半導(dǎo)體硅材料基礎(chǔ)

內(nèi)容概要

　  《太陽能光伏產(chǎn)業(yè)：半導(dǎo)體硅材料基礎(chǔ)（第2版）》共分12章，較全面地講述了有關(guān)硅材料的基本知識。內(nèi)容包括硅材料的發(fā)展史與當(dāng)前的市場狀況；半導(dǎo)體材料的基本性質(zhì)；晶體結(jié)構(gòu)及其結(jié)構(gòu)缺陷；能帶理論的基本知識；pn結(jié)和金屬半導(dǎo)體接觸的特性；硅材料的制備；化合物半導(dǎo)體材料的基本特性及用途；硅材料的加工。重點(diǎn)講述了制備高純多晶硅的三氯氫硅氫還原法，制備硅單晶的直拉法和澆鑄多晶硅的制備方法以及雜質(zhì)在硅中的特性；砷化鎵材料的特性和制取方法。 《太陽能光伏產(chǎn)業(yè)：半導(dǎo)體硅材料基礎(chǔ)（第2版）》易懂、實(shí)用，可作為本科和高職院校硅材料技術(shù)專業(yè)的教材和從事硅材料生產(chǎn)的技術(shù)工人的培訓(xùn)教材，也可供相關(guān)專業(yè)工程技術(shù)人員學(xué)習(xí)參考。

書籍目錄

第1章 概論1.1 硅材料工業(yè)的發(fā)展1.2 半導(dǎo)體市場及發(fā)展1.3 中國新建、擴(kuò)建多晶硅廠應(yīng)注意的問題本章小結(jié)習(xí)題第2章 半導(dǎo)體材料的基本性質(zhì)2.1 半導(dǎo)體材料的分類及性質(zhì)2.2 硅的物理化學(xué)性質(zhì)2.3 硅材料的純度及多晶硅標(biāo)準(zhǔn)本章小結(jié)習(xí)題第3章 晶體幾何學(xué)基礎(chǔ)3.1 晶體結(jié)構(gòu)3.2 晶向指數(shù)3.3 晶面指數(shù)3.4 立方晶體3.5 金剛石和硅晶體結(jié)構(gòu)3.6 倒格子本章小結(jié)習(xí)題第4章 晶體缺陷4.1 點(diǎn)缺陷4.2 線缺陷4.3 面缺陷4.4 體缺陷本章小結(jié)習(xí)題第5章 能帶理論基礎(chǔ)5.1 能帶理論的引入5.2 半導(dǎo)體中的載流子5.3 雜質(zhì)能級5.4 缺陷能級5.5 直接能隙與間接能隙5.6 熱平衡下的載流子本章小結(jié)習(xí)題第6章 pn結(jié)6.1 pn結(jié)的形成6.2 pn結(jié)的制備6.3 pn結(jié)的能帶結(jié)構(gòu)6.4 pn結(jié)的特性本章小結(jié)習(xí)題第7章 金屬?半導(dǎo)體接觸和MIS結(jié)構(gòu)7.1 金屬?半導(dǎo)體接觸7.2 歐姆接觸7.3 金屬?絕緣層.半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)（MIS）本章小結(jié)習(xí)題第8章 多晶硅材料的制取8.1 冶金級硅材料的制取8.2 高純多晶硅的制取8.3 太陽能級多晶硅的制取本章小結(jié)習(xí)題第9章 單晶硅的制備9.1 結(jié)晶學(xué)基礎(chǔ)9.2 晶核的形成9.3 區(qū)熔法9.4 直拉法9.5 雜質(zhì)分凝和氧污染9.6 直拉硅中的碳9.7 直拉硅中的金屬雜質(zhì)9.8 磁拉法9.9 CCz法本章小結(jié)習(xí)題第10章 其他形態(tài)的硅材料10.1 鑄造多晶硅10.2 帶狀硅材料10.3 非晶硅薄膜10.4 多晶硅薄膜本章小結(jié)習(xí)題第11章 化合物半導(dǎo)體材料11.1 化合物半導(dǎo)體材料特性11.2 砷化鎵（GaAs）本章小結(jié)習(xí)題第12章 硅材料的加工12.1 切去頭尾12.2 外徑滾磨12.3 磨定位面（槽）12.4 切片12.5 倒角（或稱圓邊）12.6 研磨12.7 腐蝕12.8 拋光12.9 清洗本章小結(jié)習(xí)題附錄附錄A 常用物理量附錄B 一些雜質(zhì)元素在硅中的平衡分凝系數(shù)、溶解度附錄C 真空中清潔表面的金屬功函數(shù)與原子序數(shù)的關(guān)系附錄D 主要半導(dǎo)體材料的二元相圖參考文獻(xiàn)

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