半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)

內(nèi)容概要

　　《國(guó)外大學(xué)優(yōu)秀教材·微電子類系列(翻譯版)·半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)》不僅包括了量子力學(xué)、半導(dǎo)體物理和半導(dǎo)體器件（包括二極管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、雙極晶體管和光電器件）的基本工作原理等內(nèi)容，還寫(xiě)進(jìn)了現(xiàn)代半導(dǎo)體器件的最新進(jìn)展以及器件的實(shí)際應(yīng)用。例如：對(duì)于顯著影響現(xiàn)代小尺寸器件電學(xué)特性的二級(jí)效應(yīng)進(jìn)行了分析和公式推導(dǎo)，給出了描述小尺寸器件特性的最新的數(shù)學(xué)表達(dá)式；考慮到異質(zhì)結(jié)在場(chǎng)效應(yīng)器件、雙極器件和光電器件中的應(yīng)用日益增加，書(shū)中對(duì)半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)作了著重介紹；由于半導(dǎo)體制造設(shè)備和工藝技術(shù)的提高，“能帶工程”得以實(shí)現(xiàn)，隨之帶來(lái)了器件性能的提高，所以《國(guó)外大學(xué)優(yōu)秀教材·微電子類系列(翻譯版)·半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)》在重點(diǎn)介紹硅材料和硅器件的基礎(chǔ)上，還介紹了化合物半導(dǎo)體器件、合金器件（如SiGe，AlGaAs）和異質(zhì)結(jié)器件；《國(guó)外大學(xué)優(yōu)秀教材·微電子類系列(翻譯版)·半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)》還利用電路分析程序SPICE對(duì)器件的I-V特性進(jìn)行了模擬，對(duì)簡(jiǎn)單電路進(jìn)行了穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)分析?！　　秶?guó)外大學(xué)優(yōu)秀教材·微電子類系列(翻譯版)·半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)》不僅是一本很好的教科書(shū)，也很適合作為微電子和相關(guān)領(lǐng)域的工程技術(shù)人員的參考書(shū)。作者Betty Lise Arldexson博士是美國(guó)俄亥俄州立大學(xué)工學(xué)院的電機(jī)工程教授，講授多門(mén)本科生和研究生的課程。曾經(jīng)在工業(yè)界工作過(guò)九年，有豐富的研究經(jīng)驗(yàn)，目前正在從事用于通訊、雷達(dá)和信息處理的光子學(xué)器件研究。因此，與實(shí)際器件應(yīng)用緊密結(jié)合也是《國(guó)外大學(xué)優(yōu)秀教材·微電子類系列(翻譯版)·半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)》的一個(gè)特色。

書(shū)籍目錄

譯者序前言第1部分 半導(dǎo)休材料第1章 半導(dǎo)體中電子的能量和狀態(tài)1.1 引言1.2 歷史回顧1.3 氫原子實(shí)例1.3.1 氫原子的玻爾模型1.3.2 玻爾模型在分子方面的應(yīng)用：共價(jià)鍵1.3.3 量子數(shù)和泡利不相容原理1.3.4 晶體中的共價(jià)鍵1.4 波粒二象性1.5 波函數(shù)1.5.1 幾率和波函數(shù)1.6 電子波函數(shù)1.6.1 一維空間的自由電子1.6.2 德布羅意關(guān)系1.6.3 三維空間的自由電子1.6.4 準(zhǔn)自由電子模型1.6.5 反射和隧穿1.7 光發(fā)射和光吸收初探1.8 晶體結(jié)構(gòu)、晶面和晶向1.9 總結(jié)1.10 閱讀清單1.11 參考文獻(xiàn)1.12 復(fù)習(xí)題1.13 習(xí)題第2章 均勻半導(dǎo)體第3章 均勻半導(dǎo)體中的電流第4章 非均勻半導(dǎo)體第1部分補(bǔ)充內(nèi)容 材料補(bǔ)充內(nèi)容 1A 量子力學(xué)介紹補(bǔ)充內(nèi)容 1B 關(guān)于材料的補(bǔ)充問(wèn)題第2部分 二極管第5章 原型同質(zhì)pn結(jié)第6章 二極管的補(bǔ)充說(shuō)明第2部分補(bǔ)充內(nèi)容：二極管第3部分 場(chǎng)效應(yīng)晶體管第7章 MOSFET第8章 FET的補(bǔ)充分析第3部分補(bǔ)充內(nèi)容：場(chǎng)效應(yīng)晶體管第4部分 雙極結(jié)型晶體管第9章 雙極結(jié)型器件：靜電學(xué)特性第10章 雙極晶體管的時(shí)變分析第4部分補(bǔ)充內(nèi)容：雙極器件第5部分 光電器件第11章 光點(diǎn)器件附錄附錄A 重要常數(shù)附錄B 符號(hào)表附錄C 制造附錄D 態(tài)密度函數(shù)，態(tài)密度有效質(zhì)量，電導(dǎo)率有效質(zhì)量附錄E 一些有用的積分公式附錄F 有用的公式附錄G 推薦閱讀的文獻(xiàn)

編輯推薦

　　《國(guó)外大學(xué)優(yōu)秀教材?微電子類系列(翻譯版)?半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)》分為5個(gè)部分，共11章，全面介紹了半導(dǎo)體材料的基本性質(zhì)和半導(dǎo)體器件的基本工作原理。從器件物理和工程應(yīng)用的角度對(duì)現(xiàn)代半導(dǎo)體器件進(jìn)行了全面的和注重實(shí)際的講述。在內(nèi)容方面，《國(guó)外大學(xué)優(yōu)秀教材?微電子類系列(翻譯版)?半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)》不僅介紹了量子力學(xué)、半導(dǎo)體物理和半導(dǎo)體器件（包括二極管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、雙極型晶體管和光電器件）的基本工作原理等內(nèi)容，還包括現(xiàn)代半導(dǎo)體器件的最新進(jìn)展以及器件的應(yīng)用?！秶?guó)外大學(xué)優(yōu)秀教材?微電子類系列(翻譯版)?半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)》在重點(diǎn)介紹硅材料和硅器件的基礎(chǔ)上，還介紹了化合物半導(dǎo)體器件、合金器件（如SiGe，AlGaA.）和異質(zhì)結(jié)器件。作者特別強(qiáng)調(diào)對(duì)決定半導(dǎo)體材料和器件電學(xué)特性的物理過(guò)程的理解以及器件的實(shí)際應(yīng)用。通過(guò)《國(guó)外大學(xué)優(yōu)秀教材?微電子類系列(翻譯版)?半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)》學(xué)習(xí)，不僅可以系統(tǒng)地掌握器件物理原理，同時(shí)能夠?qū)ο冗M(jìn)的半導(dǎo)體器件技術(shù)有一個(gè)初步的了解，有利于今后進(jìn)一步的學(xué)習(xí)和研究。

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