出版時間:2002-2 出版社:北京大學(xué) 作者:曾樹榮 頁數(shù):241 字數(shù):395000
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內(nèi)容概要
本書內(nèi)容大體可分為兩個部分。前兩章為第一部分,介紹學(xué)習(xí)半導(dǎo)體器件必需的知識,包括半導(dǎo)體基本知識和p-n結(jié)理論;其余各章為第二部分,闡述半導(dǎo)體器件的基本原理及雙極型晶體管、化合物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管、MOS器件、有源微波二極管和光電器件等半導(dǎo)體器件。 本書簡明扼要,既著重于基本的半導(dǎo)體器件及其基本知識,也涉及了半導(dǎo)體器件領(lǐng)域內(nèi)的新進展和新概念,可作為電子信息專業(yè)特別是微電子學(xué)專業(yè)的教材或參考書,分章節(jié)供本科生和研究生使用;也可供有關(guān)研究人員參考。
書籍目錄
主要符號表第一章 半導(dǎo)體基本知識 半導(dǎo)體中的載流子 晶格振動 載流子輸運現(xiàn)象 半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)第二章 p-n結(jié) 熱平衡狀態(tài) 耗盡區(qū)和耗盡層電容 直流特性 交流小信號特性;擴散電容 電荷存儲和反向恢復(fù)時間 結(jié)的擊穿第三章 雙極型晶體管 基本原理 雙極型晶體管的直流特性 雙極型晶體管模型 雙極型晶體管的頻率特性 雙極型晶體管的開關(guān)特性 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管 多晶硅發(fā)射極晶體管 p-n-p-n結(jié)構(gòu)第四章 化合物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 肖特基勢壘和歐姆接觸 GaAs MESFET 高電子遷移率晶體管第五章 MOS器件 MOS結(jié)構(gòu)的基本性質(zhì) MOS場效應(yīng)晶體管的基本理論 短溝道MOSFET SOI MOSFET 埋溝MOSFET 電荷耦合器件第六章 有源微波二極管 隧道二極管 共振隧穿二極管 IMPATT二極管 轉(zhuǎn)移電子器件第七章 半導(dǎo)體激光器和光電二極管 半導(dǎo)體激光器的基本結(jié)構(gòu)和工作原理 半導(dǎo)體激光器的工作特性 雙異質(zhì)結(jié)激光器 量子阱激光器 光電二極管主要參考文獻
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