半導(dǎo)體器件導(dǎo)論

前言

　　本書是美國新墨西哥大學(xué)電機(jī)與計(jì)算機(jī)工程系Neamen教授所著的“Semiconductor Physics and Devices(3rd edition)”一書的改進(jìn)版本。. 在原書的基礎(chǔ)上，本書主要進(jìn)行了以下的調(diào)整： (1)重新組織編排了原書的章節(jié)和內(nèi)容，特別將有關(guān)MOSFET器件物理的內(nèi)容放在了BJT之前，這反映了MOSFET在當(dāng)代主流CMOS工藝中的重要位置； (2)結(jié)合不同類型半導(dǎo)體器件原理的介紹，增加了相應(yīng)的微電子制造工藝方面的內(nèi)容； (3)壓縮了有關(guān)量子力學(xué)方面的內(nèi)容，力圖以較少的篇幅和比較淺顯易懂的方式來介紹固體的量子理論和半導(dǎo)體物理方面必要的基礎(chǔ)知識(shí)： (4)增加了一些介紹新器件結(jié)構(gòu)方面的內(nèi)容，例如MEMS器件等，以便進(jìn)..

內(nèi)容概要

本書是美國新墨西哥大學(xué)電機(jī)與計(jì)算機(jī)工程系Neamen教授所著的“Semiconductor Physics and Devices，3rd edition”一書的改進(jìn)版本。.    與原書相比，本書更好地將固體品格結(jié)構(gòu)、量子力學(xué)入門知識(shí)、固體的量子理論以及半導(dǎo)體物理和半導(dǎo)體器件有機(jī)地結(jié)合在一起。利用本書，學(xué)生只需要具有高等數(shù)學(xué)和大學(xué)普通物理的基礎(chǔ)，用一個(gè)學(xué)期就可以系統(tǒng)地學(xué)習(xí)到半導(dǎo)體器件的基本理論，從而為進(jìn)入微電子學(xué)研究領(lǐng)域打下一個(gè)良好的基礎(chǔ)。這一特點(diǎn)也是目前國內(nèi)出版的同類教材很難達(dá)到的。..    另外，本書還盡量保持了原書的主要優(yōu)點(diǎn)：    (1)注重基本概念和方法。本書從內(nèi)容的整體編排到具體章節(jié)的敘述，都體現(xiàn)了突出物理概念、強(qiáng)調(diào)基本分析方法的指導(dǎo)思想。書中的數(shù)學(xué)推導(dǎo)和物理分析融為一體，得出的結(jié)論不僅對(duì)理解物理概念十分重要，而且經(jīng)得起反復(fù)推敲。書中還采用了大量非常清晰的插圖，幫助讀者更好地理解基本概念。    (2)可讀性強(qiáng)，便于自學(xué)。全書脈絡(luò)清楚，說理透徹，易于讀者理解和掌握。每一章的開頭都有引言，告訴讀者可以從本章學(xué)到什么，應(yīng)該掌握什么；每一章中都有例題和讀者自測(cè)題；每一章的最后還有總結(jié)、復(fù)習(xí)提綱和大量習(xí)題(其中包含一些采用計(jì)算機(jī)進(jìn)行模擬計(jì)算的練習(xí)題)。通過舉例和練習(xí)加深讀者對(duì)基本概念的理解是本書突出的特點(diǎn)。

書籍目錄

PrefaceCHAPTER 1 The Crystal Structure of Solids 1.0 1.1 Preview 1.2 Semiconductor Materials 1.3 Space Lattices 1.4 Atomic Bonding 1.5 Imperfections and Impurites in Solids 1.6 Growth of Semiconductor Materials 1.7 Device Fabrication Techniques:Oxdation 1.8 SummaryCHAPTER 2 Theory of Solids 2.0 Preview 2.1 Principles of Quantum Mechanics 2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 2.3 Energy-Band Theory 2.4 Density of States Function 2.5 Statistical Mechanics 2.6 SummaryCHAPTER 3 The Semiconductor in Equilibrium……CHAPTER 4 Carrier Transport and Excess Carrier PhenomenaCHAPTER 5 The pn Junction and Metal-Semiconductor ContactCHAPTER 6 Fundamentals of the Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect TransistorCHAPTER 7 Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor:Additional ConceptsCHAPTER 8 Nonequilibrium Excess Carriers In SemiconductiorsCHAPTER 9 The pn Junction and Schottky DiodesCHAPTER 10 The Bipolar TransistorCHAPTER 11 Additional Semiconductor Devices and Device ConceptsCHAPTER 12 Optical DevicesAPPENDIXIndexCHAPTER 13

圖書封面

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無

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