半導(dǎo)體器件物理基礎(chǔ)

出版時間:2002-2  出版社:北京大學(xué)  作者:曾樹榮  頁數(shù):241  字數(shù):395000  
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內(nèi)容概要

本書內(nèi)容大體可分為兩個部分。前兩章為第一部分,介紹學(xué)習(xí)半導(dǎo)體器件必需的知識,包括半導(dǎo)體基本知識和p-n結(jié)理論;其余各章為第二部分,闡述半導(dǎo)體器件的基本原理及雙極型晶體管、化合物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、MOS器件、有源微波二極管和光電器件等半導(dǎo)體器件。    本書簡明扼要,既著重于基本的半導(dǎo)體器件及其基本知識,也涉及了半導(dǎo)體器件領(lǐng)域內(nèi)的新進展和新概念,可作為電子信息專業(yè)特別是微電子學(xué)專業(yè)的教材或參考書,分章節(jié)供本科生和研究生使用;也可供有關(guān)研究人員參考。

書籍目錄

主要符號表第一章 半導(dǎo)體基本知識  半導(dǎo)體中的載流子  晶格振動  載流子輸運現(xiàn)象  半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)第二章  p-n結(jié)  熱平衡狀態(tài)  耗盡區(qū)和耗盡層電容  直流特性  交流小信號特性;擴散電容  電荷存儲和反向恢復(fù)時間  結(jié)的擊穿第三章 雙極型晶體管  基本原理  雙極型晶體管的直流特性  雙極型晶體管模型  雙極型晶體管的頻率特性  雙極型晶體管的開關(guān)特性  異質(zhì)結(jié)雙極晶體管  多晶硅發(fā)射極晶體管  p-n-p-n結(jié)構(gòu)第四章 化合物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管  肖特基勢壘和歐姆接觸  GaAs MESFET  高電子遷移率晶體管第五章 MOS器件  MOS結(jié)構(gòu)的基本性質(zhì)  MOS場效應(yīng)晶體管的基本理論  短溝道MOSFET  SOI MOSFET  埋溝MOSFET  電荷耦合器件第六章 有源微波二極管  隧道二極管  共振隧穿二極管  IMPATT二極管  轉(zhuǎn)移電子器件第七章 半導(dǎo)體激光器和光電二極管  半導(dǎo)體激光器的基本結(jié)構(gòu)和工作原理  半導(dǎo)體激光器的工作特性  雙異質(zhì)結(jié)激光器  量子阱激光器  光電二極管主要參考文獻

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