微電子制造技術(shù)概論

前言

　　我曾經(jīng)說過，每當(dāng)我拿起筆為年輕學(xué)者出版一套叢書或一本書寫序的時候，心中總是懷有特別的喜悅，因?yàn)檫@意味著辛勤耕耘后的豐碩收獲，也意味著年輕的學(xué)者在進(jìn)步與發(fā)展的道路上又邁出了新的一步，所以我總是樂意而為主。　　自1958年T1公司的JackS.Kilby和1959年仙童公司的RobertNoyce發(fā)明集成電路和硅平面集成電路以來，50年間，微電子和集成電路技術(shù)可謂發(fā)展神速，如同摩爾規(guī)律（MooreLaw）所描述與預(yù)期的那樣，按存儲器算，集成度每18個月翻一番；就微處理器而言，集成度每兩年翻一番；相應(yīng)特征尺寸則縮小為上一技術(shù)節(jié)點(diǎn)的0.7。當(dāng)前集成電路的集成度已從發(fā)明時的12個元件（2個晶體管、2個電容和8個電阻）發(fā)展到今天的數(shù)十億個元件。集成電路功能日新月異，而成本迅速降低，微處理器上晶體管的價格每年平均下降約26％。2006年，Intel曾發(fā)表了一個很有意味的廣告詞：“現(xiàn)在一個晶體管的價格大約與報紙上一個印刷字母的價格相當(dāng)”。這就是說，人們只要買得起報紙，就消費(fèi)得起集成電路。正因?yàn)槿绱?，集成電路已廣泛滲透到國民經(jīng)濟(jì)、國家安全建設(shè)和人民生活的各個領(lǐng)域，其應(yīng)用的深度和廣度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了其他技術(shù)，是當(dāng)代信息社會發(fā)展的基石。信息是人類社會三大資源之一，而且是目前利用得最不充分的資源。

內(nèi)容概要

　　《微電子制造技術(shù)概論》介紹和描述了集成電路工藝制造的成套工藝流程和各工藝單步的技術(shù)內(nèi)容。對于流程的介紹，除舉例和說明一般性流程特點(diǎn)之外，專有一章說明了流程調(diào)度實(shí)施的技術(shù)與算法；對于各工藝單步，首先根據(jù)各單項(xiàng)工藝技術(shù)的作用進(jìn)行了粗略分類，在此基礎(chǔ)上，從工藝原理、工藝設(shè)備技術(shù)特點(diǎn)、實(shí)踐操作等不同側(cè)面，進(jìn)行了略做擴(kuò)展的描述?！　　段㈦娮又圃旒夹g(shù)概論》可作為集成電路制造相關(guān)專業(yè)的本科生和研究生教材，也可供相關(guān)專業(yè)人士參考。

作者簡介

　　嚴(yán)利人，先后從事集成電路工藝參數(shù)測試、氧化擴(kuò)散、光刻、工藝設(shè)備、流程管理等VLS0制造實(shí)踐工作。目前主要的研究方向?yàn)楣に嚪治鲈\斷、光刻工藝設(shè)備及工藝技術(shù)、VLSI自動化制造等，并在VLSI自動化制造系統(tǒng)的研究和工藝流程開發(fā)規(guī)律、自動流程卡生成、高效率工藝調(diào)度等方面取得階段性成果?！　≈苄l(wèi)曾，進(jìn)行過刻蝕和外延工藝的研究，開發(fā)過用于SiGeHBT的多層金屬互聯(lián)及深槽隔離等專項(xiàng)工藝。目前主要的研究方向是新型半導(dǎo)體器件工藝技術(shù)、功率器件的開發(fā)以及器件工藝參數(shù)和電學(xué)參數(shù)的測試方法。　　劉道廣，多年從事Si外延技術(shù)，Si3N4、Si02和Poly-Si等薄膜生長工藝研究。在器件工藝及電路方面，自主開發(fā)出自對準(zhǔn)、全離子注入、Poly-Si發(fā)射極、ECL數(shù)字模擬兼容的先進(jìn)工藝，SOl材料和深槽隔離等特色工藝技術(shù)，研制成功高壓大電流VDMOS和IGBT樣品。現(xiàn)從事SiGe低噪聲放大器電路（LNA）、應(yīng)變硅的高速電路、大功率VDMOS晶體管和功率半導(dǎo)體等方面的研究。

書籍目錄

第1章 集成電路制造技術(shù)概論1.1 集成電路的發(fā)展歷史與趨勢1.1.1 集成電路技術(shù)發(fā)展歷史1.1.2 ITRS發(fā)展路線圖及未來趨勢1.1.3 集成電路的分類1.2 微結(jié)構(gòu)的概念1.2.1 MEMS器件1.2.2 生物芯片1.2.3 量子器件與納電子器件1.3 微結(jié)構(gòu)制造流程舉例1.3.1 Bipolar工藝1.3.2 CMOS工藝1.3.3 非主流微結(jié)構(gòu)制造技術(shù)1.3.4 后道封裝技術(shù)及模塊化技術(shù)小結(jié)參考文獻(xiàn)第2章 新材料生成類工藝2.1 化學(xué)氣相淀積2.1.1 化學(xué)氣相淀積原理2.1.2 化學(xué)氣相淀積的種類2.1.3 化學(xué)氣相淀積工藝設(shè)計原則2.2 物理淀積2.2.1 蒸發(fā)和濺射2.2.2 涂覆2.3 硅外延和多晶硅的化學(xué)氣相淀積2.3.1 硅外延2.3.2 外延中引入摻雜劑2.3.3 圖形外延和選擇性外延2.3.4 硅外延中的缺陷2.3.5 多晶硅的化學(xué)氣相淀積2.4 化學(xué)氣相淀積SiO2薄膜2.4.1 化學(xué)氣相淀積不摻雜SiO2薄膜2.4.2 化學(xué)氣相淀積摻雜SiO2薄膜2.5 化學(xué)氣相淀積氮化硅薄膜2.6 金屬化2.6.1 鋁薄膜淀積2.6.2 鎢塞2.6.3 銅薄膜淀積2.7 薄膜的臺階覆蓋2.8 薄膜測量2.8.1 薄膜厚度的測量2.8.2 薄膜電阻的測量2.9 真空技術(shù)2.9.1 真空的概念與劃分2.9.2 真空系統(tǒng)與真空泵小結(jié)參考文獻(xiàn)第3章 改變材料層屬性的工藝（I）3.1 熱氧化3.1.1 熱氧化硅3.1.2 熱氧化工藝3.1.3 熱氧化對雜質(zhì)再分布的影響3.1.4 熱氧化層中的電荷3.1.5 熱氧化硅在集成電路制造工藝中的應(yīng)用3.2 雜質(zhì)擴(kuò)散3.2.1 雜質(zhì)在硅中的擴(kuò)散3.2.2 Fick擴(kuò)散方程和雜質(zhì)分布3.2.3 雜質(zhì)擴(kuò)散與再分布3.3 離子注入3.3.1 離子注入原理3.3.2 離子注入退火與雜質(zhì)再分布3.3.3 離子注入機(jī)的結(jié)構(gòu)與分類3.3.4 離子注入的其他應(yīng)用3.4 金屬硅化物3.4.1 金屬硅化物的特性3.4.2 金屬硅化物的形成3.4.3 金屬硅化物在集成電路中的應(yīng)用小結(jié)參考文獻(xiàn)第4章 改變材料層屬性的工藝（II）4.1 刻蝕4.1.1 刻蝕工藝簡介4.1.2 濕法腐蝕4.1.3 干法刻蝕4.1.4 SiO2刻蝕4.1.5 多晶Si刻蝕4.1.6 Si3N4刻蝕4.1.7 Al刻蝕4.1.8 高密度等離子體技術(shù)4.2 刻蝕設(shè)備4.2.1 刻蝕設(shè)備的總體結(jié)構(gòu)4.2.2 等離子體產(chǎn)生技術(shù)4.3 刻蝕機(jī)的操作編程4.4 其他的材料去除工藝4.4.1 CMP與減薄4.4.2 改變材料屬性工藝的作用強(qiáng)度小結(jié)參考文獻(xiàn)第5章 定位工藝技術(shù)5.1 光刻工藝過程5.1.1 光刻的作用、重要性與實(shí)現(xiàn)方法5.1.2 曝光過程與攝影過程的比較5.1.3 光刻技術(shù)的發(fā)展5.1.4 光刻工藝過程5.2 曝光原理5.2.1 曝光光路5.2.2 曝光系統(tǒng)的分辨率5.2.3 相干及擴(kuò)展光源成像5.2.4 照明5.2.5 焦深5.2.6 影響曝光效果的光學(xué)效應(yīng)5.3 光刻機(jī)的結(jié)構(gòu)組成5.3.1 步進(jìn)式光刻機(jī)的總體結(jié)構(gòu)5.3.2 空調(diào)腔室5.3.3 燈室5.3.4 版搬送機(jī)構(gòu)和版臺5.3.5 硅片搬送機(jī)構(gòu)和硅片臺5.3.6 激光干涉儀5.3.7 鏡頭5.3.8 性能指標(biāo)5.3.9 先進(jìn)光刻機(jī)技術(shù)特點(diǎn)5.4 光刻機(jī)的使用維護(hù)5.4.1 使用與維護(hù)5.4.2 制版5.4.3 曝光作業(yè)編程5.5 其他光刻工藝設(shè)備5.5.1 HMDS熏烘5.5.2 涂膠機(jī)5.5.3 顯影機(jī)5.5.4 鏡檢裝置小結(jié)參考文獻(xiàn)第6章 流程運(yùn)行調(diào)度技術(shù)6.1 調(diào)度問題概述6.1.1 一般性的調(diào)度問題6.1.2 集成電路制造中的作業(yè)調(diào)度6.2 流水線式調(diào)度6.2.1 流水線式調(diào)度算法6.2.2 調(diào)度算法與實(shí)例6.3 流水線式調(diào)度特點(diǎn)及應(yīng)用的討論小結(jié)參考文獻(xiàn)第7章 新穎性工藝技術(shù)前瞻7.1 SiGe材料、器件與電路7.1.1 SiGe材料及技術(shù)7.1.2 SiGeHBT器件7.1.3 SiGeHBT器件的制造工藝7.1.4 SiGe平面集成工藝7.2 應(yīng)變硅材料與器件7.2.1 應(yīng)變硅的基本概念7.2.2 應(yīng)變硅技術(shù)及應(yīng)用7.3 ALD工藝技術(shù)7.3.1 ALD生長機(jī)理7.3.2 ALD技術(shù)的應(yīng)用7.4 激光退火與超淺結(jié)制作7.4.1 集成電路制造技術(shù)發(fā)展與激光退火7.4.2 超淺結(jié)激光退火的技術(shù)與裝置考慮小結(jié)參考文獻(xiàn)

章節(jié)摘錄

　　按所處理的信號的形式分，集成電路可以分成數(shù)字電路、模擬電路和數(shù)?；旌想娐啡箢悺?shù)字電路所處理的信號，按信號電平可分別代表邏輯上的0或1，數(shù)字電路的邏輯運(yùn)算，輸出信號也是數(shù)字化的0或1。數(shù)字電路只要求區(qū)分0和1電平，對于元器件的精度和性能要求相對較低。模擬電路處理大小連續(xù)變化的信號，也稱作線性電路。模擬電路對于元器件的精度和性能指標(biāo)要求相對而言要高許多，電路設(shè)計難度較大。數(shù)?；蛘吣?shù)是上述兩種電路的結(jié)合，典型的應(yīng)用有模／數(shù)轉(zhuǎn)換器和數(shù)／模轉(zhuǎn)換器。隨著SOC技術(shù)的不斷發(fā)展，片上集成的系統(tǒng)越來越復(fù)雜，數(shù)?；旌蠎?yīng)用的電路也受到越來越多的重視，成為集成電路技術(shù)發(fā)展的一個重要的方向。

編輯推薦

　　《微電子制造技術(shù)概論》從三個層次對集成電路制造工藝技術(shù)進(jìn)行介紹：首先，具體描述主要的集成電路制造單項(xiàng)工藝技術(shù)。其中包括薄膜生成類工藝化學(xué)氣相淀積多晶硅、氮化硅、氧化硅，蒸發(fā)和／或?yàn)R射金屬膜；對薄膜或者器件結(jié)構(gòu)單元的物質(zhì)材料屬性進(jìn)行進(jìn)一步調(diào)整的氧化、擴(kuò)散、離子注入；對薄膜或者器件結(jié)構(gòu)單元的幾何尺寸進(jìn)行定義或進(jìn)一步限定的刻蝕，化學(xué)機(jī)械拋光、減薄等?！　∑浯?，介紹集成電路制造的流程及其具體實(shí)施。集成電路制造的流程是底層各單項(xiàng)工藝技術(shù)的某種復(fù)雜的組合，《微電子制造技術(shù)概論》描述了典型的雙極和CMoS工藝流程的細(xì)節(jié)。流程的具體實(shí)施主要是高效率作業(yè)調(diào)度問題，《微電子制造技術(shù)概論》介紹了這方面比較有特色的一個調(diào)度思路和具體算法?！　∽詈?，略述當(dāng)前技術(shù)進(jìn)展和一些先進(jìn)的單項(xiàng)工藝制造技術(shù)。這一部分的內(nèi)容主要取自于各類不同的文獻(xiàn)和綜述資料，包括ITRS發(fā)展路線圖。　　這三個層次的闡述和介紹，有助于讀者較為快速地建立起對現(xiàn)代集成電路制造的主要技術(shù)和過程實(shí)施環(huán)節(jié)比較全面的了解。

圖書封面

圖書標(biāo)簽Tags

無

評論、評分、閱讀與下載

---

    微電子制造技術(shù)概論 PDF格式下載

---