模擬電路版圖的藝術

前言

　　第二版前言　　我最初撰寫“模擬電路的版圖藝術”是用于一系列講座。很多人鼓勵我將其出版。剛開始我有點猶豫，因為我認為它的讀者非常有限。出版之后證明了我的擔心毫無根據。令我驚訝的是，“模擬電路的版圖藝術”居然被翻譯成了中文！　　過去的幾年時間提醒我第一版存在的局限性，并且促成了一次全面的修訂。每一章都經過了檢查和校正。還加入了很多新內容，并伴隨約50個新的圖例。第二版介紹的新內容包括如下：　　·先進金屬化系統(tǒng)　　·介質隔離　　·MOS晶體管的失效機制　　·集成電感　　·MOS安全工作區(qū)　　·非易失性存儲器　　在準備本書第二版期間，我從德州儀器的同事身上汲取了大量的經驗和智慧。同時我還不斷參閱IEEEXplore網站的可用資源，尤其是IEEEJournal of Electron Devices上的文獻。我要向所有幫助我理解或糾正了我很多錯誤的人們表示感謝。如此長時間大強度的工作無法做到完美，但是第二版確實比第一版有很大的進步。

內容概要

　　《國外電子與通信教材系列：模擬電路版圖的藝術（第2版）（英文版）》以實用和權威性的觀點全面論述了模擬集成電路版圖設計中所涉及的各種問題及目前的最新研究成果。書中介紹了半導體器件物理與工藝、失效機理等內容；基于模擬集成電路設計所采用的3種基本工藝：標準雙極工藝、多晶硅柵CMOS工藝和模擬BiCMOS工藝，重點探討了無源器件的設計與匹配性問題，二極管設計，雙極型晶體管和場效應晶體管的設計與應用，以及某些專門領域的內容，包括器件合并、保護環(huán)、焊盤制作、單層連接、ESD結構等；最后介紹了有關芯片版圖的布局布線知識。

書籍目錄

第1章 器件物理1.1 半導體1.2 PN結1.3 雙極型晶體管1.4 MOS晶體管1.5 JFET晶體管1.6 小結1.7 習題第2章 半導體制造2.1 硅制造2.2 光刻技術2.3 氧化物生長和去除2.4 擴散和離子注入2.5 硅淀積和刻蝕2.6 金屬化2.7 組裝2.8 小結2.9 習題第3章 典型工藝3.1 標準雙極工藝3.2 多晶硅柵CMOS工藝3.3 模擬BiCMOS3.4 小結3.5 習題第4章 失效機制4.1 電過應力4.2 玷污4.3 表面效應4.4 寄生效應4.5 小結4.6 習題第5章 電阻5.1 電阻率和方塊電阻（薄層電阻）5.2 電阻版圖5.3 電阻變化5.4 電阻的寄生效應5.5 不同電阻類型的比較5.6 調整電阻阻值5.7 小結5.8 習題第6章 電容和電感6.1 電容6.2 電感6.3 小結6.4 習題第7章 電阻和電容的匹配7.1 失配的測量7.2 失配的原因7.3 器件匹配規(guī)則7.4 小結7.5 習題第8章 雙極型晶體管8.1 雙極型晶體管的工作原理8.2 標準雙極型小信號晶體管8.3 CMOS和BiCMOS工藝小信號雙極型晶體管8.4 小結8.5 習題第9章 雙極型晶體管的應用9.1 功率雙極型晶體管9.2 雙極型晶體管匹配9.3 雙極型晶體管匹配設計規(guī)則9.4 小結9.5 習題第10章 二極管10.1 標準雙極工藝二極管10.2 CMOS和BiCMOS工藝二極管10.3 匹配二極管10.4 小結10.5 習題第11章 場效應晶體管11.1 MOS晶體管的工作原理11.2 構造CMOS晶體管11.3 浮柵晶體管11.4 JFET晶體管11.5 小結11.6 習題第12章 MOS晶體管的應用12.1 擴展電壓晶體管12.2 功率MOS晶體管12.3 MOS晶體管的匹配12.4 MOS晶體管的匹配規(guī)則12.5 小結12.6 習題第13章 一些專題13.1 合并器件13.2 保護環(huán)13.3 單層互連13.4 構建焊盤環(huán)13.5 ESD結構13.6 習題第14章 組裝管芯14.1 規(guī)劃管芯14.2 布局14.3 頂層互連14.4 小結14.5 習題附錄A 縮寫詞匯表附錄B 立方晶體的米勒指數附錄C 版圖規(guī)則實例附錄D 數學推導附錄E 版圖編輯軟件的出處

圖書封面

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