微納尺度制造工程

出版時(shí)間:2010-9  出版社:電子工業(yè)出版社  作者:斯蒂芬 A·坎貝爾  頁(yè)數(shù):636  
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內(nèi)容概要

本書(shū)是The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication 的第三版。本書(shū)系統(tǒng)地介紹了微電子制造科學(xué)原理與工程技術(shù),覆蓋了集成電路制造所涉及的所有基本單項(xiàng)工藝,包括光刻、等離子體和反應(yīng)離子刻蝕、離子注入、擴(kuò)散、氧化、蒸發(fā)、氣相外延生長(zhǎng)、濺射和化學(xué)氣相淀積等。本書(shū)新增加的內(nèi)容包括原子層淀積、電鍍銅、浸潤(rùn)式光刻、納米壓印與軟光刻、薄膜器件、有機(jī)發(fā)光二極管以及應(yīng)變技術(shù)在CMOS 工藝中的應(yīng)用等,對(duì)于其他已經(jīng)過(guò)時(shí)的或不再具有先進(jìn)性的題材則做了適當(dāng)?shù)暮?jiǎn)化或刪除處理。    本書(shū)可作為高等學(xué)校微電子專業(yè)本科生和研究生相應(yīng)課程的教科書(shū)或參考書(shū),也可供與集成電路制造工藝技術(shù)有關(guān)的專業(yè)技術(shù)人員學(xué)習(xí)參考。

作者簡(jiǎn)介

斯蒂芬A·坎貝爾:明尼蘇達(dá)大學(xué)電子與計(jì)算機(jī)工程系的教授,該校技術(shù)研究院的杰出教授,同時(shí)兼任該校納米制造中心和納米結(jié)構(gòu)應(yīng)用中心的主任。無(wú)論是在學(xué)術(shù)界還是在工業(yè)界,他在微電子工藝制造領(lǐng)域都有著廣泛的經(jīng)驗(yàn)。他目前的研究領(lǐng)域包括半導(dǎo)體納米顆粒在高性能電子器件與光電器件中的應(yīng)用、先進(jìn)材料、新型傳感器與晶體管結(jié)構(gòu)以及MEMS器件的各類應(yīng)用等。

書(shū)籍目錄

第1篇 綜述與題材 第1章 微電子制造引論 第2章 半導(dǎo)體襯底 第2篇 單項(xiàng)工藝1: 熱處理與離子注入 第3章 擴(kuò)散 第4章 熱氧化 第5章 離子注入 第6章 快速熱處理第3篇 單項(xiàng)工藝2:圖形轉(zhuǎn)移 第7章 光學(xué)光刻 第8章 光刻膠 第9章 非光學(xué)光刻技術(shù) 第10章 真空科學(xué)與等離子體 第11章 刻蝕第4篇 單項(xiàng)工藝3:薄膜 第12章 物理淀積:蒸發(fā)與濺射 第13章 化學(xué)氣相淀積 第14章 外延生長(zhǎng)第5篇 工藝集 第15章 器件隔離、接觸與金屬化  第16章 CMOS 工藝 第17章 其他類型晶體管的工藝技術(shù) 第18章 光電子器件工藝技術(shù) 第19章 微機(jī)電系統(tǒng) 第20章 集成電路制造附錄I 縮寫(xiě)詞與通用符號(hào)附錄II 部分半導(dǎo)體材料性質(zhì)附錄III 物理常數(shù)附錄IV 單位轉(zhuǎn)換因子附錄V 誤差函數(shù)的一些性質(zhì)附錄VI F數(shù)索引

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用戶評(píng)論 (總計(jì)3條)

 
 

  •   全世界60多所頂級(jí)大學(xué)使用的經(jīng)典教材
  •   坎貝爾老師寫(xiě)得不錯(cuò),不過(guò)他的第三版改動(dòng)貌似比想象中要小一些~
  •   這本圖書(shū)是Amazon的3星圖書(shū)。主要原因是因?yàn)閳D書(shū)的內(nèi)容比較深,需要有半導(dǎo)體工藝和半導(dǎo)體物理學(xué)/固體物理學(xué)的基礎(chǔ)。此外還需了解一些TCAD的淺顯知識(shí)。這樣綜合的一本書(shū),可想而知其難度。
    如果作為入門(mén)教科書(shū),個(gè)人認(rèn)為不太適合。但非常適合于想要在半導(dǎo)體物理學(xué)、器件物理學(xué)和工藝之間建立聯(lián)系的學(xué)生、工程師……

    本書(shū)的印刷質(zhì)量挺好的,字體應(yīng)該也是原版。真可惜沒(méi)有配原書(shū)的光盤(pán),里面大量的內(nèi)容沒(méi)法獲得。
 

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