新型電子薄膜材料

前言

　　21世紀(jì)是新材料的時(shí)代。能源、材料、信息科學(xué)是新技術(shù)革命的先導(dǎo)和支柱。作為特殊形態(tài)材料的薄膜，已成為微電子學(xué)、光電子學(xué)、磁電子學(xué)、刀具超硬化、傳感器、太陽能利用等新興交叉學(xué)科的材料基礎(chǔ)，并廣泛滲透到當(dāng)代科技的各個(gè)領(lǐng)域，而且特殊功能、特殊用途的電子薄膜材料的開發(fā)本身就是材料高技術(shù)學(xué)科的重要組成部分?！　　缎滦碗娮颖∧げ牧稀返谝话媸?002年9月出版的，距今已近十年，隨著薄膜制備技術(shù)與分析手段的發(fā)展，編者受化學(xué)工業(yè)出版社之邀，在基本保持第一版原貌的基礎(chǔ)上，重新編寫了《新型電子薄膜材料》第二版?！　√柲茈姵夭牧虾图夹g(shù)是新能源領(lǐng)域的重要研究課題，而“薄膜太陽能電池材料”作為太陽能電池的主要研究領(lǐng)域之一，近幾年來發(fā)展迅猛。在第二版中，“薄膜太陽能電池材料”作為單獨(dú)一章列出。本章將第一版中有關(guān)太陽能電池的內(nèi)容集中在一起，并增加了第ⅢA～ⅤA族化合物太陽能電池、聚光太陽能電池和有機(jī)薄膜太陽能電池的內(nèi)容，反映了有關(guān)薄膜太陽能電池材料和技術(shù)研究的最新成果。碳基薄膜材料，包括富勒烯薄膜、碳納米管薄膜和石墨烯薄膜，也是近年來光電子薄膜材料的主要研究熱點(diǎn)之一，應(yīng)用前景廣闊。在第二版中，碳基薄膜材料為新增內(nèi)容，也作為獨(dú)立的一章列出。由于增加了新的章節(jié)，原書的部分章節(jié)編號(hào)在第二版中做了變動(dòng)?！　”緯黾拥膬?nèi)容，除了包括編著者自己近年來的研究成果和綜述文章外，還編入了當(dāng)前有關(guān)薄膜材料科學(xué)與技術(shù)的前沿資料。本書第1章～第3章、第5章、第7章、第11章由陳光華編寫；第4章和第8章～第10章由鄧金祥編寫；第6章由陳光華、鄧金祥和崔敏編寫；第12章由宋雪梅編寫。研究生滿超、楊學(xué)良和陳亮為本書的編寫提供了幫助，特此表示感謝?！　∮捎诰幷咚胶蜁r(shí)間有限，書中疏漏在所難免，懇請(qǐng)讀者批評(píng)指正?！　【幹摺　?011年12月　　能源、材料、信息科學(xué)是新技術(shù)革命的先導(dǎo)和支柱。作為特殊形態(tài)材料的薄膜，已成為微電子學(xué)、光電子學(xué)、磁電子學(xué)、刀具超硬化、傳感器、太陽能利用等新興交叉學(xué)科的材料基礎(chǔ)，并廣泛滲透到當(dāng)代科技的各個(gè)領(lǐng)域，而且特殊功能、特殊用途的電子薄膜材料的開發(fā)本身就是高技術(shù)的重要組成部分。隨著電子薄膜科學(xué)與技術(shù)的迅速發(fā)展，各種新的成膜方法不斷涌現(xiàn)，特別是以等離子體反應(yīng)法為代表的新技術(shù)得到開發(fā)，制膜質(zhì)量也得到大大改善。傳統(tǒng)的所謂鍍膜，已從單一的真空蒸鍍發(fā)展到包括蒸鍍、離子鍍、濺射鍍膜、化學(xué)氣相沉積、PCVD、MOCVD、分子束外延、液相生長、微波法及MWECR法等在內(nèi)的成膜技術(shù)；包括離子刻蝕、反應(yīng)離子刻蝕、離子注入和離子束混合改性等在內(nèi)的微細(xì)加工技術(shù)，以及薄膜沉積過程監(jiān)測控制、薄膜檢測、薄膜應(yīng)用在內(nèi)的，內(nèi)容十分豐富的電子薄膜技術(shù)，并正逐漸成為一門高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)?！　〗陙?，各國都投入了大量人力、物力、資金來研究材料的薄膜化。國際上有關(guān)真空技術(shù)、表面科學(xué)、薄膜、材料科學(xué)、應(yīng)用物理、固體物理、電子技術(shù)等方面的專刊、論文、專題報(bào)告多不勝收、比比皆是。每年都要舉行多次國際會(huì)議，并為此專門出版了《Thin Solid Films》期刊?！　‰娮颖∧ぜ夹g(shù)與電子薄膜材料屬于邊緣學(xué)科，它的發(fā)展涉及幾乎所有前沿學(xué)科，而它的應(yīng)用與推廣又滲透到各個(gè)學(xué)科以及應(yīng)用技術(shù)的領(lǐng)域。至今，薄膜技術(shù)與薄膜材料已涉及電子、計(jì)算機(jī)、磁記錄、信息、傳感器、能源、機(jī)械、光學(xué)、航空、航天、核工業(yè)等各個(gè)部門。不同專業(yè)的科學(xué)工作者，不同行業(yè)的技術(shù)人員已經(jīng)或正在打破學(xué)科的界限，開展薄膜技術(shù)與薄膜材料的研究開發(fā)工作?！　≡谖覈娮颖∧ば袠I(yè)已具有相當(dāng)?shù)囊?guī)模。目前直接或間接從事薄膜科學(xué)與技術(shù)的工程技術(shù)人員、科技工作者人數(shù)很多，跨越機(jī)械、電子、能源、材料、信息、航空航天等各個(gè)行業(yè)，而且這支隊(duì)伍正在迅速擴(kuò)大。目前在許多高校都開設(shè)有“薄膜科學(xué)與技術(shù)”方面的課程，加強(qiáng)高水平人才的培養(yǎng)。在膜系開發(fā)、工藝研究、設(shè)備研制、檢測與機(jī)理研究等方面都取得了可喜的成績。相信在不遠(yuǎn)的將來，中國將會(huì)成為薄膜科學(xué)與技術(shù)領(lǐng)域研究和開發(fā)的大國?！　”緯幹膬?nèi)容，是介紹當(dāng)前各類固體薄膜科學(xué)與技術(shù)研究和發(fā)展的前沿資料，其中也包括國內(nèi)學(xué)者和我們自己的研究成果和綜述文章。在編著中我們力圖做到：基本概念清楚和易于理解，盡可能反映當(dāng)前的學(xué)科先進(jìn)水平，簡明、系統(tǒng)地介紹各類電子薄膜的微觀結(jié)構(gòu)，各種特性、制備方法和應(yīng)用情況?！　”緯卜?0章，主要內(nèi)容如下?！　、?新型半導(dǎo)體薄膜材料包括非晶態(tài)半導(dǎo)體多晶Si、微晶Si、太陽電池、薄膜晶體管和大面積液晶顯示器?！　、?各種超硬和寬帶隙薄膜材料包括金剛石和類金剛石薄膜、立方氮化硼薄膜、β?C3N4薄膜、BCN膜及其他硬質(zhì)薄膜?！　、?納米薄膜和可見光發(fā)射膜包括多孔Si、氮化鎵、硅中摻鉺、薄膜發(fā)光顯示器等?！　、?硫系及其他多元化合物薄膜包括硫系化物、CdTe和CuInSe2太陽能電池、靜電復(fù)印機(jī)。　?、?介質(zhì)膜、高溫超導(dǎo)膜、巨磁阻薄膜?！　、?超晶格和量子阱膜、有機(jī)發(fā)光膜、透明導(dǎo)電膜、紅外膜、變色膜、防偽膜等。　　⑦ 介紹多種制膜方法和檢測手段等。　　本書可作為有關(guān)專業(yè)高年級(jí)大學(xué)生及研究生的教學(xué)參考書，對(duì)于從事電子薄膜研制、生產(chǎn)和使用的專業(yè)人員有重要參考價(jià)值?！　”緯?～5章由陳光華編寫；第6～8章由鄧金祥編寫；第9章由陳鵬和陳光華編寫；第10章由宋雪梅編寫?！　∮捎谖覀兯接邢?，本書中的錯(cuò)誤和缺點(diǎn)在所難免，我們衷心希望得到讀者的指正?！　￡惞馊A　　2002年3月

內(nèi)容概要

能源、材料、信息科學(xué)是新技術(shù)革命的先導(dǎo)和支柱。作為特殊形態(tài)材料的薄膜，已成為微電子學(xué)、光電子學(xué)、磁電子學(xué)、刀具超硬化、傳感器、太陽能利用等新興學(xué)科的材料基礎(chǔ)，并已涉及電子、計(jì)算機(jī)、磁記錄、信息、傳感器、能源、機(jī)械、光學(xué)、航空、航天、核工業(yè)等各個(gè)部門。本書內(nèi)容既介紹各類固體薄膜的研究和發(fā)展情況，也包括國內(nèi)學(xué)者和著者的研究成果，反映了當(dāng)前學(xué)科的先進(jìn)水平。
本書第二版基本上保持了《新型電子薄膜材料》第一版的原貌。與第一版相比，增加了第ⅢA～ⅤA族化合物太陽能電池、聚光太陽能電池和有機(jī)薄膜太陽能電池，反映了有關(guān)薄膜太陽能電池材料和技術(shù)研究的最新成果。另外，還對(duì)碳基薄膜材料，包括富勒烯薄膜、碳納米管薄膜和石墨烯薄膜等內(nèi)容進(jìn)行了重點(diǎn)介紹。
本書既可作為相關(guān)專業(yè)高年級(jí)大學(xué)生及研究生的教學(xué)參考書，也可供廣大從事薄膜科學(xué)與技術(shù)的工程技術(shù)人員、科技工作者參考。

書籍目錄

第1章 緒論
　1.1 薄膜的定義及特性
　1.1.1 薄膜的定義
　1.1.2 薄膜材料的分類
　1.1.3 薄膜材料的特殊性
　1.1.4 薄膜結(jié)構(gòu)的缺陷
　1.1.5 薄膜的光學(xué)特性
　1.2 薄膜材料研究現(xiàn)狀
　1.3 新型薄膜材料發(fā)展前景
　參考文獻(xiàn)
第2章 硅基半導(dǎo)體薄膜材料
　2.1 概述
　2.2 硅基非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜
　2.2.1 非晶半導(dǎo)體薄膜材料的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
　2.2.2 非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜材料的制備方法
　2.2.3 非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜材料的能帶模型
　2.2.4 非晶態(tài)半導(dǎo)體薄膜材料的電學(xué)特性
　2.2.5 非晶態(tài)半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)
　2.2.6 非晶半導(dǎo)體薄膜材料在光電器件方面的獨(dú)特性能
　2.2.7 非晶半導(dǎo)體薄膜材料質(zhì)量的研究近況
　2.3 多晶硅和微晶硅薄膜
　2.3.1 μc?Si∶H薄膜
　2.3.2 多晶Si薄膜
　2.4 薄膜晶體管與大面積液晶顯示器
　2.4.1 a?Si∶H TFT的結(jié)構(gòu)、制備和工藝
　2.4.2 a?Si∶H TFT的工作特性
　2.4.3 新型μc?Si∶H /a?Si∶H雙有源層結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管
　2.4.4 a?Si∶H TFT在有源矩陣中的應(yīng)用
　參考文獻(xiàn)
第3章 金剛石薄膜及相關(guān)材料
　3.1 概述
　3.2 金剛石薄膜
　3.2.1 金剛石薄膜的結(jié)構(gòu)
　3.2.2 金剛石薄膜的優(yōu)異特性
　3.2.3 金剛石薄膜的制備方法
　3.2.4 強(qiáng)碳化物形成元素襯底上金剛石薄膜的生長特性及過渡層的研究
　3.2.5 織構(gòu)金剛石薄膜的制備
　3.3 類金剛石膜（DLC）
　3.3.1 類金剛石薄膜的相結(jié)構(gòu)
　3.3.2 類金剛石膜的制備方法
　3.3.3 類金剛石薄膜直流電導(dǎo)特性的研究
　3.3.4 類金剛石膜的光學(xué)特性
　3.3.5 類金剛石薄膜的力學(xué)特性
　3.3.6 類金剛石膜的其他特性
　3.3.7 類金剛石膜的應(yīng)用
　3.4 立方氮化硼薄膜
　3.4.1 氮化硼的四種異構(gòu)體
　3.4.2 立方氮化硼的性質(zhì)和應(yīng)用前景
　3.4.3 立方氮化硼薄膜的制備方法
　3.4.4　氮化硼薄膜的n型摻雜
　3.4.5 氮化硼薄膜的p型摻雜
　3.4.6 立方氮化硼薄膜的研究現(xiàn)狀及面臨的問題
　3.5 β?C3N4薄膜
　3.5.1 β?CNx薄膜的原子結(jié)構(gòu)
　3.5.2 β?C3N4薄膜的制備與特性表征
　3.5.3 β?C3N4的應(yīng)用前景
　3.6 BCN薄膜
　3.6.1 BCN薄膜的結(jié)構(gòu)
　3.6.2 BCN薄膜的制備
　3.6.3 BCN薄膜的電學(xué)性質(zhì)
　3.6.4 BCN薄膜的光學(xué)帶隙
　3.7 其他硬質(zhì)薄膜
　3.7.1 氮化物、磷化物、硼化物及氧化物
　3.7.2 硬質(zhì)薄膜材料的物性
　3.7.3 硬質(zhì)復(fù)合薄膜材料
　3.7.4 固體潤滑膜
　3.8 寬帶隙薄膜材料場電子發(fā)射研究的現(xiàn)狀和問題
　3.8.1 概述
　3.8.2 金剛石薄膜的場電子發(fā)射
　3.8.3 類金剛石（DLC）薄膜的場發(fā)射
　3.8.4 其他寬帶隙材料薄膜的場發(fā)射
　3.8.5 存在的問題
　參考文獻(xiàn)
第4章 碳基薄膜材料
　4.1 概述
　4.2 碳的價(jià)鍵結(jié)構(gòu)
　4.2.1 碳的價(jià)鍵結(jié)構(gòu)
　4.2.2 碳的同素異構(gòu)體
　4.3 富勒烯薄膜材料
　4.3.1 碳富勒烯的結(jié)構(gòu)
　4.3.2 C60富勒烯薄膜的表征
　4.3.3 C60富勒烯薄膜的制備
　4.3.4 富勒烯的性質(zhì)
　4.3.5 C60富勒烯薄膜在有機(jī)電致發(fā)光器件中的應(yīng)用
　4.3.6 C60單電子管
　4.4 碳納米管薄膜材料
　4.4.1 碳納米管的結(jié)構(gòu)
　4.4.2 碳納米管的性質(zhì)
　4.4.3 碳納米管薄膜的制備方法
　4.4.4 取向生長碳納米管薄膜的制備及場致電子發(fā)射特性
　4.4.5 單壁碳納米管三極管
　4.5 石墨烯薄膜材料
　4.5.1 石墨烯的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)
　4.5.2 石墨烯薄膜的制備與表征方法
　4.5.3 氧化石墨還原法制備石墨烯薄膜
　4.5.4 化學(xué)氣相沉積法制備石墨烯
　4.5.5 功能化石墨烯的應(yīng)用
　4.5.6 石墨烯場效應(yīng)管
　參考文獻(xiàn)
第5章 硫系及其他多元化合物薄膜
　5.1 概述
　5.2 硫系化合物半導(dǎo)體
　5.2.1 硫系化合物半導(dǎo)體材料的形成能力
　5.2.2 硫系化合物材料的制備方法
　5.2.3 硫系化合物摻雜的特點(diǎn)
　5.2.4 硫系非晶態(tài)半導(dǎo)體的電學(xué)性質(zhì)
　5.2.5 硫系半導(dǎo)體的光致結(jié)構(gòu)變化效應(yīng)
　5.3 薄膜靜電成像——復(fù)印鼓
　5.3.1 靜電成像原理
　5.3.2 靜電成像的基本過程
　5.3.3 薄膜靜電成像的材料
　5.3.4 復(fù)印機(jī)
　5.4 納米Sn太陽能吸熱膜
　5.4.1 太陽能吸熱膜的基本原理
　5.4.2 納米Sn吸熱膜的制備方法和特性
　參考文獻(xiàn)
第6章 薄膜太陽能電池材料
　6.1 概述
　6.2 a?Si∶H太陽能電池
　6.2.1 單晶太陽能電池與非晶硅太陽能電池的優(yōu)缺點(diǎn)
　6.2.2 a?Si∶H太陽能電池的工作原理和參數(shù)
　6.2.3 a?Si∶H太陽能電池的結(jié)構(gòu)和性能
　6.2.4 a?Si∶H太陽能電池的制造
　6.2.5 提高a?Si∶H太陽能電池效率和降低成本的一些措施
　6.2.6 a?Si∶H薄膜太陽能電池的研究進(jìn)展
　6.2.7 其他硅基薄膜太陽能電池
　6.3 第ⅢA～ⅤA族化合物太陽能電池
　6.3.1 第ⅢA～ⅤA族化合物材料
　6.3.2 第ⅢA～ⅤA族化合物太陽能電池
　6.3.3 第ⅢA～ⅤA族化合物太陽能電池的發(fā)展趨勢
　6.4 聚光太陽能電池
　6.4.1 聚光太陽能電池的優(yōu)勢
　6.4.2 多結(jié)太陽能電池在聚光光伏中的應(yīng)用
　6.4.3 聚光光伏系統(tǒng)的發(fā)展
　6.5 CdTe太陽能電池
　6.5.1 多晶薄膜CdTe太陽能電池的出現(xiàn)與發(fā)展
　6.5.2 大面積多晶薄膜CdTe太陽能電池
　6.5.3 CdTe太陽能電池的研究進(jìn)展
　6.6 銅銦硒（CIS）及銅銦鎵硒（CIGS）薄膜太陽能電池
　6.6.1 CIS和CIGS薄膜太陽能電池
　6.6.2 制備CIGS薄膜過程中的摻鎵技術(shù)
　6.6.3 CIGS薄膜太陽能電池的研究進(jìn)展
　6.7 有機(jī)薄膜太陽能電池
　6.7.1 有機(jī)小分子太陽能電池和聚合物太陽能電池
　6.7.2 染料敏化太陽能電池
　6.7.3 有機(jī)太陽能電池能量轉(zhuǎn)化效率（ηp）的研究
　6.7.4 有機(jī)太陽能電池穩(wěn)定性的研究
　參考文獻(xiàn)
第7章 納米薄膜材料與可見光發(fā)射
　7.1 概述
　7.1.1 半導(dǎo)體納米材料的特殊性質(zhì)及研究意義
　7.1.2 半導(dǎo)體量子點(diǎn)
　7.2 發(fā)光機(jī)理及Si發(fā)光面臨的問題
　7.2.1 發(fā)光機(jī)理及發(fā)光類型
　7.2.2 可見發(fā)光材料
　7.2.3 人眼的視感度與LED的視感度
　7.2.4 Si發(fā)光面臨的問題
　7.3 Ge/Si超晶格和量子阱結(jié)構(gòu)材料
　7.3.1 Ge/Si超晶格
　7.3.2 Si/Si-xGex超晶格
　7.3.3 Si/SiO超晶格
　7.4 Ge/SiO2、Si/SiO2納米膜發(fā)光
　7.4.1 Ge納米發(fā)光膜的制備
　7.4.2 Ge納米晶的發(fā)光特性
　7.4.3 Ge納米晶發(fā)光機(jī)理
　7.4.4 硅納米晶激光器初現(xiàn)端倪
　7.5 多孔硅發(fā)光
　7.5.1 多孔硅的結(jié)構(gòu)
　7.5.2 多孔硅的光學(xué)性質(zhì)
　7.5.3 多孔硅的形成機(jī)理
　7.5.4 多孔硅的制作及其鈍化
　7.6 氮化鎵基薄膜材料發(fā)光
　7.6.1 氮化鎵基材料的特點(diǎn)及其應(yīng)用
　7.6.2 氮化鎵基材料的制備
　7.6.3 氮化鎵基器件
　7.7 薄膜發(fā)光顯示器（第ⅡA～ⅥA族化合物）
　7.7.1 薄膜電致發(fā)光顯示器件的制備方法及結(jié)構(gòu)
　7.7.2 薄膜電致發(fā)光的物理過程
　7.7.3 薄膜電致發(fā)光材料
　7.7.4 薄膜電致發(fā)光器件
　7.8 硅中摻鉺的發(fā)光特性及機(jī)理
　7.8.1 鉺在Si中的原子構(gòu)型
　7.8.2 鉺在Si中的電子態(tài)
　7.8.3 摻鉺硅的發(fā)光機(jī)理
　7.8.4 摻鉺硅發(fā)光管與Si集成電路的集成
　7.9 ZnO量子點(diǎn)——半導(dǎo)體激光器新材料
　7.9.1 ZnSe基激光器存在的問題
　7.9.2 ZnO材料的基本特性
　7.9.3 ZnO的外延生長
　7.9.4 ZnO量子點(diǎn)的光學(xué)特性
　參考文獻(xiàn)
第8章 介質(zhì)薄膜材料
　8.1 概述
　8.2 電介質(zhì)薄膜及應(yīng)用
　8.2.1 氧化物電介質(zhì)薄膜的制備及應(yīng)用
　8.2.2 低介電常數(shù)含氟氧化硅薄膜
　8.3 鐵電薄膜及應(yīng)用
　8.3.1 鐵電薄膜的結(jié)構(gòu)制備和特性
　8.3.2 鐵電薄膜的應(yīng)用
　8.4 壓電薄膜及應(yīng)用
　8.4.1 壓電薄膜的制造技術(shù)
　8.4.2 壓電薄膜的壓電性能
　8.4.3 壓電薄膜的應(yīng)用
　參考文獻(xiàn)
第9章 高溫超導(dǎo)薄膜材料
　9.1 概述
　9.2 高溫超導(dǎo)薄膜的制備
　9.2.1 對(duì)制膜技術(shù)的要求
　9.2.2 高溫超導(dǎo)薄膜的制備方法
　9.2.3 阻擋層技術(shù)
　9.3 高溫超導(dǎo)薄膜材料的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)
　9.3.1 高溫超導(dǎo)薄膜材料的結(jié)構(gòu)
　9.3.2 高溫超導(dǎo)薄膜材料的性質(zhì)
　9.4 高溫超導(dǎo)薄膜材料的應(yīng)用
　9.4.1 概述
　9.4.2 高溫超導(dǎo)約瑟夫森結(jié)技術(shù)及其應(yīng)用
　9.4.3 高溫超導(dǎo)探測器的研究進(jìn)展與應(yīng)用前景
　9.4.4 高溫超導(dǎo)薄膜無源器件及應(yīng)用
　參考文獻(xiàn)
第10章巨磁阻薄膜材料
　10.1概述
　10.2磁性多層膜的巨磁阻效應(yīng)
　10.2.1GMR效應(yīng)的發(fā)現(xiàn)和簡單原理
　10.2.2GMR及層間耦合的振蕩現(xiàn)象
　10.2.3GMR與多層膜結(jié)構(gòu)的依賴關(guān)系
　10.2.4GMR材料的應(yīng)用
　10.3顆粒膜的巨磁阻效應(yīng)
　10.3.1顆粒膜及其制備
　10.3.2顆粒膜的巨磁電阻效應(yīng)
　10.3.3間斷膜和混合膜的巨磁電阻效應(yīng)
　10.4自旋閥多層膜的巨磁阻效應(yīng)
　10.4.1自旋閥多層結(jié)構(gòu)和巨磁阻效應(yīng)
　10.4.2磁控濺射法制備自旋閥多層膜
　10.5摻雜稀土錳氧化物的巨磁電阻效應(yīng)
　10.5.1摻雜稀土錳氧化物的巨磁電阻效應(yīng)
　10.5.2摻雜稀土錳氧化物材料的結(jié)構(gòu)和早期的研究結(jié)果
　10.5.3錳氧化物的巨磁電阻機(jī)制的研究
　參考文獻(xiàn)2
第11章其他薄膜材料
　11.1概述
　11.2超晶格和量子阱薄膜材料
　11.2.1超晶格概念的提出、發(fā)展及其意義
　11.2.2不同類型的半導(dǎo)體超晶格材料及其主要特征
　11.2.3半導(dǎo)體超晶格材料的生長技術(shù)
　11.2.4超晶格微結(jié)構(gòu)材料的主要性能及應(yīng)用
　11.3有機(jī)電致發(fā)光薄膜
　11.3.1有機(jī)電致發(fā)光的特點(diǎn)
　11.3.2器件的結(jié)構(gòu)和制備
　11.3.3有機(jī)電致發(fā)光膜材料
　11.3.4藍(lán)色有機(jī)電致發(fā)光
　11.4透明導(dǎo)電膜及其在電子工業(yè)方面的應(yīng)用
　11.4.1透明導(dǎo)電膜的種類與特性
　11.4.2透明導(dǎo)電膜的制備方法
　11.4.3透明導(dǎo)電膜的用途
　11.5窄帶隙紅外光導(dǎo)薄膜材料（HgCdTe）
　11.5.1紅外探測器與HgCdTe
　11.5.2HgCdTe薄膜材料的制備方法和特性
　11.6變色薄膜材料
　11.6.1電致變色膜
　11.6.2光學(xué)變色膜
　11.6.3熱致變色膜
　11.7防偽技術(shù)和光學(xué)防偽膜
　11.7.1防偽技術(shù)的現(xiàn)狀與薄膜防偽技術(shù)的發(fā)展
　11.7.2光學(xué)防偽膜的基本原理
　11.7.3整膜防偽膜的設(shè)計(jì)與工藝
　11.7.4碎膜防偽技術(shù)要點(diǎn)
　11.7.5防偽膜防偽效果的加強(qiáng)
　參考文獻(xiàn)
第12章薄膜制備的新技術(shù)和檢測手段
　12.1概述
　12.2濺射法
　12.2.1基本原理
　12.2.2射頻濺射
　12.2.3磁控濺射
　12.3微波電子回旋共振化學(xué)氣相沉積法
　12.3.1原理
　12.3.2特點(diǎn)
　12.3.3系統(tǒng)
　12.4分子束外延法
　12.4.1基本概念
　12.4.2生長原理及方法
　12.4.3生長特點(diǎn)
　12.5金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法
　12.5.1原理
　12.5.2制膜系統(tǒng)
　12.5.3特點(diǎn)
　12.6直流電弧等離子體噴射化學(xué)氣相淀積法
　12.7溶膠?凝膠法
　12.7.1概述
　12.7.2溶膠?凝膠方法制備薄膜工藝
　12.8電沉積法
　12.8.1概述
　12.8.2特點(diǎn)
　12.9脈沖激光沉積法
　12.9.1基本原理及物理過程
　12.9.2特點(diǎn)
　12.10觸媒化學(xué)氣相沉積法
　12.11薄膜檢測手段
　12.11.1薄膜厚度測量
　12.11.2掃描電子顯微鏡分析
　12.11.3原子力顯微鏡分析
　12.11.4X射線衍射（XRD）分析
　12.11.5傅里葉變換紅外光譜分析
　12.11.6激光拉曼光譜（Raman）分析
　12.11.7X射線光電子能譜分析
　12.11.8俄歇電子能譜分析
　12.11.9二次離子質(zhì)譜分析
　12.11.1盧瑟福背散射分析
　參考文獻(xiàn)
　　

編輯推薦

　　《新型電子薄膜材料（第2版）》既可作為相關(guān)專業(yè)高年級(jí)大學(xué)生及研究生的教學(xué)參考書，也可供廣大從事薄膜科學(xué)與技術(shù)的工程技術(shù)人員、科技工作者參考。

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