硅集成電路工藝基礎(chǔ)

內(nèi)容概要

本書(shū)系統(tǒng)地講述了硅集成電路制造的基礎(chǔ)工藝，重點(diǎn)放在工藝物理基礎(chǔ)和基本原理上。全書(shū)共十章，其中第一章簡(jiǎn)單地講述了硅的晶體結(jié)構(gòu)，第二章到第九章分別講述了硅集成電路制造中的基本單項(xiàng)工藝，包括氧化、擴(kuò)散、離子注入、物理氣相淀積、化學(xué)氣相淀積、外延、光刻與刻蝕、金屬化與多層互連，最后一章講述的是工藝集成。    本書(shū)可作為高等學(xué)校微電子專(zhuān)業(yè)本科生和研究生的教材或參考書(shū)，也可供從事集成電路制造的工藝技術(shù)人員閱讀。

書(shū)籍目錄

第一章  硅的晶體結(jié)構(gòu)  1.1 硅晶體結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)  1.2 晶向、晶面和堆積模型  1.3 硅晶體中的缺陷  1.4 硅中雜質(zhì)  1.5 雜質(zhì)在硅晶體中溶解度  參考文獻(xiàn)第二章  氧化  2.1 SiO2的結(jié)構(gòu)及性質(zhì)  2.2 SiO2的掩蔽作用  2.3 硅的熱氧化生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)  2.4 硅的熱氧化生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)  2.5 決定氧化過(guò)程中的雜質(zhì)再分布  2.6 初始氧化階段以及薄氧化層的生長(zhǎng)  2.7 Si-SiO2界面特性  參考文獻(xiàn)第三章  擴(kuò)散  3.1 雜質(zhì)擴(kuò)散機(jī)構(gòu)  3.2 擴(kuò)散系數(shù)與擴(kuò)散方程  3.3 擴(kuò)散雜質(zhì)的分布  3.4 影響雜質(zhì)分布的其他因素  3.5 擴(kuò)散工藝  3.6 擴(kuò)散工藝的發(fā)展  參考文獻(xiàn)第四章  離子注入  4.1 核碰撞和電子碰撞  4.2 注入離子在無(wú)定形靶中的分布  4.3 注入損傷  4.4 熱退火  參考文獻(xiàn)第五章  物理氣相淀積  5.1 真空蒸發(fā)法制備薄的基本原理  5.2 蒸發(fā)源  5.3 氣體輝光放電  5.4 濺射  參考文獻(xiàn)第六章  化學(xué)氣相淀積  6.1 CVD模型  6.2 化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)  6.3 CVD多晶硅的特性和淀積方法  6.4 CVD二氧化硅的特性和淀積方法  6.5 CVD氮化硅的特性及淀積方法  6.6 金屬的化學(xué)氣相淀積  參考文獻(xiàn)第七章  外延第八章  光刻與刻蝕工藝第九章  金屬化與多層互連第十章  工藝集成附錄縮略語(yǔ)及物理量

編輯推薦

　　《硅集成電路工藝基礎(chǔ)》一書(shū)是為微電子專(zhuān)業(yè)本科生所編寫(xiě)的、內(nèi)容涉及硅集成電路制造工藝的教材，也可作為從事集成電路研發(fā)和生產(chǎn)的科技人員的參考書(shū)。本書(shū)是根據(jù)作者多年教學(xué)經(jīng)驗(yàn)并結(jié)合當(dāng)今集成電路制造中新技術(shù)及新工藝編寫(xiě)而成的。　　本書(shū)系統(tǒng)講述了硅集成電路制造中的單項(xiàng)工藝，內(nèi)容主要包括硅的晶體結(jié)構(gòu)、氧化、擴(kuò)散、離子注入、物理氣相淀積、化學(xué)氣相淀積、外延、光刻與刻蝕、金屬化與多層互連，最后介紹了CMOS集成電路、雙極集成電路以及BiCMOS集成電路的工藝集成。此外，對(duì)新工藝、新技術(shù)、集成電路工藝技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)以及新結(jié)構(gòu)器件對(duì)集成電路制造工藝提出的新要求等方面也作了介紹。

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