出版時間:2009-1 出版社:清華大學(xué)出版社 作者:紐曼 頁數(shù):515
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前言
清華大學(xué)出版社曾經(jīng)于2000年引進(jìn)Dotlaid A.Neamerl教授的《電子電路分析與設(shè)計(jì)》(Electronic Circuit Aflalysis and Desigrl)(第2版),受到了國內(nèi)廣大高校師生的歡迎。2007年本書推出了第3版,并由從事電子技術(shù)教學(xué)近40年的清華大學(xué)王宏寶教授主持翻譯出版,應(yīng)清華大學(xué)出版社之邀,本人再次推薦本書。 Microelectronics:Circuit Analysis and Design(第3版)包括半導(dǎo)體器件及其基本應(yīng)用、模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)3個部分,共17章。第1部分包括第1~8章,主要闡述半導(dǎo)體材料和二極管、二極管電路、場效應(yīng)管及其放大電路、雙極型晶體管及其放大電路、頻率響應(yīng)、輸出級和功率放大電路等。第2部分包括第9~15章,主要闡述理想運(yùn)放及其基本應(yīng)用、集成電路的偏置電路和有源負(fù)載、差分及多級放大電路、反饋及穩(wěn)定性、運(yùn)算放大電路、運(yùn)算放大電路的非理想效應(yīng)、集成電路的應(yīng)用和設(shè)計(jì)等。第3部分包括第16章和第17章,主要闡述NMOS、CMOS、BiCMOS、ECL邏輯電路的組成,不同類型門電路的工作原理和電氣特性,觸發(fā)器、時序邏輯電路、存儲器的構(gòu)成和邏輯功能等。 一、本書基本特點(diǎn) 1.內(nèi)容豐富,視野開闊,知識面較寬,涵蓋了我國高等院校模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)課程大部分教學(xué)基本要求,因而可作為電子技術(shù)基礎(chǔ)及同類課程的參考書或教材?! ?.本書雖然篇幅較多,但各章結(jié)構(gòu)合理、層次清楚、思路清晰、敘述詳細(xì)、文字流暢。各章一般在敘述一個重要問題之后,均有例題及其評述或討論,有些還給出設(shè)計(jì)舉例、自測題等。使讀者像面對一個循循善誘的老師一樣,在啟發(fā)引導(dǎo)下,由淺入深,循序漸進(jìn),因而易于閱讀和學(xué)習(xí)。 二、內(nèi)容編排特點(diǎn) 1.半導(dǎo)體器件及其基本應(yīng)用、模擬電子技術(shù)和數(shù)字電子技術(shù)3個部分的序言具有高度的概括性,闡明了本部分有關(guān)的基本知識、基本概念和基本方法,對于“教”與“學(xué)”均具有指導(dǎo)意義。 2.在第1部分中,將場效應(yīng)管及其放大電路置于晶體三極管及其放大電路之前,適應(yīng)了集成電路的發(fā)展和當(dāng)前芯片應(yīng)用的現(xiàn)狀。而且,在全書中均有意識地對場效應(yīng)管的應(yīng)用加以關(guān)注?! ?/pre>內(nèi)容概要
電子學(xué)是研究電荷在空氣、真空和半導(dǎo)體內(nèi)運(yùn)動的一門科學(xué)(注意此處不包括電荷在金屬中的運(yùn)動)。這一概念最早起源于20世紀(jì)早期,以便和電氣工程(主要研究電動機(jī)、發(fā)電機(jī)和電纜傳輸)加以區(qū)別,當(dāng)時的電子工程是一個嶄新的領(lǐng)域,主要研究真空管中的電荷運(yùn)動。如今,電子學(xué)研究的內(nèi)容一般包括晶體管和晶體管電路。微電子學(xué)研究集成電路(IC)技術(shù),它能夠在一塊半導(dǎo)體材料上制造包含數(shù)百萬甚至更多個電路元件的電路系統(tǒng)?! ∫粋€稱職的電氣工程師應(yīng)該具備多種技能,比如要會使用、設(shè)計(jì)或構(gòu)建電子電路系統(tǒng)。所以在很多時候電氣工程和電子工程之間的差別并不像當(dāng)初定義的那么明顯。作者簡介
Donald A.Neamen,教授在新墨西哥大學(xué)執(zhí)教30多年,著有Microelectronics:Circuit Analysis and Design一書。全書結(jié)構(gòu)嚴(yán)謹(jǐn),脈落清晰;例題習(xí)題豐富,解答詳細(xì)。清華大學(xué)出版社曾引進(jìn)出版了該書第2版和第3版的影印版,受到國內(nèi)廣大高校師生的歡迎,現(xiàn)推出該書第3版的中譯本。書籍目錄
序言1 電子學(xué)導(dǎo)論 第1部分 半導(dǎo)體器件及其基本應(yīng)用 第1章 半導(dǎo)體材料和二極管 本章內(nèi)容 1.1 半導(dǎo)體材料及其特性 1.2 PN結(jié) 1.3 二極管電路: 直流分析及模型 1.4 二極管電路: 交流等效電路 1.5 其他類型的二極管 1.6 設(shè)計(jì)舉例: 二極管溫度計(jì) 1.7 本章小結(jié) 復(fù)習(xí)題 習(xí)題 第2章 二極管電路 本章內(nèi)容 2.1 整流電路 2.2 齊納二極管電路 2.3 限幅電路和鉗位電路 2.4 多二極管電路 2.5 光電二極管和發(fā)光二極管電路 2.6 設(shè)計(jì)舉例: 直流電源 2.7 本章小結(jié) 復(fù)習(xí)題 習(xí)題 第3章 場效應(yīng)晶體管 本章內(nèi)容 3.1 MOS場效應(yīng)晶體管 3.2 MOSFET電路的直流分析 3.3 MOSFET的基本應(yīng)用: 開關(guān)、數(shù)字邏輯門以及放大器 3.4 恒流源偏置 3.5 多級MOSFET電路 3.6 結(jié)型場效應(yīng)晶體管 3.7 設(shè)計(jì)舉例: 用MOS晶體管設(shè)計(jì)二極管溫度計(jì) 3.8 本章小結(jié) 復(fù)習(xí)題 習(xí)題 第4章 基本FET放大器 本章內(nèi)容 4.1 MOSFET放大器 4.2 MOSFET放大器的基本組態(tài) 4.3 共源放大器電路 4.4 共漏(源極跟隨器)放大器 4.5 共柵放大器 4.6 三種基本的放大器組態(tài): 總結(jié)和比較 4.7 集成電路單級MOSFET放大器 4.8 多級放大器 4.9 基本JFET放大器 4.10 設(shè)計(jì)舉例: 兩級放大器 4.11 本章小結(jié) 復(fù)習(xí)題 習(xí)題 第5章 雙極型晶體管 本章內(nèi)容 5.1 基本雙極型晶體管 5.2 晶體管電路的直流分析 5.3 晶體管的基本應(yīng)用 5.4 雙極型晶體管的偏置 5.5 多級電路 5.6 設(shè)計(jì)舉例: 采用雙極型晶體管的二極管溫度計(jì) 5.7 本章小結(jié) 復(fù)習(xí)題 習(xí)題 第6章 基本的BJT放大器 第7章 頻率響應(yīng) 第8章 輸出級和功率放大器 部分習(xí)題答案序言2 電子電路設(shè)計(jì) 第2部分 模擬電子技術(shù) 第9章 理想運(yùn)算放大器及運(yùn)放電路 第10章 集成電路偏置技術(shù)和有源負(fù)載 第11章 差分放大器和多級放大器 第12章 反饋及其穩(wěn)定性 第13章 運(yùn)算放大器電路 第14章 運(yùn)算放大器電路的非理想效應(yīng) 第15章 集成電路的應(yīng)用和設(shè)計(jì)序言3 數(shù)字電子學(xué)導(dǎo)論 第3部分 數(shù)字電子技術(shù) 第16章 MOSFET數(shù)字電路 第17章 雙極型數(shù)字電路編輯推薦
為了適應(yīng)國內(nèi)高校教學(xué)的需要,中譯本分成3冊出版: 《電子電路分析與設(shè)計(jì):半導(dǎo)體器件及其基本應(yīng)用》 《電子電路分析與設(shè)計(jì):模擬電子技術(shù)》 《電子電路分析與設(shè)計(jì):數(shù)字電子技術(shù)》 《電子電路分析與設(shè)計(jì):半導(dǎo)體器件及其基本應(yīng)用》是第1冊,對應(yīng)原書第1~8章的內(nèi)容,講述微電子器件及其基本應(yīng)用: ·半導(dǎo)體材料和PN結(jié) ·二極管及二極管應(yīng)用電路 ·場效應(yīng)晶體管及基本場效應(yīng)品體管線性放大電路 ·雙極型晶體管及基本雙極型晶體管線性放大電路 ·電路的頻率特性 ·輸出級電路和功率放大器電路 《信息技術(shù)和電氣工程學(xué)科國際知名教材中譯本系列:電子電路分析與設(shè)計(jì)·半導(dǎo)體器件及其基本應(yīng)用(第3版)》非常適合作為電類各專業(yè)模擬電路課程的教材和相關(guān)科研人員白學(xué)參考書,也適合作為教師遴選習(xí)題的范本。圖書封面
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