微電子器件芯片制造與設(shè)計(jì)

內(nèi)容概要

　　《微電子器件芯片制造與設(shè)計(jì)》以簡潔的語言、明晰的思路系統(tǒng)地介紹了芯片制造技術(shù)和芯片設(shè)計(jì)技術(shù)。教材內(nèi)容分三個項(xiàng)目，內(nèi)容包括：項(xiàng)目一，微電子芯片制造中環(huán)境凈化控制；項(xiàng)目二，微電子芯片制造技術(shù)，其中包含三極管的制造、MOS管的制造、集成電路芯片的制造三個任務(wù)；項(xiàng)目三，微電子芯片的設(shè)計(jì)，其中包含三極管的設(shè)計(jì)、MOS 管的設(shè)計(jì)、集成電路芯片的設(shè)計(jì)三個任務(wù)。

書籍目錄

項(xiàng)目一　微電子芯片制造的凈化控制任務(wù)1-1　廠房凈化控制任務(wù)1-2　微電子芯片生產(chǎn)用水凈化控制任務(wù)1-3　微電子芯片生產(chǎn)設(shè)備污染的凈化控制任務(wù)1-4　微電子芯片制造過程中對人員凈化的控制項(xiàng)目二　微電子器件芯片制造任務(wù)2-1　三極管芯片的制造任務(wù)2-2　MOS晶體管芯片的制造任務(wù)2-3　雙極型集成電路芯片的制造項(xiàng)目三　微電子器件芯片設(shè)計(jì)任務(wù)3-1　三極管芯片的設(shè)計(jì)任務(wù)3-2　MOS管芯片的設(shè)計(jì)任務(wù)3-3　集成電路芯片的設(shè)計(jì)參考文獻(xiàn)

章節(jié)摘錄

　　（2）掩膜的儲存、運(yùn)輸及操作也非常困難。（3）從EUV輻射的殘骸可能會破壞EUV系統(tǒng)的光學(xué)鏡片。（4）反射式光學(xué)系統(tǒng)難以設(shè)計(jì)成大的NA，造成分辨率無法提高。浸入式光刻技術(shù)：浸入式光刻是指在曝光鏡頭和硅片之間充滿水（或其他液體）而不是空氣。它是利用光通過液體介質(zhì)后光源波長縮短來提高光刻分辨率，其縮短的倍率即為液體介質(zhì)的折射率。例如，在193nm光刻機(jī)（水是最佳液體）中，在光源與膠膜之間加入水作為介質(zhì)，水的折射率約為1.4，則波長可縮短為193／1.4=132nm，分辨率可達(dá)65nm。如果放的液體不是水，或者是其他液體，但折射率比1.4高時，那實(shí)際分辨率可以非常方便地再次提高，這也是浸入式光刻技術(shù)能很快普及的原因。但浸入式光刻技術(shù)存在很多挑戰(zhàn)，如對置于水中的硅片和光刻性能帶來的影響、溶液中氣泡的影響、水跡及硅片背面污染等問題、磨料中水吸附如何進(jìn)行CD控制、模樣外形控制等。Nikon獨(dú)創(chuàng)的局部填充技術(shù)消除了浸入式光刻設(shè)備產(chǎn)生的缺陷，解決了氣泡、水跡以及硅片背部污染等問題。目前國際上光刻機(jī)的制造幾乎處于壟斷地位，最大的三家生產(chǎn)商為荷蘭ASML、美國Nikon Precision和日本Canon。從2004年起，這幾家公司就提供193nm浸入式光刻機(jī)樣品供各大芯片制造商使用。至今，已開發(fā)出多種型號的193nm浸入式光刻機(jī)。如ASML于2004年推出的NA為0.75、特征尺寸為90nm的193nm浸入式光刻機(jī)TwinScanAT：1150i；于2005年推出的NA為0.85、特征尺寸為65nm的193nm浸入式光刻機(jī)TwinScanAT：1150i。Nikon Precision公司在于2006年下半年推出的NA為1.3、特征尺寸為45nm的193nm浸入式光刻機(jī)S610C等。納米壓印技術(shù)：納米壓印術(shù)是軟刻印術(shù)的發(fā)展，它采用繪有納米圖案的剛性壓模將基片上的聚合物薄膜壓出納米級圖形，再對壓印件進(jìn)行常規(guī)的刻蝕、剝離等加工，最終制成納米結(jié)構(gòu)和器件。這種技術(shù)可以大批量重復(fù)性地在大面積上制備納米圖形結(jié)構(gòu)，并且所制出的高分辨率圖案具有相當(dāng)好的均勻性和重復(fù)性。該技術(shù)還有制作成本極低、簡單易行、效率高等優(yōu)點(diǎn)。因此，與電子束光刻、X射線光刻、極短紫外線光刻、浸入式光刻等新興光刻工藝相比，納米壓印術(shù)具有不遜的競爭力和廣闊的應(yīng)用前景。目前，這項(xiàng)技術(shù)最先進(jìn)的程度已達(dá)到5nm以下的水平。它有熱壓印、紫外壓印、微接觸壓印三種不同的實(shí)現(xiàn)方法。

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