超大規(guī)模集成電路設(shè)計導(dǎo)論

內(nèi)容概要

本書從非微電子專業(yè)讀者掌握VLSI設(shè)計知識和技能的需求出發(fā)，以器件、電路和系統(tǒng)設(shè)計為背景，系統(tǒng)全面地介紹VLSI設(shè)計的知識和方法，主要內(nèi)容包括VLSI設(shè)計概論、MOS器件設(shè)計、半導(dǎo)體工藝基礎(chǔ)知識、電路設(shè)計及參數(shù)計算、基本邏輯電路設(shè)計、VLSI版圖設(shè)計、半定制全定制及片上系統(tǒng)(SOC)的設(shè)計方法以及VLSI計算機輔助設(shè)計等?！　”緯亲髡呤嗄陙碓谇迦A大學(xué)計算機科學(xué)與技術(shù)系為本科生和研究生開設(shè)VLSI設(shè)計相關(guān)課程教學(xué)與VLSI EDA研究的經(jīng)驗基礎(chǔ)上，結(jié)合目前集成電路設(shè)計的發(fā)展?fàn)顩r編寫而成。本書作為VLSI設(shè)計導(dǎo)論性書籍，內(nèi)容廣泛，敘述由淺入深，既可作為大專院校計算機、自動化、電機和機電等專業(yè)本科生和研究生學(xué)習(xí)的教材或參考書，也可作為從事VLSI設(shè)計的技術(shù)人員的參考書。

書籍目錄

第1章　集成電路設(shè)計概論　1.1　集成電路的發(fā)展　1.2　集成電路設(shè)計的發(fā)展　1.3　電子設(shè)計自動化技術(shù)的發(fā)展　1.4　深亞微米和超深亞微米工藝對EDA技術(shù)的挑戰(zhàn)　1.5　VLSI設(shè)計的要求　1.6　VLSI的設(shè)計方法學(xué)　習(xí)題第2章　CMOS集成電路制造技術(shù)　2.1　半導(dǎo)體材料--硅　2.2　集成電路制造技術(shù)簡介　　2.2.1　熱氧化工藝　　2.2.2　擴散工藝　　2.2.3　淀積工藝　　2.2.4　光刻工藝　2.3　CMOS集成電路制造過程　　2.3.1　晶圓處理　　2.3.2　CMOS集成電路工藝(前部工序)　　2.3.3　后部工序　習(xí)題第3章　器件設(shè)計技術(shù)　3.1　引言　3.2　MOS晶體管的工作原理　　3.2.1　半導(dǎo)體的表面場效應(yīng)　　3.2.2　PN結(jié)的單向?qū)щ娦浴　?.2.3　MOS管的工作原理　3.3　MOS晶體管的直流特性　　3.3.1　NMOS管的電流-電壓特性　　3.3.2　PMOS管的電流-電壓特性　3.4　反相器直流特性　　3.4.1　MOS反相器的一般問題　　3.4.2　電阻負(fù)載反相器(E／R)　　3.4.3　增強型負(fù)載反相器(E／E)　　3.4.4　耗盡型負(fù)載反相器(E／D)　　3.4.5　CMOS反相器　習(xí)題　第4章　電路參數(shù)及性能　4.1　MOS晶體管的參數(shù)　　4.1.1　閾值(開啟)電壓　　4.1.2　溝道長度調(diào)制效應(yīng)　　4.1.3　漏-源截止電流　　4.1.4　直流導(dǎo)通電阻　　4.1.5　柵-源直流輸入電阻·　　4.1.6　柵-源擊穿電壓　　4.1.7　漏-源擊穿電壓　4.2　信號傳輸延遲　　4.2.1　CMOS門延遲　　4.2.2　連線延遲　　4.2.3　電路扇出延遲　　4.2.4　大電容負(fù)載驅(qū)動電路　4.3　CMOS電路功耗　　4.3.1　CMOS電路的靜態(tài)功耗　　4.3.2　CMOS電路的動態(tài)功耗　　4.3.3　電路總功耗　　4.3.4　功耗管理　4.4　CMOS電路的閘流效應(yīng)　　4.4.1　閘流效應(yīng)的起因　　4.4.2　閘流效應(yīng)的控制　4.5　電路模擬HSPICE簡介　　……第5章　邏輯設(shè)計技術(shù)第6章　子系統(tǒng)設(shè)計第7章　版圖設(shè)計技術(shù)第8章　系統(tǒng)設(shè)計方法與實現(xiàn)技術(shù)第9章　數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計自動化參考文獻(xiàn)

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