電子制造與封裝

前言

　　電子制造產業(yè)已經成為當今世界的先導產業(yè)，也是我國國民經濟的支柱產業(yè)。隨著民用電子產品的廣泛普及，電子制造已經形成了非常龐大的體系，帶動和促進了材料、微電子、先進制造、材料加工、裝備等一大批基礎產業(yè)。?　　由于電子制造技術涉及材料、微電子、電子、物理、化學等專業(yè)，屬于交叉學科，涉及許多全新的領域，教材及參考書籍較少，適合高職高專的教材更少。很多高職高專院校都在調整相應的教學內容，迫切希望能夠有一本內容新穎翔實，語言通俗易懂，深入淺出地介紹電子制造與封裝技術的教材。為此，我們編寫了《電子制造與封裝》一書。?　　本書編寫的主要思路是系統(tǒng)地介紹電子產品從硅片制造到電子產品成品的實現過程中的各種制造技術，力求反應本領域最先進的技術。內容包括電子制造技術概述、集成電路基礎、集成電路制造技術、元器件封裝工藝流程、元器件封裝形式及材料、光電器件制造與封裝、太陽能光伏技術、印制電路板技術以及電子組裝技術。書中簡要介紹了電子制造的基本理論基礎，重點介紹了半導體制造工藝、電子封裝與組裝技術、光電技術及器件的制造與封裝，系統(tǒng)介紹了相關制造工藝、相關材料及應用等。?

內容概要

本書系統(tǒng)地介紹了電子產品的主要制造技術。內容包括電子制造技術概述、集成電路基礎、集成電路制造技術、元器件封裝工藝流程、元器件封裝形式及材料、光電器件制造與封裝、太陽能光伏技術、印制電路板技術以及電子組裝技術。書中簡要介紹了電子制造的基本理論基礎，重點介紹了半導體制造工藝、電子封裝與組裝技術、光電技術及器件的制造與封裝，系統(tǒng)介紹了相關制造工藝、相關材料及應用等?！　”緯槍Ω呗毟邔５膶W生特點，以實用為主，夠用為度為原則，系統(tǒng)地介紹了電子制造與封裝。本書可作為微電子、電子制造、半導體、計算機與通信、光電、電子等相關專業(yè)高職高專的教材，也可作為相關專業(yè)學生的自學參考書籍使用。

書籍目錄

第1章 電子制造技術概述 　1.1 電子制造概述 　　1.1.1 電子制造基本概念 　　1.1.2 電子制造技術的發(fā)展 　1.2 電子制造過程 　　1.2.1 電子產品制造過程分級 　　1.2.2 電子制造業(yè)的技術核心 第2章 集成電路基礎 　2.1 半導體基礎物理 　　2.1.1 半導體特性 　　2.1.2 PN結 　　2.1.3 晶體管的基本結構 　2.2 半導體材料基礎 　　2.2.1 晶體的結構和類型 　　2.2.2 晶體的缺陷 　2.3 集成電路原理 　　2.3.1 集成電路中的器件 　　2.3.2 MOS模擬集成電路 　　2.3.3 數字集成電路 第3章 半導體制造 　3.1 半導體制造工藝 　　3.1.1 半導體硅制備 　　3.1.2 晶體生長 　　3.1.3 硅片制造 　　3.1.4 氧化 　　3.1.5 化學氣相沉積 　　3.1.6 金屬化 　　3.1.7 光刻 　　3.1.8 摻雜 　　3.1.9 化學清洗 　3.2 半導體制造工藝的超凈環(huán)境 　　3.2.1 超凈間 　　3.2.2 污染物引起的問題 　　3.2.3 超凈間標準 　　3.2.4 潔凈室的建設 　　3.2.5 潔凈室的維護 第4章 元器件封裝工藝流程 　4.1 芯片封裝工藝概述 　4.2 引線鍵合技術 　　4.2.1 引線鍵合機理及方式 　　4.2.2 引線鍵合工藝 　　4.2.3 鍵合設備 　　4.2.4 鍵合材料 　　4.2.5 可靠性分析 　4.3 載帶自動焊技術 　　4.3.1 載帶自動焊技術特點 　　4.3.2 芯片凸點 　　4.3.3 載帶及載帶凸點 　　4.3.4 載帶自動焊工藝 　　4.3.5 載帶自動焊技術的材料 　4.4 倒裝芯片技術（FC） 　　4.4.1 倒裝芯片技術特點 　　4.4.2 芯片凸點及凸點制作 　　4.4.3 倒裝芯片技術工藝 　　4.4.4 可靠性分析 第5章 元器件封裝形式及材料 　5.1 插裝元器件的封裝形式 　　5.1.1 晶體管TO封裝 　　5.1.2 SIP和DIP封裝 　　5.1.3 PGA封裝 　5.2 表面組裝元器件概述 　　5.2.1 表面組裝元器件的特點與優(yōu)勢 　　5.2.2 表面組裝元器件分類 　5.3 片式無源元件(SMC)的封裝 　　5.3.1 電阻器 　　5.3.2 電容器 　　5.3.3 電感器 　5.4 片式有源器件(SMD)的封裝 　　5.4.1 二極管的封裝 　　5.4.2 小外形晶體管(SOT)封裝 　　5.4.3 小外形封裝(SOP) 　　5.4.4 陶瓷無引腳芯片載體封裝(LCCC) 　　5.4.5 塑料有引腳芯片載體封裝（PLCC） 　　5.4.6 方形扁平封裝(QFP) 　　5.4.7 方形扁平無引腳封裝（QFN） 　　5.4.8 球柵陣列封裝(BGA) 　　5.4.9 芯片尺寸封裝(CSP) 　　5.5 多芯片組件(MCM)與三維封裝 　　5.5.1 多芯片組件(MCM) 　　5.5.2 三維（3D）封裝 　5.6 封裝材料 　　5.6.1 封裝材料概述 　　5.6.2 金屬封裝材料 　　5.6.3 高分子封裝材料 第6章 光電器件制造與封裝 第7章 太陽能光伏技術 第8章 印制電路板技術 第9章 電子組裝技術

章節(jié)摘錄

　　以上兩種堆積并不是最緊密的堆積方式，原子球若要構成最緊密的堆積方式，必須與同一平面內相鄰的6個原子球相切。如圖2-19所示，如此排列的一層原子面稱為密排面。要達到最緊密堆積，相鄰原子層也必須是密排面，而且原子球心必須與相鄰原子層的空隙相重合。若第三層的原子球心落在第二層的空隙上，且與第一層平行對應，便構成了如圖2～20所示的六角密排方式。若第三層的球心落在第二層的空隙上，且該空隙也與第一層原子空隙重合，而第四層又恢復成第一層排列，這便構成了立方密排方式。如圖2-21所示是立方密排結構單元，陰影平面對應密排面?！　∫粋€原子周圍最近鄰的原子數，稱為該晶體的配位數，可用來表征原子排列的緊密程度，最緊密的堆積稱密堆積，密堆積對應最大的配位數。不論是六角密排還是立方密排，晶體的配位數都是12，即任意一個原子球與最近鄰的12個原子球相切?！　∮商荚有纬傻慕饎偸Ц袷橇硪粋€重要的基本晶格結構。由面心立方單元的中心到頂角引8條對角線，在其中4條的中點上各加一個原子就得到了金剛石的結構。這個結構的一個重要特點是：每個原子有4個最近鄰的原子，它們正好在一個正四面體的頂角位置，如圖2-22所示。除金剛石外，重要的半導體硅和鍺也具有這種晶格結構。　　以上介紹的都是同一種原子組成的元素晶體，下面介紹幾種化合物晶體的結構?！　∽钍熘氖菐r鹽Nacl結構，它像是一個簡單立方晶格，但每一行上相問地排列著正的和負的離子Na+和Cl如圖2-23所示。磁金屬Li、Na、K、Rb和鹵族元素F、Cl、Br、I的化合物都具有NaCl結構?！　×硪换镜幕衔锞w結構是CsCl晶格，如圖2-24所示，它和體心立方結構相仿，只是體心位置為一種離子，頂角為另一種離子。如果把整個晶格畫出來，體心的位置和頂角位置實際上完全等效，各占一半，正好容納數目相等的正負離子。

圖書封面

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