半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)

內(nèi)容概要

　　《半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)》全面系統(tǒng)地介紹了半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)，內(nèi)容包括半導(dǎo)體芯片制造概述、多晶半導(dǎo)體的制備、單晶半導(dǎo)體的制備、晶圓制備、薄膜制備、金屬有機物化學(xué)氣相沉積、光刻、刻蝕、摻雜及封裝。書中簡要介紹了半導(dǎo)體芯片制造的基本理論基礎(chǔ)，系統(tǒng)介紹了多晶半導(dǎo)體、單晶半導(dǎo)體與晶圓的制備，詳細(xì)介紹了薄膜制備、光刻與刻蝕及摻雜等工藝。由于目前光電產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展，對于化合物半導(dǎo)體的使用越來越多，《半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)》以半導(dǎo)體硅材料芯片制造為主，兼顧化合物半導(dǎo)體材料芯片制造，比如在介紹薄膜制備工藝中，書中用單獨的一章介紹了如何通過金屬有機物化學(xué)氣相沉積來制備化合物半導(dǎo)體材料薄膜。
　　《半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)》針對高職高專學(xué)生的特點，以“實用為主、夠用為度”為原則，系統(tǒng)地介紹了半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)。《半導(dǎo)體芯片制造技術(shù)》可作為微電子、光電子、光伏、電子等相關(guān)專業(yè)高職高專的教材，也可作為相關(guān)專業(yè)學(xué)生和技術(shù)人員的自學(xué)參考用書。

書籍目錄

第1章　半導(dǎo)體芯片制造概述　
　1.1　半導(dǎo)體工業(yè)發(fā)展概述　
　1.2　半導(dǎo)體材料基礎(chǔ)　
　1.2.1　半導(dǎo)體材料的基本性質(zhì)　
　1.2.2　半導(dǎo)體材料分類　
　1.2.3　晶體　
　1.3　半導(dǎo)體生產(chǎn)污染控制　
　1.3.1　污染物的種類　
　1.3.2　污染物引起的問題　
　1.3.3　超凈間的建設(shè)　
　1.3.4　超凈間標(biāo)準(zhǔn)　
　1.3.5　超凈間的維護　
　1.4　純水的制備　
　1.4.1　純水在半導(dǎo)體生產(chǎn)中的應(yīng)用　
　1.4.2　離子交換制備純水　
　1.4.3　水的純度測量　
　小結(jié)　
第2章　多晶半導(dǎo)體的制備　
　2.1　工業(yè)硅的生產(chǎn)　
　2.1.1　硅的簡介　
　2.1.2　工業(yè)硅的制備　
　2.2　三氯氫硅還原制備高純硅　
　2.2.1　原料的制備　
　2.2.2　三氯氫硅的合成及提純　
　2.2.3　三氯氫硅還原　
　2.2.4　還原尾氣干法分離回收　
　2.3　硅烷熱分解法制備高純硅　
　2.3.1　硅烷概述　
　2.3.2　硅烷的制備及提純　
　2.3.3　硅烷熱分解　
　小結(jié)　
第3章　單晶半導(dǎo)體的制備　
　3.1　單晶硅的基本知識　
　3.1.1　晶體的熔化和凝固　
　3.1.2　結(jié)晶過程的宏觀特征　
　3.1.3　結(jié)晶過程熱力學(xué)　
　3.1.4　晶核的形成　
　3.1.5　二維晶核的形成　
　3.1.6　晶體的長大　
　3.2　直拉法制備單晶硅的設(shè)備及材料　
　3.2.1　直拉法制備單晶硅的設(shè)備　
　3.2.2　直拉單晶硅前的材料準(zhǔn)備　
　3.2.3　直拉單晶硅前的材料清潔處理　
　3.3　直拉單晶硅的工藝流程　
　3.3.1　裝爐前的準(zhǔn)備　
　3.3.2　裝爐　
　3.3.3　熔硅　
　3.3.4　引晶　
　3.3.5　縮頸　
　3.3.6　放肩和轉(zhuǎn)肩　
　3.3.7　等徑生長　
　3.3.8　收尾　
　3.3.9　停爐　
　3.4　拉單晶過程中的異常情況及晶棒檢測　
　3.4.1　拉單晶過程中的異常情況　
　3.4.2　晶棒檢測　
　3.4.3　硅晶體中雜質(zhì)的均勻性分析　
　3.5　懸浮區(qū)熔法制備單晶硅　
　3.6　化合物半導(dǎo)體單晶的制備　
　3.6.1　Ⅲ－Ⅴ族化合物半導(dǎo)體單晶的制備　
　3.6.2?、颍鲎寤衔锇雽?dǎo)體單晶的制備　
　小結(jié)　
第4章　晶圓制備　
　4.1　晶圓制備工藝　
　4.1.1　截斷　
　4.1.2　直徑滾磨　
　4.1.3　磨定位面　
　4.1.4　切片　
　4.1.5　磨片　
　4.1.6　倒角　
　4.1.7　拋光　
　4.2　晶圓的清洗、質(zhì)量檢測及包裝　
　4.2.1　晶圓的清洗　
　4.2.2　晶圓的質(zhì)量檢測　
　4.2.3　包裝　
　4.2.4　追求更大直徑晶圓的原因　
　小結(jié)　
第5章　薄膜制備　
　5.1　氧化法制備二氧化硅膜　
　5.1.1　二氧化硅的性質(zhì)　
　5.1.2　二氧化硅的作用　
　5.1.3　熱氧化法制備二氧化硅膜　
　5.1.4　二氧化硅膜的檢測　
　5.2　化學(xué)氣相沉積法制備薄膜　
　5.2.1　化學(xué)氣相沉積概述　
　5.2.2　化學(xué)氣相沉積的主要反應(yīng)類型　
　5.2.3　化學(xué)氣相沉積反應(yīng)的激活能　
　5.2.4　幾種薄膜的CVD制備　
　5.3　物理氣相沉積法制備薄膜　
　5.4　金屬化及平坦化　
　5.4.1　金屬化　
　5.4.2　平坦化　
　小結(jié)　
第6章　金屬有機物化學(xué)氣相沉積　
　6.1　金屬有機物化學(xué)氣相沉積概述　
　6.1.1　金屬有機物化學(xué)氣相沉積簡介　
　6.1.2　金屬有機物化學(xué)氣相沉積反應(yīng)機理　
　6.2　金屬有機物化學(xué)氣相沉積設(shè)備　
　6.2.1　金屬有機物化學(xué)氣相沉積設(shè)備的組成　
　6.2.2　典型設(shè)備的介紹　
　6.3　金屬有機物化學(xué)氣相沉積工藝控制和半導(dǎo)體薄膜的生長　
　6.4　金屬有機物化學(xué)氣相沉積生長的半導(dǎo)體薄膜質(zhì)量檢測　
　6.4.1　X射線衍射　
　6.4.2　光致發(fā)光　
　6.4.3　原子力顯微鏡　
　6.4.4　掃描電子顯微鏡　
　6.4.5　Hall效應(yīng)測試　
　小結(jié)　
第7章　光刻　
　7.1　光刻概述　
　7.1.1　光刻的特點及要求　
　7.1.2　光刻膠　
　7.1.3　光刻板　
　7.1.4　曝光方式　
　7.2　光刻工藝　
　7.2.1　光刻前的晶圓處理　
　7.2.2　涂光刻膠　
　7.2.3　前烘　
　7.2.4　對準(zhǔn)　
　7.2.5　曝光　
　7.2.6　顯影　
　7.2.7　檢查　
　7.2.8　堅膜　
　7.2.9　刻蝕　
　7.2.10　去膠　
　小結(jié)　
第8章　刻蝕　
　8.1　刻蝕技術(shù)概述　
　8.1.1　刻蝕技術(shù)的發(fā)展　
　8.1.2　刻蝕工藝　
　8.1.3　刻蝕參數(shù)　
　8.1.4　超大規(guī)模集成電路對圖形轉(zhuǎn)移的要求　
　8.2　干法刻蝕　
　8.2.1　刻蝕作用　
　8.2.2　電勢分布　
　8.3　等離子體刻蝕　
　8.3.1　等離子體的形成　
　8.3.2　常見薄膜的等離子刻蝕　
　8.3.3　等離子體刻蝕設(shè)備　
　8.4　反應(yīng)離子刻蝕與離子束濺射刻蝕　
　8.4.1　反應(yīng)離子刻蝕　
　8.4.2　離子束濺射刻蝕　
　8.5　濕法刻蝕　
　8.5.1　硅的濕法刻蝕　
　8.5.2　二氧化硅的濕法刻蝕　
　8.5.3　氮化硅的濕法刻蝕　
　8.5.4　鋁的濕法刻蝕　
　小結(jié)　
第9章　摻雜　
　9.1　熱擴散　
　9.1.1　擴散概述　
　9.1.2　擴散形式　
　9.1.3　常用雜質(zhì)的擴散方法　
　9.1.4　雜質(zhì)擴散后結(jié)深和方塊電阻的測量　
　9.2　離子注入技術(shù)　
　9.2.1　離子注入技術(shù)概述　
　9.2.2　離子注入設(shè)備　
　9.2.3　注入離子的濃度分布與退火　
　小結(jié)　
第10章　封裝　
　10.1　封裝概述　
　10.1.1　封裝的作用　
　10.1.2　封裝的分類　
　10.1.3　常見的封裝形式　
　10.2　封裝工藝　
　10.2.1　封裝工藝流程　
　10.2.2　封裝材料　
　10.3　互連方法　
　10.3.1　引線鍵合　
　10.3.2　載帶自動鍵合　
　10.3.3　倒裝芯片　
　10.4　先進封裝方法　
　10.4.1　多芯片組件　
　10.4.2　三維封裝　
　10.4.3　芯片尺寸封裝　
　10.4.4　系統(tǒng)級封裝　
　小結(jié)　
參考文獻

圖書封面

評論、評分、閱讀與下載

---

    半導(dǎo)體芯片制造技術(shù) PDF格式下載

---