微電子概論

內(nèi)容概要

　　《微電子概論（第2版）》系普通高等教育“十一五”國家級規(guī)劃教材?！段㈦娮痈耪摚ǖ?版）》共6章，以硅集成電路為中心，重點介紹半導(dǎo)體集成器件物理基礎(chǔ)、集成電路制造基本工藝及其發(fā)展、集成電路設(shè)計和微電子系統(tǒng)設(shè)計、集成電路計算機輔助設(shè)計（CAD）。　　《微電子概論（第2版）》適用于非微電子專業(yè)的電子信息科學類和電氣信息類的本科生和研究生的教材，也可供從事線路和系統(tǒng)集成化工作的技術(shù)人員參考，特別是對于將要從事集成化工作的非微電子專業(yè)畢業(yè)的工程技術(shù)人員，《微電子概論（第2版）》更是一本合適的入門教材。

書籍目錄

第1章  概論1.1  微電子技術(shù)和集成電路的發(fā)展歷程1.1.1  微電子技術(shù)與半導(dǎo)體集成電路1.1.2  發(fā)展歷程1.1.3  發(fā)展特點和技術(shù)經(jīng)濟規(guī)律1.2  集成電路的分類1.2.1  按電路功能分類1.2.2  按電路結(jié)構(gòu)分類1.2.3  按有源器件結(jié)構(gòu)和工藝分類1.2.4  按電路的規(guī)模分類1.3  集成電路制造特點和本書學習要點1.3.1  電路系統(tǒng)設(shè)計1.3.2  版圖設(shè)計和優(yōu)化1.3.3  集成電路的加工制造1.3.4  集成電路的封裝1.3.5  集成電路的測試和分析第2章  集成器件物理基礎(chǔ)2.1  半導(dǎo)體及其能帶模型2.1.1  半導(dǎo)體及其共價鍵結(jié)構(gòu)2.1.2  半導(dǎo)體的能帶模型2.1.3  費米分布函數(shù)2.2  半導(dǎo)體導(dǎo)電性與半導(dǎo)體方程2.2.1  本征半導(dǎo)體2.2.2  非本征載流子2.2.3  半導(dǎo)體中的電流2.2.4  非平衡載流子與載流子壽命2.2.5  半導(dǎo)體基本方程2.3  pn結(jié)和pn結(jié)二極管2.3.1  平衡狀態(tài)下的pn結(jié)2.3.2  pn結(jié)的單向?qū)щ娦?.3.3  pn結(jié)直流伏安特性2.3.4  pn結(jié)二極管的交流小信號特性2.3.5  pn結(jié)擊穿2.3.6  二極管等效電路模型和二極管應(yīng)用2.3.7  pn結(jié)應(yīng)用2.3.8  其他半導(dǎo)體二極管2.4  雙極型晶體管2.4.1  雙極晶體管的直流放大原理2.4.2  影響晶體管直流特性的其他因素2.4.3  晶體管的擊穿電壓2.4.4  晶體管的頻率特性2.4.5  晶體管的功率特性2.4.6  晶體管模型和模型參數(shù)2.5  JFET與MESFET器件基礎(chǔ)2.5.1  器件結(jié)構(gòu)與電流控制原理2.5.2  JFET直流輸出特性的定性分析2.5.3  JFET的直流轉(zhuǎn)移特性2.5.4  JFET直流特性定量表達式2.5.5  JFET的器件類型和電路符號2.5.6  JFET等效電路和模型參數(shù)2.6  MOS場效應(yīng)晶體管2.6.1  MOS晶體管結(jié)構(gòu)2.6.2  MOS晶體管工作原理2.6.3  MOS晶體管直流伏安特性定量結(jié)果2.6.4  MOS晶體管的閾值電壓2.6.5  4種類型MOS晶體管的對比分析2.6.6  MOS晶體管模型和模型參數(shù)2.6.7  影響MOSFET器件特性的非理想因素2.6.8  CMOS晶體管2.6.9  現(xiàn)代IC中的先進MOS結(jié)構(gòu)2.7  異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體器件2.7.1  異質(zhì)結(jié)2.7.2  異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）2.7.3  高電子遷移率晶體管（HEMT）練習第3章  集成電路制造工藝3.1  硅平面工藝基本流程3.1.1  平面工藝的基本概念3.1.2  pn結(jié)隔離雙極IC工藝基本流程3.1.3  平面工藝中的基本工藝3.2  氧化工藝3.2.1  SiO2薄膜在集成電路中的作用3.2.2  SiO2生長方法3.2.3  氮化硅薄膜的制備3.2.4  SiO2膜質(zhì)量要求和檢驗方法3.2.5  氧化技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)3.3  摻雜方法之一--擴散工藝3.3.1  擴散原理3.3.2  常用擴散方法簡介3.3.3  擴散層質(zhì)量檢測3.3.4  擴散工藝與集成電路設(shè)計的關(guān)系3.4  摻雜方法之二--離子注入技術(shù)3.4.1  離子注入技術(shù)的特點3.4.2  離子注入設(shè)備3.4.3  離子注入退火3.4.4  離子注入雜質(zhì)分布3.5  光刻和刻蝕工藝3.5.1  光刻工藝的特征尺寸--工藝水平的標志3.5.2  光刻和刻蝕工藝基本過程3.5.3  超微細圖形的光刻技術(shù)3.6  制版工藝3.6.1  集成電路生產(chǎn)對光刻版的質(zhì)量要求3.6.2  制版工藝過程3.6.3  光刻掩膜版的檢查3.7  外延工藝3.7.1  外延生長原理3.7.2  外延層質(zhì)量要求3.7.3  分子束外延生長技術(shù)3.8  金屬化工藝3.8.1  金屬材料的選用3.8.2  金屬化互連系統(tǒng)結(jié)構(gòu)3.8.3  金屬層淀積工藝3.8.4  平面化3.8.5  合金化3.9  引線封裝3.9.1  后工序加工流程3.9.2  超聲鍵合3.9.2  封裝3.10  隔離技術(shù)3.10.1  MOS IC的隔離3.10.2  雙極IC中的基本隔離技術(shù)3.11  絕緣物上硅3.11.1  SOI技術(shù)3.11.2  注氧隔離技術(shù)（Seperation by Implantation of Oxygen SIMOX）3.11.3  硅片粘合技術(shù)（Wafer Bonding Technique）3.12  CMOS集成電路工藝流程3.12.1  CMOS工藝3.12.2  典型N阱CMOS工藝流程第4章  集成電路設(shè)計4.1  集成電路版圖設(shè)計規(guī)則4.1.1  λ設(shè)計規(guī)則4.1.2  微米設(shè)計規(guī)則4.2  集成電路中的無源元件4.2.1  集成電阻4.2.2  集成電容4.2.3  片上電感4.2.4  互連線4.3  雙極集成器件和電路設(shè)計4.3.1  雙極晶體管結(jié)構(gòu)4.3.2  雙極晶體管的寄生參數(shù)4.3.3  NPN晶體管縱向結(jié)構(gòu)設(shè)計4.3.4  NPN晶體管橫向結(jié)構(gòu)設(shè)計4.3.5  雙極集成電路版圖設(shè)計4.3.6  版圖設(shè)計實例4.4  CMOS集成器件和電路設(shè)計

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