現(xiàn)代集成電路半導(dǎo)體器件

內(nèi)容概要

胡正明編著的《現(xiàn)代集成電路半導(dǎo)體器件》系統(tǒng)介紹了現(xiàn)代集成電路中的半導(dǎo)體器件，是一本深入闡述半導(dǎo)體器件的物理機(jī)制和工作原理并與實踐相結(jié)合的教材。本書沒有按電子器件、光電子器件、微波器件等通常的分類形式，而是強(qiáng)調(diào)了不同半導(dǎo)體器件中的共性，集中介紹了PN結(jié)、金屬半導(dǎo)體接觸、雙極型晶體管和MOSFET等幾個基本器件的結(jié)構(gòu)和理論，在此基礎(chǔ)上引入了其他重要的半導(dǎo)體器件，
如太陽能電池、LED、二極管激光器、CCD和 CMOS圖像傳感器、HEMT器件和存儲器等。
《現(xiàn)代集成電路半導(dǎo)體器件》可作為高等學(xué)校微電子專業(yè)本科生相應(yīng)課程的教科書或參考書，也可供在相關(guān)領(lǐng)域工作的專業(yè)技術(shù)人員參考。

書籍目錄

第1章  半導(dǎo)體中的電子和空穴
  1.1  硅的晶體結(jié)構(gòu)
  1.2  電子和空穴的成鍵模型
  1.3  能帶模型
  1.4  半導(dǎo)體、絕緣體和導(dǎo)體
  1.5  電子和空穴
  1.6  態(tài)密度
  1.7  熱平衡與Fermi函數(shù)
  1.8  電子和空穴的濃度
  1.9  n和p的通用理論
  1.10  在極端溫度下的載流子濃度
  1.11  本章小結(jié)
  習(xí)題
  參考文獻(xiàn)
  相關(guān)閱讀資料
第2章  電子和空穴的運動與復(fù)合
  2.1  熱運動
  2.2  漂移
  2.3  擴(kuò)散電流
  2.4  能帶圖與V、的關(guān)系
  2.5  D和μ之間的愛因斯坦關(guān)系
  2.6  電子空穴復(fù)合
  2.7  熱產(chǎn)生
  2.8  準(zhǔn)平衡和準(zhǔn)Fermi能級
  2.9  本章小結(jié)
  習(xí)題
  參考文獻(xiàn)
  相關(guān)閱讀資料
第3章  器件制造技術(shù)
  3.1  器件制造簡介
  3.2  硅的氧化
  3.3  光刻
  3.4  圖形轉(zhuǎn)移——刻蝕
  3.5  摻雜
  3.6  摻雜劑的擴(kuò)散
  3.7  薄膜淀積
  3.8  互連——后端工序
  3.9  測試、組裝與合格鑒定
  3.10  本章小結(jié)——一個器件的制造實例
  習(xí)題
  參考文獻(xiàn)
  相關(guān)閱讀資料
第4章  PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié)
第1部分：PN結(jié)
  4.1  PN結(jié)的理論基礎(chǔ)
  4.2  耗盡層模型
  4.3  反偏PN結(jié)
  4.4  電容電壓特性
  4.5  結(jié)擊穿
  4.6  正向偏置時的載流子注入——準(zhǔn)平衡邊界條件
  4.7  電流連續(xù)性方程
  4.8  正偏PN結(jié)中的過剩載流子
  4.9  PN結(jié)二極管的I-V特性
  4.10  電荷存儲
  4.11  二極管的小信號模型
第2部分：PN結(jié)在光電器件中的應(yīng)用
  4.12  太陽能電池
  4.13  發(fā)光二極管和固態(tài)照明
  4.14  二極管激光器
  4.15  光電二極管
第3部分：金屬半導(dǎo)體結(jié)
  4.16  Schottky勢壘
  4.17  熱發(fā)射理論
  4.18  Schottky二極管
  4.19  Schottky二極管的應(yīng)用
  4.20  量子力學(xué)隧道效應(yīng)
  4.21  歐姆接觸
  4.22  本章小結(jié)
  習(xí)題
  參考文獻(xiàn)
  相關(guān)閱讀資料
第5章  MOS電容
  5.1  平帶條件和平帶電壓
  5.2  表面積累
  5.3  表面耗盡
  5.4  閾值電壓
  5.5  高于閾值的強(qiáng)反型
  5.6  MOS結(jié)構(gòu)的C-V特性
  5.7  氧化層電荷——對Vfb和Vt的修正
  5.8  多晶硅柵的耗盡——等效Tox的增大
  5.9  反型層和積累層厚度以及量子力學(xué)效應(yīng)
  5.10  CCD和CMOS成像傳感器
  5.11  本章小結(jié)
  習(xí)題
  參考文獻(xiàn)
  相關(guān)閱讀資料
第6章  MOSFET晶體管
  6.1  MOSFET簡介
  6.2  互補MOS（CMOS）工藝
  6.3  表面遷移率和高遷移率FET
  6.4  MOSFET的Vt， 體效應(yīng)和超陡倒摻雜
  6.5  MOSFET中的Qinv
  6.6  基本MOSFET的電流電壓模型
  6.7  CMOS反相器——電路實例
  6.8  速度飽和
  6.9  速度飽和下的MOSFET的電壓電壓模型
  6.10  寄生源漏電阻
  6.11  串聯(lián)電阻和等效溝道長度的提取
  6.12  速度過沖和源區(qū)速度極限
  6.13  輸出電導(dǎo)
  6.14  高頻性能
  6.15  MOSFET的噪聲
  6.16  SRAM， DRAM和非易失性（FLASH）存儲器件
  6.17本章小結(jié)
  習(xí)題
  參考文獻(xiàn)
  相關(guān)閱讀資料
第7章  IC中的MOSFET——按比例縮小、漏電及其他問題
  7.1  按比例縮小工藝——成本、速度及功耗
  7.2  亞閾值區(qū)電流——“關(guān)”不是完全“關(guān)”
  7.3  Vt下降——短溝MOSFET漏電更多
  7.4  減小柵絕緣層的電學(xué)厚度和隧穿電流
  7.5  如何減小Wdep
  7.6  淺結(jié)及金屬源/漏MOSFET
  7.7  Ion和Ioff之間的折中以及可制造性設(shè)計
  7.8  超薄體SOI及多柵MOSFET
  7.9  輸出電導(dǎo)
  7.10  器件模擬和工藝模擬
  7.11  用于電路模擬的MOSFET集約模型
  7.12  本章小結(jié)
  習(xí)題
  參考文獻(xiàn)
  相關(guān)閱讀資料
第8章  雙極型晶體管
  8.1  雙極型晶體管簡介
  8.2  集電極電流
  8.3  基極電流
  8.4  電流增益
  8.5  由集電極電壓導(dǎo)致的基區(qū)寬度調(diào)制
  8.6  Ebe-Moll模型
  8.7  渡越時間與電荷存儲
  8.8  小信號模型
  8.9  截止頻率
  8.10  電荷控制模型
  8.11  大信號電路模擬模型
  8.12  本章小節(jié)
  習(xí)題
  參考文獻(xiàn)
  相關(guān)閱讀資料
附錄A  態(tài)密度的推導(dǎo)
附錄B  Feimi-Dirac分布函數(shù)的推導(dǎo)
附錄C  少數(shù)載流子假設(shè)的自洽性
部分習(xí)題的答案
索引

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