數(shù)字集成電路分析與設(shè)計(jì)

內(nèi)容概要

本書(shū)的第3版，把當(dāng)前數(shù)字集成電路中已無(wú)可爭(zhēng)議地占絕對(duì)主導(dǎo)地位的CMOS電路技術(shù)作為主要內(nèi)容。全書(shū)以當(dāng)前工業(yè)界領(lǐng)先的0.18T微米和0.13微米的工藝技術(shù)為基礎(chǔ)，注入了許多深亞微米領(lǐng)域電路設(shè)計(jì)方面的資料，如最先進(jìn)的電路制造工藝、BSIM3短溝器件模型、深亞微米的互連技術(shù)和時(shí)鐘技術(shù)、基于邏輯力度（Logic Effort）的高速CMOS電路設(shè)計(jì)技術(shù)、電源網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)等。此外，第3版還新增了一些較新和較深的內(nèi)容，如快閃存儲(chǔ)器（Flash Memory)、鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）、鎖相環(huán)（PLL）等，因此第3版明顯地具有集成電路深亞微米時(shí)代的特點(diǎn)。
    本書(shū)可用作高等院校電子信息、自動(dòng)控制、電氣工程、精密儀器等專(zhuān)業(yè)本科高年級(jí)演密儀器等專(zhuān)業(yè)本科高年級(jí)和研究生有關(guān)集成電路課程的教材。全書(shū)共分11章，其中第1-8章為最基本的內(nèi)容，第9-11章可根據(jù)不同的教學(xué)計(jì)劃和教學(xué)要求選擇不同的內(nèi)容。本書(shū)各章中內(nèi)容較深的部分可供講授研究生課程時(shí)選用。由于本書(shū)內(nèi)容選進(jìn)詳實(shí)，因此對(duì)于從事集成電路設(shè)計(jì)的工程技術(shù)人員來(lái)說(shuō)也是一本不可多得的優(yōu)秀參考書(shū)。

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