學(xué)術(shù)工作委員會委員，IEEE
SSCS上海支分會主席，IET(IEE)Fellow，IET上海分部副主.席。主要研究領(lǐng)域為半導(dǎo)體工藝、器件的模型和模擬；MOS器件的小尺寸效應(yīng)；鐵電和阻變不揮發(fā)存儲器研究等。曾合作出版專著1本，合作出版譯著3本；在國內(nèi)外學(xué)報和國際會議上發(fā)表論文二百多篇，編輯、出版國際會議論文集十余集。
　　胡光喜，博士，副研究員，碩士生導(dǎo)師。1982年至1986年在安徽大學(xué)學(xué)習(xí)，并獲學(xué)士學(xué)位；1986年至1990年在西安交通大學(xué)學(xué)習(xí)，并獲碩士學(xué)位；2000年至2003年在復(fù)旦大學(xué)學(xué)習(xí)，并獲博士學(xué)位。2003年博士畢業(yè)后，留校任教至今。主要研究方向有半導(dǎo)體器件的建漢與仿真、小尺寸半導(dǎo)體件物理、量子統(tǒng)計物理。目前發(fā)表的第一作者或通訊作者SCI雜志文章有10多篇，國際會議文章多篇。

書籍目錄

第一章　半導(dǎo)體器件的物理基礎(chǔ)
　半導(dǎo)體的特性
　　1.1.1　晶體的結(jié)構(gòu)
　　1.1.2　半導(dǎo)體在電性能上的獨特性質(zhì)
　電子能級和能帶
　　1.2.1　電子的共有化運動
　　1.2.2　晶體中的能帶
　半導(dǎo)體中的載流子
　　1.3.1　電子密度和空穴密度表達式
　　1.3.2　載流子密度與費密能級位置的關(guān)系
　雜質(zhì)半導(dǎo)體
　　1.4.1　兩種不同導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體
　　1.4.2　雜質(zhì)半導(dǎo)體
　非平衡載流子
　　1.5.1　非平衡載流子的產(chǎn)生和復(fù)合
　　1.5.2　非平衡載流子的壽命
　　1.5.3　復(fù)合中心
　載流子的運動
　　1.6.1　載流子的漂移運動J
　　1.6.2　載流子的擴散運動
　參考文獻
　習(xí)題
第二章　p-n結(jié)
　平衡P-n結(jié)
　　2.1.1　空間電荷區(qū)和接觸電位差
　　2.1.2　空間電荷區(qū)的電場和電勢分布
　p-n結(jié)的直流特性
　　2.2.1　加偏~,p-n結(jié)的能帶圖及載流子和電流分布
　　2.2.2　p-n結(jié)的伏安特性？
　　2.2.3　勢壘區(qū)的復(fù)合和大注入對正向伏安特性的影響
　　2.2.4　勢壘區(qū)的反向產(chǎn)生電流
　p-n結(jié)電容
　　2.3.1　突變結(jié)勢壘電容
　　2.3.2　線性緩變結(jié)勢壘電容
　　2.3.3　擴散結(jié)的勢壘電容
　　2.3.4　p-n結(jié)的擴散電容
　p-n結(jié)擊穿
　　2.4.1　電擊穿
　　2.4.2　熱擊穿
　參考文獻
　習(xí)題　
第三章　晶體管的直流特性
　概述
　　3.1.1　晶體管的基本結(jié)構(gòu)
　　3.1.2　晶體管的放大作用
　　3.1.3　晶體管內(nèi)載流子的傳輸及電流放大系數(shù)
　　3.1.4　晶體管的輸入和輸出特性
　均勻基區(qū)晶體管的直流特性和電流增益
　　3.2.1　均勻基區(qū)晶體管直流特性的理論分
　　3.2.2　均勻基區(qū)晶體管的短路電流放大系數(shù)
　漂移晶體管的直流特性和電流增益
　　3.3.1　漂移晶體管的直流特性
　　3.3.2　漂移晶體管的電流增益
　晶體管的反向電流和擊穿電壓
　　3.4.1　晶體管的反向電流
　　3.4.2　晶體管的擊穿電IN
　晶體管的基極電阻
　　3.5.1　梳狀晶體管的基極電阻
　　3.5.2　圓形晶體管的基極電阻
　晶體管的小信號等效電路
　參考文獻
　習(xí)題
　……
第四章　晶體管的頻率特性和功率特性
第五章　晶體管的開關(guān)特性
第六章　半導(dǎo)體表面特性及MOS電容
第七章　MOS場效應(yīng)晶體管的基本特性
第八章　半導(dǎo)體功率器件
第十章　多柵MOS場效應(yīng)管
第十一章　不揮發(fā)存儲器基礎(chǔ)
第十二章　金屬一半導(dǎo)體接觸和肖特基勢壘器件　

編輯推薦

　　為了適應(yīng)當(dāng)前集成電路的迅猛發(fā)展和新型半導(dǎo)體器件的不斷涌現(xiàn)，我們編寫出版了《半導(dǎo)體器件原理》一書。　　《半導(dǎo)體器件原理》不僅介紹和分析了集成電路領(lǐng)域內(nèi)一些基本器件，如p-n結(jié)、雙極型晶體管、單柵金屬氧化物場效應(yīng)管、功率晶體管等的基本結(jié)構(gòu)和工作原理，還根據(jù)當(dāng)前科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，介紹和分析了一些新型器件的結(jié)構(gòu)和工作原理，如鐵電存儲器、相變存儲器、阻式存儲器、多柵場效應(yīng)管以及肖特基勢壘源／漏結(jié)構(gòu)場效應(yīng)管等?！　　栋雽?dǎo)體器件原理》的作者們在集成電路領(lǐng)域具有多年的教學(xué)和科研經(jīng)驗，希望通過該書的學(xué)習(xí)或閱讀，為讀者了解集成電路領(lǐng)域傳統(tǒng)的和新型的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)以及它們的基本原理有所幫助。《半導(dǎo)體器件原理》可作為電子科學(xué)與技術(shù)類低年級本科生的教材，也可供高年級本科生以及研究生等參考使用。

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