硅片加工技術(shù)

內(nèi)容概要

　　本書在介紹半導(dǎo)體硅的物理、化學(xué)和半導(dǎo)體性質(zhì)的基礎(chǔ)上，全面。系統(tǒng)地介紹了滿足集成電路芯片工藝特征尺寸線寬0.13-0.10umIC工藝用優(yōu)質(zhì)大直徑硅單晶、拋光片以及用于制備硅太陽能電池的硅晶片的制備技術(shù)、工藝、設(shè)備和相關(guān)國內(nèi)外標(biāo)準(zhǔn)?！?　　本書可供致力于從事半導(dǎo)體材料硅晶片加工技術(shù)工作領(lǐng)域的科技人員、工程技術(shù)人員、工人閱讀參考，也可供企業(yè)管理人員或在校學(xué)生和熱愛半導(dǎo)體材料硅的各界人士參考。

書籍目錄

第一篇　基礎(chǔ)知識第1章　概述第2章　硅的物理、化學(xué)及其半導(dǎo)體性質(zhì)2.1　硅的基本物理、化學(xué)性質(zhì)2.2　半導(dǎo)體硅的物理、化學(xué)性質(zhì)2.2.1　半導(dǎo)體硅的晶體結(jié)構(gòu)2.2.2　半導(dǎo)體硅的電學(xué)性質(zhì)2.2.3　半導(dǎo)體硅的光學(xué)性質(zhì)2.2.4　半導(dǎo)體硅的熱學(xué)性質(zhì)2.2.5　半導(dǎo)體硅的力學(xué)性能2.2.6　半導(dǎo)體硅的化學(xué)性質(zhì)2.2.7　半導(dǎo)體材料的p-n結(jié)特性第二篇　集成電路用硅晶片的制備第3章　硅晶片的制備3.1　對集成電路（IC）用硅單晶、拋光片的技術(shù)要求3.2　半導(dǎo)體材料的純度3.3　控制硅片質(zhì)量的主要特征參數(shù)及有關(guān)專用技術(shù)術(shù)語解釋3.3.1　表征硅片加工前的內(nèi)在質(zhì)量的特性參數(shù)3.3.2　表征硅片加工后的幾何尺寸精度的特性參數(shù)3.3.3　硅片質(zhì)量控制中幾個有關(guān)專用技術(shù)術(shù)語3.4　硅晶片加工的工藝流程3.5　硅單晶棒（錠）的制備3.5.1　直拉單晶硅的生長3.5.2　區(qū)熔硅單晶的生長3.6　硅晶棒（錠）的截斷3.7　硅單晶棒外圓的滾磨（圓）磨削3.8　硅單晶片定位面加工3.9　硅單晶棒表面的腐蝕3.10　硅切片3.11　硅片倒角3.12　硅片的雙面研磨或硅片的表面磨削3.13　硅片的化學(xué)腐蝕3.14　硅片的表面處理3.14.1　硅片表面的熱處理3.14.2　硅片背表面的增強(qiáng)吸除處理3.15　硅片的邊緣拋光3.16　硅片的表面拋光3.16.1　硅片的表面拋光加工工藝3.16.2　硅片的堿性膠體二氧化硅化學(xué)機(jī)械拋光原理3.16.3　硅片的多段加壓單面拋光工藝3.16.4　拋光液3.16.5　拋光布3.16.6　硅片表面的粗拋光3.16.7　硅片表面的細(xì)拋光3.16.8　硅片表面的最終拋光3.17　硅片的激光刻碼3.18　硅片的化學(xué)清洗3.18.1　硅片的化學(xué)清洗工藝原理3.18.2　美國RCA清洗技術(shù)3.18.3　新的清洗技術(shù)3.18.4　使用不同清洗系統(tǒng)對拋光片進(jìn)行清洗3.18.5　拋光片清洗系統(tǒng)中硅片的脫水、干燥技術(shù)3.19　硅拋光片的潔凈包裝3.20　硅片包裝盒及硅片的運(yùn)、載花籃、容器清洗系統(tǒng)3.20.1　硅片包裝盒及硅片的運(yùn)、載花籃、容器清洗系統(tǒng)3.20.2　硅片運(yùn)、載系統(tǒng)其他相關(guān)的工裝用具第4章　其他的硅晶片4.1　硅外延片4.1.1　外延的種類4.1.2　外延的制備方法4.1.3　化學(xué)汽相外延原理4.1.4　硅外延系統(tǒng)4.2　硅鍺材料4.3　硅退火片4.4　絕緣層上的硅第5章　硅單晶、拋光片的測試5.1　硅片主要機(jī)械加工參數(shù)的測量5.2　硅單晶棒或晶片的晶向測量5.3　導(dǎo)電類型（導(dǎo)電型號）的測量5.4　電阻率及載流子濃度的測量5.5　少子壽命測量5.6　氧、碳濃度測量5.7　硅的晶體缺陷測量5.8　電子顯微鏡和其他超微量的分析技術(shù)第三篇　太陽能電池產(chǎn)業(yè)用硅晶片的制備第6章　太陽能電池用硅晶片基礎(chǔ)知識6.1　太陽能光電轉(zhuǎn)換原理——光生伏特效應(yīng)6.2　太陽能電池晶片的主要技術(shù)參數(shù)6.3　太陽能光伏產(chǎn)業(yè)用硅系晶體材料6.3.1　直拉單晶硅棒（錠）6.3.2　鑄造多晶硅（錠）6.4　晶體硅太陽能電池晶片的結(jié)構(gòu)第7章　太陽能電池用硅晶片的制備技術(shù)7.1　太陽能電池產(chǎn)業(yè)用硅晶片的技術(shù)要求7.2　太陽能電池用硅晶片的加工工藝流程7.3　太陽電池用的硅晶片的加工過程7.4　太陽電池用的硅晶片的加工技術(shù)7.5　太陽電池組件裝置的生產(chǎn)工藝過程7.6　太陽能電池的應(yīng)用第四篇　半導(dǎo)體硅晶片加工廠的廠務(wù)系統(tǒng)要求第8章　潔凈室技術(shù)8.1　潔凈室空氣潔凈度等級及標(biāo)準(zhǔn)8.2　潔凈室在半導(dǎo)體工業(yè)中適用范圍8.3　潔凈室的設(shè)計8.4　潔凈室的維護(hù)及管理第9章　半導(dǎo)體工廠的動力供給系統(tǒng)9.1　電力供給系統(tǒng)9.2　超純水系統(tǒng)9.2.1　半導(dǎo)體及IC工業(yè)對超純水的技術(shù)要求9.2.2　超純水的制備9.3　高純化學(xué)試劑及高純氣體9.3.1　半導(dǎo)體工業(yè)用的高純化學(xué)試劑9.3.2　高純氣體9.4　三廢（廢水、廢氣、廢物）處理系統(tǒng)及相關(guān)安全防務(wù)系統(tǒng)參考文獻(xiàn)

章節(jié)摘錄

　　第二篇　集成電路用硅晶片的制備　　第3章　硅晶片的制備　　3.3 控制硅片質(zhì)量的主要特征參數(shù)及有關(guān)專用技術(shù)術(shù)語解釋　　硅片的各項質(zhì)量特性參數(shù)可以說是互相關(guān)聯(lián)的，它是一項綜合影響的技術(shù)、質(zhì)量特征指標(biāo)，它直接反映出硅片的內(nèi)在和表面加工質(zhì)量?！　⊥ǔ？刂乒杵|(zhì)量的主要特征參數(shù)包括表征硅片加工前的內(nèi)在質(zhì)量的特性參數(shù)和表征硅片加工后的幾何尺寸精度的特性參數(shù)：例如硅片的結(jié)晶學(xué)參數(shù)、電學(xué)參數(shù)、機(jī)械幾何尺寸參數(shù)和表面潔凈度及表面金屬離子沾污、含量等?！　?.3.1 表征硅片加工前的內(nèi)在質(zhì)量的特性參數(shù)　?。?）硅片的結(jié)晶學(xué)參數(shù)氧及碳含量、晶向和各種缺陷（位錯、氧化誘生堆垛層錯、晶體的原生缺陷——COP缺陷等）。雖說各種缺陷主要取決于晶體生長本身的結(jié)晶完整性，但有些也是與其加工有關(guān)。硅片在不同加工工序過程中，還是可重新引入相關(guān)的微缺陷?！　。?）硅片的電學(xué)參數(shù)導(dǎo)電型號、電阻率、電阻率均勻性、壽命等。這些參數(shù)在一定條件下，主要取決于晶體生長的質(zhì)量。硅片加工過程中一般是無法改變它本身的電學(xué)參數(shù)?！　?.3.2 表征硅片加工后的幾何尺寸精度的特性參數(shù)　　硅片表面的機(jī)械幾何加工尺寸參數(shù)和表面狀態(tài)質(zhì)量參數(shù)等取決于硅片的加工工藝、技術(shù)水平。

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