微納尺度制造工程

內(nèi)容概要

　　《微納尺度制造工程(第三版)》是《微電子制造科學(xué)原理與工程技術(shù)》的第三版?！段⒓{尺度制造工程(第三版)》系統(tǒng)地介紹了微電子制造科學(xué)原理與工程技術(shù)，覆蓋了集成電路制造所涉及的所有基本單項工藝，包括光刻、等離子體和反應(yīng)離子刻蝕、離子注入、擴(kuò)散、氧化、蒸發(fā)、氣相外延生長、濺射和化學(xué)氣相淀積等。對每一種單項工藝，不僅介紹了它的物理和化學(xué)原理，還描述了用于集成電路制造的工藝設(shè)備?！段⒓{尺度制造工程(第三版)》新增加的內(nèi)容包括原子層淀積、電鍍銅、浸潤式光刻、納米壓印與軟光刻、薄膜器件、有機發(fā)光二極管以及應(yīng)變技術(shù)在cmos工藝中的應(yīng)用等。
　　《微納尺度制造工程(第三版)》可作為高等學(xué)校微電子專業(yè)本科生和研究生相應(yīng)課程的教科書或參考書，也可供與集成電路制造工藝技術(shù)有關(guān)的專業(yè)技術(shù)人員學(xué)習(xí)參考。

作者簡介

斯蒂芬A·坎貝爾：明尼蘇達(dá)大學(xué)電子與計算機工程系的教授，該校技術(shù)研究院的杰出教授，同時兼任該校納米制造中心和納米結(jié)構(gòu)應(yīng)用中心的主任。無論是在學(xué)術(shù)界還是在工業(yè)界，他在微電子工藝制造領(lǐng)域都有著廣泛的經(jīng)驗。他目前的研究領(lǐng)域包括半導(dǎo)體納米顆粒在高性能電子器件與光電器件中的應(yīng)用、先進(jìn)材料、新型傳感器與晶體管結(jié)構(gòu)以及MEMS器件的各類應(yīng)用等。

書籍目錄

第1篇　綜述與題材　
　第1章　微電子制造引論　
　　1.1　微電子工藝：一個簡單的實例　
　　1.2　單項工藝與工藝技術(shù)　
　　1.3　本課程教程　
　　1.4　小結(jié)　
　第2章　半導(dǎo)體襯底　
　　2.1　相圖與固溶度°　
　　2.2　結(jié)晶學(xué)與晶體結(jié)構(gòu)°　
　　2.3　晶體缺陷　
　　2.4　直拉法（czochralski法）單晶生長　
　　2.5　bridgman法生長gaas　
　　2.6　區(qū)熔法單晶生長　
　　2.7　晶圓片制備和規(guī)格　
　　2.8　小結(jié)與未來發(fā)展趨勢　
　　習(xí)題　
　　參考文獻(xiàn)　
第2篇　單項工藝1：熱處理與離子注入　
　第3章　擴(kuò)散　
　　3.1　一維費克擴(kuò)散方程　
　　3.2　擴(kuò)散的原子模型　
　　3.3　費克定律的分析解　
　　3.4　常見雜質(zhì)的擴(kuò)散系數(shù)　
　　3.5　擴(kuò)散分布的分析　
　　3.6　sio2中的擴(kuò)散　
　　3.7　擴(kuò)散分布的數(shù)值模擬　
　　3.8　小結(jié)　
　　習(xí)題　
　　參考文獻(xiàn)　
　第4章　熱氧化　
　　4.1　迪爾-格羅夫氧化模型　
　　4.2　線性和拋物線速率系數(shù)　
　　4.3　初始階段的氧化　
　　4.4　sio2的結(jié)構(gòu)　
　　4.5　氧化層的特性　
　　4.6　摻雜雜質(zhì)對氧化和多晶氧化過程的影響　
　　4.7　硅的氮氧化物　
　　4.8　其他可選的柵絕緣層+　
　　4.9　氧化系統(tǒng)　
　　4.10　氧化過程的數(shù)值模擬+　
　　4.11　小結(jié)　
　　習(xí)題　
　　參考文獻(xiàn)　
　第5章　離子注入　
　　5.1　理想化的離子注入系統(tǒng)　
　　5.2　庫侖散射°　
　　5.3　垂直投影射程　
　　5.4　溝道效應(yīng)和橫向投影射程　
　　5.5　注入損傷　
　　5.6　淺結(jié)的形成+　
　　5.7　埋層介質(zhì)+　
　　5.8　離子注入系統(tǒng)的問題和關(guān)注點　
　　5.9　注入分布的數(shù)值模擬+　
　　5.10　小結(jié)　
　　習(xí)題　
　　參考文獻(xiàn)　
　第6章　快速熱處理　
　　6.1　灰體輻射，熱交換和光吸收°　
　　6.2　高強度光源和反應(yīng)腔設(shè)計　
　　6.3　溫度測量　
　　6.4　熱塑應(yīng)力°　
　　6.5　雜質(zhì)的快速熱激活　
　　6.6　介質(zhì)的快速熱加工　
　　6.7　硅化物和接觸的形成　
　　6.8　其他的快速熱處理系統(tǒng)　
　　6.9　小結(jié)　
　　習(xí)題　
　　參考文獻(xiàn)　
第3篇　單項工藝2：圖形轉(zhuǎn)移　
　第7章　光學(xué)光刻　
　　7.1　光學(xué)光刻概述　
　　7.2　衍射°　
　　7.3　調(diào)制傳輸函數(shù)和光學(xué)曝光　
　　7.4　光源系統(tǒng)和空間相干　
　　7.5　接觸式/接近式光刻機　
　　7.6　投影光刻機　
　　7.7　先進(jìn)掩模概念+　
　　7.8　表面反射和駐波　
　　7.9　對準(zhǔn)　
　　7.10　小結(jié)　
　　習(xí)題　
　　參考文獻(xiàn)　
　第8章　光刻膠　
　　8.1　光刻膠類型　
　　8.2　有機材料和聚合物°　
　　8.3　dqn正膠的典型反應(yīng)　
　　8.4　對比度曲線　
　　8.5　臨界調(diào)制傳輸函數(shù)　
　　8.6　光刻膠的涂敷和顯影　
　　8.7　二級曝光效應(yīng)　
　　8.8　先進(jìn)的光刻膠和光刻膠工藝+　
　　8.9　小結(jié)　
　　習(xí)題　
　　參考文獻(xiàn)　
　第9章　非光學(xué)光刻技術(shù)+　
　　9.1　高能射線與物質(zhì)之間的相互作用°　
　　9.2　直寫電子束光刻系統(tǒng)　
　　9.3　直寫電子束光刻：總結(jié)與展望　
　　9.4　x射線源°　
　　9.5　接近式x射線系統(tǒng)　
　　9.6　薄膜型掩模版　
　　9.7　投影式x射線光刻　
　　9.8　投影電子束光刻(scalpel)　
　　9.9　電子束和x射線光刻膠　
　　9.10　mos器件中的輻射損傷　
　　9.11　軟光刻與納米壓印光刻　
　　9.12　小結(jié)　
　　習(xí)題　
　　參考文獻(xiàn)　
第4篇　單項工藝3：薄膜及概述　
第5篇　工藝集成概述　
附錄a　縮寫與通用符號　
附錄b　部分半導(dǎo)體材料的性質(zhì)　
附錄c　物理常數(shù)　
附錄d　單位轉(zhuǎn)換因子　
附錄e　誤差函數(shù)的一些性質(zhì)　
附錄f　f數(shù)

圖書封面

評論、評分、閱讀與下載

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