CMOS模擬集成電路分析與設計

內容概要

　　本書是普通高等教育“十一五”國家級規(guī)劃教材。本書分析了CMOS模擬集成電路設計理論與技術，全書由17章組成。從CMOS器件物理及高階效應出發(fā)，介紹了CMOS模擬集成電路的基礎，然后分別介紹了模擬集成電路中的各種電路模塊：基本放大器、恒流源電路、差分放大器、運算放大器、基準電壓源、開關電容電路、集成電壓比較器、數(shù)/模轉換與模/數(shù)轉換、振蕩器與鎖相環(huán)等。另外，還分析了CMOS模擬集成電路的頻率響應、穩(wěn)定性、運算放大器的頻率補償及其反饋電路特性，以及噪聲與非線性。

書籍目錄

第1章基本MOS器件物理
1.1有源器件
1.1.1MOS管結構與幾何參數(shù)
1.1.2MOS管的工作原理及表示符號
1.1.3MOS管的高頻小信號電容
1.1.4MOS管的電特性
1.1.5二階效應
1.1.6MOS管交流小信號模型
1.1.7有源電阻
1.2無源器件
1.2.1電阻
1.2.2電容
1.3短溝道效應
1.3.1按比例縮小
1.3.2短溝道效應
1.4MOS器件模型
第2章單級放大器
第3章恒流源電路
第4章差分放大器
第5章放大器的頻率響應
第6章反饋
第7章噪聲
第8章運算放大器
第9章運算放大器的頻率補償
第10章開關電容電路
第11章放大器的非線性失真
第12章基準電壓源
第13章集成電壓比較器
第14章D/A、A/D轉換器
第15章振蕩器與鎖相環(huán)
第16章版圖設計技術
第17章工程設計
參考文獻

圖書封面

評論、評分、閱讀與下載

---

    CMOS模擬集成電路分析與設計 PDF格式下載

---