ESD射頻技術(shù)與電路

內(nèi)容概要

　　本書是Steven H. Voldman教授所著的《ESD RF Technology and
Circuits》的中文翻譯版，全書系統(tǒng)地介紹了射頻ESD設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識(shí)及概念；射頻ESD設(shè)計(jì)合成及方法論的細(xì)節(jié)，如代換、消除等射頻ESD設(shè)計(jì)方法和阻抗隔離等ESD技術(shù)；RF
CMOS ESD 保護(hù)元件，并分別從射頻和ESD的角度對(duì)靜電防護(hù)策略上的異同進(jìn)行了比較；RF
CMOS靜電防護(hù)電路；ESD和雙極工藝；鍺硅半導(dǎo)體、碳鍺硅和靜電防護(hù)；砷化鎵、銦鎵砷及其靜電防護(hù)技術(shù)；雙極?路及其靜電防護(hù)；靜電防護(hù)設(shè)計(jì)方法；非半導(dǎo)體類的靜電防護(hù)解決方案以及芯片外的靜電保護(hù)技術(shù)與觀念。

書籍目錄

第1章　射頻設(shè)計(jì)和ESD
　1.1　ESD設(shè)計(jì)的基本概念
　1.2　射頻ESD的基本概念
　1.3　射頻ESD的主要成果
　1.4　射頻ESD的關(guān)鍵專利
　1.5　ESD失效機(jī)制
　　1.5.1　射頻CMOS　ESD失效機(jī)制
　　1.5.2　鍺硅器件的ESD失效機(jī)制
　　1.5.3　硅鍺碳器件的ESD失效機(jī)制
　　1.5.4　砷化鎵技術(shù)ESD失效機(jī)制
　　1.5.5　銦鎵砷ESD失效機(jī)制
　　1.5.6　射頻雙極型電路ESD失效機(jī)制
　1.6　射頻基礎(chǔ)
　1.7　雙端口網(wǎng)絡(luò)參數(shù)
　　1.7.1　Z參數(shù)
　　1.7.2　Y參數(shù)
　　1.7.3　S參數(shù)
　　1.7.4　T參數(shù)
　1.8　穩(wěn)定性：射頻設(shè)計(jì)穩(wěn)定性與ESD
　1.9　器件性能退化和ESD失效
　　1.9.1　ESD導(dǎo)致的直流參數(shù)漂移和失效標(biāo)準(zhǔn)
　　1.9.2　射頻參數(shù)、ESD退化以及失效標(biāo)準(zhǔn)
　1.10　射頻ESD測(cè)試
　　1.10.1　ESD測(cè)試模型
　　1.10.2　射頻最大功率失效和ESD脈沖測(cè)試方法
　　1.10.3　ESD導(dǎo)致的射頻退化和S參數(shù)評(píng)估測(cè)試方法
　1.11　ESD測(cè)試中時(shí)域反射計(jì)（TDR）和阻抗方法學(xué)
　　1.11.1　時(shí)域反射（TDR）ESD測(cè)試系統(tǒng)評(píng)估
　　1.11.2　ESD退化系統(tǒng)級(jí)方法——眼圖測(cè)試
　1.12　產(chǎn)品級(jí)ESD測(cè)試和射頻功能性參數(shù)失效
　1.13　組合射頻和ESD　TLP測(cè)試系統(tǒng)
　1.14　小結(jié)
　習(xí)題
　參考文獻(xiàn)
第2章　射頻ESD設(shè)計(jì)
　2.1　ESD設(shè)計(jì)方法：理想ESD網(wǎng)絡(luò)和射頻ESD設(shè)計(jì)窗口
　　2.1.1　理想ESD網(wǎng)絡(luò)和電流-電壓直流設(shè)計(jì)窗口
　　2.1.2　理想ESD網(wǎng)絡(luò)頻域設(shè)計(jì)窗口
　2.2　射頻ESD設(shè)計(jì)方法：線性法
　2.3　射頻ESD設(shè)?：無源元件品質(zhì)因數(shù)和品質(zhì)因素
　2.4　射頻ESD設(shè)計(jì)方法：替代法
　　2.4.1　無源器件替代ESD網(wǎng)絡(luò)器件法
　　2.4.2　ESD網(wǎng)絡(luò)元件替代為無源元件
　2.5　射頻ESD設(shè)計(jì)方法：匹配網(wǎng)絡(luò)和射頻ESD網(wǎng)絡(luò)
　　2.5.1　射頻ESD方法：匹配網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)換為ESD網(wǎng)絡(luò)
　　2.5.2　射頻ESD方法：ESD網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)換為匹配網(wǎng)絡(luò)
　2.6　射頻ESD設(shè)計(jì)方法：電感分流器
　2.7　射頻ESD　設(shè)計(jì)方法：消除法
　　2.7.1　品質(zhì)因數(shù)和消除法
　　2.7.2　電容負(fù)載的感性消除和FOM
　　2.7.3　消除法和ESD電路
?2.8　射頻ESD設(shè)計(jì)方法：利用LC共振的阻抗隔離技術(shù)
　2.9　射頻ESD設(shè)計(jì)方法：集總與分布式負(fù)載
　　2.9.1　射頻ESD共面波導(dǎo)的分布負(fù)載
　　2.9.2　利用ABCD　矩陣進(jìn)行射頻ESD共面波導(dǎo)分布負(fù)載分析
　2.10　ESD射頻設(shè)計(jì)綜合和平面圖：射頻、模擬和數(shù)字綜合
　　2.10.1　同一區(qū)域ESD電源鉗位（Power　Clamp）的布置
　　2.10.2　電源線的結(jié)構(gòu)和ESD設(shè)計(jì)綜合
　　2.10.3　VDD到VSS電源線的保護(hù)
　　2.10.4　VDD到模擬VDD和VDD到射頻VCC的保護(hù)
　　2.10.5　內(nèi)部ESD　保護(hù)網(wǎng)絡(luò)
　2.11?ESD電路和射頻焊盤整合
　2.12　鍵合線焊盤下的ESD結(jié)構(gòu)
　2.13　小結(jié)
　習(xí)題
　參考文獻(xiàn)
第3章　射頻CMOS和ESD
第4章　射頻CMOS　ESD網(wǎng)絡(luò)
第5章　雙極型晶體管物理特性
第6章　鍺硅和ESD
第7章　砷化鎵工藝中的ESD
第8章　雙極型晶體管接收機(jī)電路與ESD網(wǎng)絡(luò)
第9章　射頻和ESD計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)
第10章　可替代ESD概念：片上和片外ESD保護(hù)解決方案
參考文獻(xiàn)
名詞術(shù)語

圖書封面

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