出版時(shí)間:2011-11 出版社:中央廣播電視大學(xué)出版社 作者:廖衛(wèi)兵 編 頁(yè)數(shù):202
內(nèi)容概要
相對(duì)其他能源來(lái)說(shuō),太陽(yáng)能是取之不盡、用之不竭的無(wú)污染清潔能源,對(duì)人類未來(lái)的發(fā)展起到了舉足輕重的作用。光伏產(chǎn)業(yè)是21世紀(jì)最具競(jìng)爭(zhēng)力的朝陽(yáng)產(chǎn)業(yè)。在光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展中,電池生產(chǎn)、工藝及成本是制約光伏技術(shù)是否能生產(chǎn)出高效率、低成本電池的技術(shù)瓶頸,是關(guān)系光伏產(chǎn)業(yè)是否能蓬勃崛起的重要因素,因此,為了產(chǎn)業(yè)的發(fā)展和人才的需要,編寫系列光伏教材具有重大的科學(xué)指導(dǎo)意義。
書籍目錄
第1章 硅單質(zhì)及其化合物的性質(zhì)1.1 硅元素1.2 硅單質(zhì)及其性質(zhì)1.2.1 硅的物理性質(zhì)1.2.2 硅的化學(xué)性質(zhì)1.2.3 硅的分類及應(yīng)用1.3 硅化合物及其性質(zhì)1.3.1 二氧化硅1.3.2 一氧化硅1.3.3 硅的鹵化物1.3.4 三氯氫硅1.3.5 硅烷本章小結(jié)思考與練習(xí)第2章 晶體生長(zhǎng)基礎(chǔ)2.1 晶體結(jié)構(gòu)2.1.1 晶體與非晶體2.1.2 晶體的宏觀特征2.1.3 晶向指數(shù)與晶面指數(shù)2.1.4 典型的晶體結(jié)構(gòu)2.1.5 硅的晶體結(jié)構(gòu)2.2 晶體缺陷2.2.1 點(diǎn)缺陷2.2.2 位錯(cuò)2.2.3 面缺陷2.3 相圖及相圖的利用2.3.1 相平衡的概念及條件2.3.2 相圖及其在晶體生長(zhǎng)中的應(yīng)用2.4 晶體的形核及生長(zhǎng)2.4.1 晶體的形核類型2.4.2 晶體生長(zhǎng)模型及生長(zhǎng)形態(tài)本章小結(jié)思考與練習(xí)第3章 硅料提純3.1 工業(yè)硅的制備3.1.1 工業(yè)硅的生產(chǎn)工藝3.1.2 工業(yè)硅熔煉過(guò)程反應(yīng)機(jī)理3.2 高純多晶硅制備方法3.2.1 硅的化學(xué)提純3.2.2 硅的物理提純3.3 高純硅料制備新工藝3.3.1 冶金法3.3.2 四氯化硅金屬還原法3.3.3 二氧化硅高純?cè)噭┻€原法3.3.4 鋁一硅熔體低溫凝固精煉法本章小結(jié)思考與練習(xí)第4章 單晶硅制備4.1 單晶硅的生長(zhǎng)4.1.1 單晶硅的直拉生長(zhǎng)4.1.2 單晶硅的區(qū)熔生長(zhǎng)4.2 單晶硅中的缺陷和雜質(zhì)4.2.1 單晶硅中的缺陷4.2.2 單晶硅中的雜質(zhì)4.2.3 單晶硅中雜質(zhì)和缺陷的控制與利用本章小結(jié)思考與練習(xí)第5章 鑄造多晶硅的制備5.1 鑄造多晶硅的制備及組織影響因素5.1.1 鑄造多晶硅方法……第6章 硅片制造第7章 硅薄膜材料第8章 新型薄膜光伏材料附錄 實(shí)驗(yàn)指導(dǎo)書
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