數(shù)字CMOS VLSI分析與設(shè)計(jì)基礎(chǔ)

內(nèi)容概要

本書全面系統(tǒng)地講解了數(shù)字CMOS VLSI的基本原理及其設(shè)計(jì)。全書共分11章。前兩章分析了MOS晶體管的基本原理以及器件按比例縮小的性能。第三章介紹了CMOS VLSI的制造工藝。第四至七章和第九章論述了CMOS VLSI的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)、工作原理及設(shè)計(jì)方法，并給出了很多電路實(shí)例。第八章介紹了VLSI存儲器的新結(jié)構(gòu)和新電路。最后兩章介紹了90年代迅速發(fā)展的SOICMOS和BICMOS新技術(shù)。本書既強(qiáng)調(diào)了基本知識，又反映了CMOS VLSI的最新進(jìn)展。全書條理清楚，講解透徹，內(nèi)容先進(jìn)，便于自學(xué)。   本書可作為微電子專業(yè)或相關(guān)專業(yè)的高年級本科生和研究生的教材，同時(shí)也是從事微電子技術(shù)研究、電路設(shè)計(jì)、生產(chǎn)及應(yīng)用的工程技術(shù)人員的重要參考書。另外，對于其他專業(yè)想了解大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路的工程技術(shù)人員，也是一本很有價(jià)值的參考書。

書籍目錄

第一章 MOS晶體管工作原理   1.1 MOS晶體管的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)和基本原理  1.2 MOS晶體管的閾值電壓分析  1.3 MOS晶體管的電流方程  1.4 MOS晶體管的瞬態(tài)特性第二章 MOS器件按比例縮小   2.1 按比例縮小理論  2.2 高電場效應(yīng)對按比例縮小器件性能的影響  2.3 不能按比例縮小的參數(shù)的影響  2.4 VLSI發(fā)展的實(shí)際限制第三章 CMOS IC工藝流程及電路中的寄生效應(yīng)   3.1 集成電路制作中的幾個(gè)基本工藝步驟  3.2 CMOS IC工藝流程  3.3 CMOS IC中的寄生效應(yīng)第四章 CMOS反相器和CMOS傳輸門   4.1 CMOS反相器的直流特性  4.2 CMOS反相器的瞬態(tài)特性  4.3 CMOS反相器的功耗  4.4 CMOS反相器的設(shè)計(jì)  4.5 CMOS和NMOS電路性能比較  4.6 CMOS傳輸門第五章 CMOS靜態(tài)邏輯電路設(shè)計(jì)   5.1 靜態(tài)CMOS邏輯門的構(gòu)成特點(diǎn)  5.2 CMOS與非門的分析  5.3 CMOS或非門的分析  5.4 CMOS與非門和非門的設(shè)計(jì)  5.5 組合邏輯電路的設(shè)計(jì)  5.6 類NMOS電路  5.7 傳輸門邏輯電路  5.8 差分CMOS邏輯系列第六章 動態(tài)和時(shí)序邏輯電路設(shè)計(jì)   6.1 動態(tài)邏輯電路的特點(diǎn)  6.2 預(yù)充-求值的動態(tài)CMOS電路  6.3 多米諾CMOS電路  6.4 時(shí)鐘CMOS電路  6.5 無競爭動態(tài)CMOS電路  6.6 CMOS觸發(fā)器  6.7 時(shí)序邏輯電路第七章 輸入、輸出緩沖器   7.1 輸入緩沖器  7.2 輸入保護(hù)電路  7.3 輸出緩沖器  7.4 脫片輸出驅(qū)動級的設(shè)計(jì)  7.5 三態(tài)輸出和雙向緩沖器第八章 MOS存儲器   8.1 DRAM  8.2 SRAM   8.3 ROM和PLD第九章 MOS IC的版圖設(shè)計(jì)   9.1 VLSI的設(shè)計(jì)方法  9.2 門陣列和標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)方法  9.3 版圖設(shè)計(jì)第十章 SOICMOS簡介   10.1 SOI CMOS工藝  10.2 薄膜SOIMOSFET的基本特性  10.3 短溝薄膜SOIMOSFET的二級效應(yīng)第十一章 BiCMOS電路   11.1 MOS和雙極型器件性能比較  11.2 BiCMOS工藝和器件結(jié)構(gòu)  11.3 BiCMOS邏輯門的設(shè)計(jì)  11.4 BiCMOS和CMOS電路性能的比較  11.5 BiCMOS電路實(shí)例主要符號表 主要參考文獻(xiàn) 附錄

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