出版時(shí)間:2013-1 出版社:電子工業(yè)出版社 作者:黑斯廷斯 頁數(shù):664
前言
第二版前言 我最初撰寫“模擬電路的版圖藝術(shù)”是用于一系列講座。很多人鼓勵(lì)我將其出版。剛開始我有點(diǎn)猶豫,因?yàn)槲艺J(rèn)為它的讀者非常有限。出版之后證明了我的擔(dān)心毫無根據(jù)。令我驚訝的是,“模擬電路的版圖藝術(shù)”居然被翻譯成了中文! 過去的幾年時(shí)間提醒我第一版存在的局限性,并且促成了一次全面的修訂。每一章都經(jīng)過了檢查和校正。還加入了很多新內(nèi)容,并伴隨約50個(gè)新的圖例。第二版介紹的新內(nèi)容包括如下: ·先進(jìn)金屬化系統(tǒng) ·介質(zhì)隔離 ·MOS晶體管的失效機(jī)制 ·集成電感 ·MOS安全工作區(qū) ·非易失性存儲(chǔ)器 在準(zhǔn)備本書第二版期間,我從德州儀器的同事身上汲取了大量的經(jīng)驗(yàn)和智慧。同時(shí)我還不斷參閱IEEEXplore網(wǎng)站的可用資源,尤其是IEEEJournal of Electron Devices上的文獻(xiàn)。我要向所有幫助我理解或糾正了我很多錯(cuò)誤的人們表示感謝。如此長時(shí)間大強(qiáng)度的工作無法做到完美,但是第二版確實(shí)比第一版有很大的進(jìn)步。
內(nèi)容概要
《國外電子與通信教材系列:模擬電路版圖的藝術(shù)(第2版)(英文版)》以實(shí)用和權(quán)威性的觀點(diǎn)全面論述了模擬集成電路版圖設(shè)計(jì)中所涉及的各種問題及目前的最新研究成果。書中介紹了半導(dǎo)體器件物理與工藝、失效機(jī)理等內(nèi)容;基于模擬集成電路設(shè)計(jì)所采用的3種基本工藝:標(biāo)準(zhǔn)雙極工藝、多晶硅柵CMOS工藝和模擬BiCMOS工藝,重點(diǎn)探討了無源器件的設(shè)計(jì)與匹配性問題,二極管設(shè)計(jì),雙極型晶體管和場效應(yīng)晶體管的設(shè)計(jì)與應(yīng)用,以及某些專門領(lǐng)域的內(nèi)容,包括器件合并、保護(hù)環(huán)、焊盤制作、單層連接、ESD結(jié)構(gòu)等;最后介紹了有關(guān)芯片版圖的布局布線知識(shí)。
書籍目錄
第1章 器件物理1.1 半導(dǎo)體1.2 PN結(jié)1.3 雙極型晶體管1.4 MOS晶體管1.5 JFET晶體管1.6 小結(jié)1.7 習(xí)題第2章 半導(dǎo)體制造2.1 硅制造2.2 光刻技術(shù)2.3 氧化物生長和去除2.4 擴(kuò)散和離子注入2.5 硅淀積和刻蝕2.6 金屬化2.7 組裝2.8 小結(jié)2.9 習(xí)題第3章 典型工藝3.1 標(biāo)準(zhǔn)雙極工藝3.2 多晶硅柵CMOS工藝3.3 模擬BiCMOS3.4 小結(jié)3.5 習(xí)題第4章 失效機(jī)制4.1 電過應(yīng)力4.2 玷污4.3 表面效應(yīng)4.4 寄生效應(yīng)4.5 小結(jié)4.6 習(xí)題第5章 電阻5.1 電阻率和方塊電阻(薄層電阻)5.2 電阻版圖5.3 電阻變化5.4 電阻的寄生效應(yīng)5.5 不同電阻類型的比較5.6 調(diào)整電阻阻值5.7 小結(jié)5.8 習(xí)題第6章 電容和電感6.1 電容6.2 電感6.3 小結(jié)6.4 習(xí)題第7章 電阻和電容的匹配7.1 失配的測量7.2 失配的原因7.3 器件匹配規(guī)則7.4 小結(jié)7.5 習(xí)題第8章 雙極型晶體管8.1 雙極型晶體管的工作原理8.2 標(biāo)準(zhǔn)雙極型小信號(hào)晶體管8.3 CMOS和BiCMOS工藝小信號(hào)雙極型晶體管8.4 小結(jié)8.5 習(xí)題第9章 雙極型晶體管的應(yīng)用9.1 功率雙極型晶體管9.2 雙極型晶體管匹配9.3 雙極型晶體管匹配設(shè)計(jì)規(guī)則9.4 小結(jié)9.5 習(xí)題第10章 二極管10.1 標(biāo)準(zhǔn)雙極工藝二極管10.2 CMOS和BiCMOS工藝二極管10.3 匹配二極管10.4 小結(jié)10.5 習(xí)題第11章 場效應(yīng)晶體管11.1 MOS晶體管的工作原理11.2 構(gòu)造CMOS晶體管11.3 浮柵晶體管11.4 JFET晶體管11.5 小結(jié)11.6 習(xí)題第12章 MOS晶體管的應(yīng)用12.1 擴(kuò)展電壓晶體管12.2 功率MOS晶體管12.3 MOS晶體管的匹配12.4 MOS晶體管的匹配規(guī)則12.5 小結(jié)12.6 習(xí)題第13章 一些專題13.1 合并器件13.2 保護(hù)環(huán)13.3 單層互連13.4 構(gòu)建焊盤環(huán)13.5 ESD結(jié)構(gòu)13.6 習(xí)題第14章 組裝管芯14.1 規(guī)劃管芯14.2 布局14.3 頂層互連14.4 小結(jié)14.5 習(xí)題附錄A 縮寫詞匯表附錄B 立方晶體的米勒指數(shù)附錄C 版圖規(guī)則實(shí)例附錄D 數(shù)學(xué)推導(dǎo)附錄E 版圖編輯軟件的出處
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