集成電路導(dǎo)論

內(nèi)容概要

本書在簡述集成電路的誕生、發(fā)展和未來后，首先介紹了半導(dǎo)體特性與晶體管工作原理，集成電路芯片制造技術(shù)的基本概念和步驟；然后重點討論了基本門電路、存儲器、微處理器、專用集成電路和可編程集成電路；最后介紹了芯片的設(shè)計流程、有關(guān)的設(shè)計工具以及集成電路的測試和封裝。本書說理清楚，內(nèi)容深入淺出，與實際聯(lián)系緊密，易于自學(xué)?？勺鳛榇髮Ｔ盒Ｎ㈦娮訉W(xué)和半導(dǎo)體專業(yè)學(xué)生的概論課教材，也可作為各類理工科專業(yè)和部分文商科專業(yè)本科生的普及性教材，還可作為各類高級技術(shù)和管理人士學(xué)習(xí)集成電路知識的入門參考書?？闭`表下載：tn6262.zip

書籍目錄

第1章 緒論1.1 什么是集成電路和微電子學(xué)1.2 集成電路的誕生1.3 集成電路的發(fā)展1.3.1 應(yīng)用的驅(qū)動1.3.2 集成度的提高1.3.3 摩爾定律1.3.4 專用集成電路和專用標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品1.3.5 集成電路分類1.4 集成電路的未來1.5 微電子技術(shù)與其他學(xué)科相結(jié)合第2章 半導(dǎo)體基本特性與晶體管工作原理2.1 半導(dǎo)體的特性2.1.1 什么是半導(dǎo)體2.1.2 能級與能帶2.1.3 電子與空穴2.1.4 N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體2.2 PN結(jié)2.2.1 平衡狀態(tài)下的PN結(jié)2.2.2 正向狀態(tài)下的PN結(jié)2.2.3 反向狀態(tài)下的PN結(jié)2.2.4 PN結(jié)電容（空間電荷區(qū)電容）2.3 二極管2.3.1 二極管的電流與電壓特性2.3.2 二極管工作時管內(nèi)少數(shù)載流子的分布情況2.3.3 擴散電容2.4 雙極型晶體管2.4.1 雙極型晶體管的基本結(jié)構(gòu)2.4.2 共基極接地方式2.4.3 共發(fā)射極接地方式2.4.4 三極管的簡化大信號模型2.4.5 三極管的小信號放大效應(yīng)2.5 金屬—氧化物—半導(dǎo)體（MOS）場效應(yīng)晶體管2.5.1 MOS場效應(yīng)晶體管的基本結(jié)構(gòu)2.5.2 反型層的形成與閾值電壓2.5.3 MOS管中的電流與電壓關(guān)系2.5.4 襯底偏置調(diào)制效應(yīng)2.5.5 MOS管的簡單模型2.5.6 MOS管的幾種類型第3章 集成電路中的器件結(jié)構(gòu)3.1 電學(xué)隔離的必要性和方法3.2 二極管的結(jié)構(gòu)3.3 雙極型晶體管的結(jié)構(gòu)3.4 MOS場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)3.4.1 場氧化層的作用3.4.2 CMOS電路的結(jié)構(gòu)3.5 電阻的結(jié)構(gòu)3.6 電容的結(jié)構(gòu)3.7 接觸孔、通孔和互連線第4章 集成電路芯片制造技術(shù)4.1 工藝制造中的核心步驟4.2 窗口、圖形的確定與掩模版的作用4.3 各主要工藝技術(shù)4.3.1 熱氧化4.3.2 熱擴散摻雜4.3.3 快速熱處理4.3.4 離子注入4.3.5 化學(xué)氣相淀積4.3.6 光刻4.3.7 刻蝕4.3.8 選擇性氧化4.3.9 金屬化4.4 CMOS電路制造的主要工藝流程4.5 缺陷與成品率第5章 基本的門電路第6章 存儲器類集成電路第7章 微處理器第8章 專用集成電路和可編程集成電路第9章 設(shè)計流程和設(shè)計工具第10章 集成電路的測試與封裝參考文獻

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