抗輻射集成電路概論

內(nèi)容概要

　　《抗輻射集成電路概論》論述抗輻射集成電路方面的知識(shí)?！犊馆椛浼呻娐犯耪摗饭卜?0章，主要內(nèi)容包括輻射環(huán)境、輻射效應(yīng)、抗輻射雙極集成電路設(shè)計(jì)、抗輻射mos集成電路設(shè)計(jì)、微處理器加固技術(shù)、存儲(chǔ)器加固技術(shù)、fpga加固技術(shù)、模型參數(shù)、集成電路抗輻射性能評(píng)估?！　　犊馆椛浼呻娐犯耪摗房勺鳛楦叩葘W(xué)校電子科學(xué)與技術(shù)類專業(yè)選修教材，或從事相關(guān)研究的科技人員的參考書。

作者簡(jiǎn)介

韓鄭生，長(zhǎng)期從事半導(dǎo)體工藝技術(shù)、集成電路設(shè)計(jì)研究工作。主要研究方向?yàn)榭煽啃許Ol CMOS集成電路技術(shù)。研究?jī)?nèi)容包括SOl CMOST藝技術(shù)開發(fā)、靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)電路設(shè)計(jì)、集成電路抗輻射性能研究。

書籍目錄

第1章 緒論1.1 抗輻射集成電路技術(shù)發(fā)展概況1.2 抗輻射集成電路技術(shù)的發(fā)展方向1.2.1 soi技術(shù)1.2.2 抗輻射設(shè)計(jì)技術(shù)1.2.3 新材料、新結(jié)構(gòu)1.3 本書的章節(jié)安排第2章 輻射環(huán)境2.1 空間環(huán)境2.1.1 內(nèi)輻射帶2.1.2 槽形輻射帶2.1.3 外輻射帶和準(zhǔn)俘獲區(qū)2.1.4 地磁尾區(qū)和低高度區(qū)2.1.5 銀河宇宙射線2.1.6 太陽(yáng)耀斑2.2 核爆炸輻射環(huán)境2.2.1 大氣層外爆炸2.2.2 大氣層內(nèi)爆炸2.3 核動(dòng)力輻射第3章 輻射效應(yīng)3.1 總劑量輻射效應(yīng)3.2 中子輻射效應(yīng)3.3 瞬時(shí)輻射效應(yīng)3.4 單粒子效應(yīng)3.4.1 單粒子瞬變效應(yīng)和單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)3.4.2 單粒子閂鎖效應(yīng)3.4.3 單粒子功能中斷3.4.4 單粒子燒毀效應(yīng)和單粒子?xùn)糯┬?yīng)3.5 劑量增強(qiáng)效應(yīng)3.6 低劑量率效應(yīng)第4章 抗輻射雙極集成電路設(shè)計(jì)4.1 雙極集成電路的制造工藝4.2 雙極集成電路的晶體管4.3 雙極集成電路的二極管4.4 集成電路中的無(wú)源元件4.5 雙極晶體管的輻射效應(yīng)4.5.1 中子輻射對(duì)雙極晶體管特性的影響4.5.2 丁射線或x射線的瞬時(shí)輻射效應(yīng)4.6 結(jié)構(gòu)及工藝加固技術(shù)4.6.1 減薄基區(qū)寬度4.6.2 優(yōu)化集電區(qū)參數(shù)4.6.3 優(yōu)化金屬化材料4.6.4 表面鈍化技術(shù)4.6.5 預(yù)先增加基區(qū)復(fù)合4.7 電路設(shè)計(jì)加固技術(shù)4.7.1 中子注量加固4.7.2 對(duì)瞬時(shí)輻射加固技術(shù)4.8 雙極數(shù)字電路4.9 雙極模擬電路4.9.1 運(yùn)算放大器4.9.2 比較器4.9.3 穩(wěn)壓電源第5章 抗輻射mos集成電路設(shè)計(jì)第6章 微處理器加固技術(shù)第7章 存儲(chǔ)器加固技術(shù)第8章 fpga加固技術(shù)第9章 模型參數(shù)第10章 集成電路抗輻射性能評(píng)估詞匯表參考文獻(xiàn)

圖書封面

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