現(xiàn)代數(shù)碼產(chǎn)品及其維修技術

出版時間:2010-2  出版社:電子工業(yè)出版社  作者:劉威,陳海燕 主編  頁數(shù):244  

內(nèi)容概要

本書以當前流行的數(shù)碼產(chǎn)品為主線,涵蓋以下四部分內(nèi)容:第1篇為移動存儲篇,主要講述U盤、讀卡器、移動硬盤等移動存儲設備的組成、工作原理、USB接口協(xié)議及芯片選擇,還介紹了移動存儲的管理和使用、誤操作及處理、文件復制及故障維修等內(nèi)容:第2篇為數(shù)碼相機與攝像機篇,主要講述數(shù)碼相機與攝像機的原理、結構和功能,從光學鏡頭、電子耦合器件、液晶顯示器、電子主控板及電池組件等方面分別進行論述,并介紹了數(shù)碼相機和攝像機的故障和維修方法:第3篇為數(shù)字電視接收器篇,以數(shù)字電視接收系統(tǒng)原理、電視信號的產(chǎn)生和類型為基礎,從編解碼器、DSP信號測試、USB傳輸與檢測等方面重點講解故障和檢修方法:第4篇力圖像視頻采集實圳篇,主要講述圖像視頻采集系統(tǒng)理論,并逐一介紹圖像視頻采集系統(tǒng)的組成部件,包括網(wǎng)絡攝像頭、圖像傳感器等,并講解了影響圖像質(zhì)量的要素及系統(tǒng)常見故障解決和優(yōu)化。  本書可以作為人中專院校和數(shù)碼產(chǎn)品維修培訓班的教材,也可以作為數(shù)碼產(chǎn)品愛好者自學的參考書。

書籍目錄

移動存儲篇  第1章 移動存儲概論  第2章 移動存儲的USB接口  第3章 移動存儲的原理與使用  第4章 移動存儲的誤操作影響及處理  第5章 移動存儲的文件復制  第6章 移動存儲常見硬件故障及相關排除   第7章 數(shù)碼系列概述  第8章 光學鏡頭  第9章 電荷耦合器件(CCD)  第10章 液晶顯示器  第11章 電子主控板部分  第12章 電池組件  第13章 常見故障與維修 數(shù)字電視接收器篇  第14章 數(shù)字電視接收系統(tǒng)概論  第15章 電視信號  第16章 視頻解碼器信號  第17章 DSP信號測試  第18章 USB硬件驅(qū)動  第19章 USB 2.0工作原理  第20章 系統(tǒng)死機及故障維修  第21章 圖像視頻采集系統(tǒng)概論  第22章 網(wǎng)絡攝像頭  第23章 圖像傳感器  第24章 應用軟件AMCAP  第25章 圖像質(zhì)量  第26章 系統(tǒng)常見故障解決及優(yōu)化

章節(jié)摘錄

  3.1.2 U盤和SD卡存儲介質(zhì)原理  在移動存儲中u盤和SD卡中的存儲介質(zhì)極其相似,都是Flash Memory(閃存),下面來介紹。Flash Memory的介質(zhì)原理。  現(xiàn)在的半導體存儲設備普遍采用了一種叫做“Flash Memory”的技術。從字面上可理解為閃速存儲器,它的擦寫速度快是相對于EPROM而言的。Flash Memory是一種非易失型存儲器,因為掉電后,芯片內(nèi)的數(shù)據(jù)不會丟失,所以很適合用來做計算機的外部存儲設備。它采用電擦寫方式、可10萬次重復擦寫、擦寫速度快、耗電量小。  1.NOR型Flash芯片  我們知道三極管具備導通和不導通兩種狀態(tài),這兩種狀態(tài)可以用來表示數(shù)據(jù)O和數(shù)據(jù)1,因此三極管作為存儲單元的三極管陣列就可作為存儲設備。Flash技術是采用特殊的浮柵場效應管作為存儲單元。這種場效應管的結構與普通場效應管有很大區(qū)別。它具有兩個柵極,一個如普通場效應管柵極一樣,用導線引出,稱為“選擇柵”;另一個則處于二氧化硅的包圍之中不與任何部分相連,這個不與任何部分相連的柵極稱為“浮柵”。通常情況下,浮柵不帶電荷,則場效應管處于不導通狀態(tài),場效應管的漏極電平為高,則表示數(shù)據(jù)l。編程時,場效應管的漏極和選擇柵都加上較高的編程電壓,源極則接地。這樣大量電子從源極流向漏極,形成相當大的電流,產(chǎn)生大量熱電子,并從襯底的二氧化硅層俘獲電子,由于電子的密度大,有的電子就到達了襯底與浮柵之間的二氧化硅層,這時由于選擇柵加有高電壓,在電場作用下,這些電子又通過二氧化硅層到達浮柵,并在浮柵上形成電子團。浮柵上的電子團即使在掉電的情況下,仍然會存留在浮柵上,所以信息能夠長期保存(通常來說,這個時間可達10年)。由于浮柵為負,所以選擇柵為正,在存儲器電路中,源極接地,所以相當于場效應管導通,漏極電平為低,即數(shù)據(jù)0被寫入。擦除時,源極加上較高的編程電壓,選擇柵接地,漏極開路。根據(jù)隧道效應和量子力學的原理,浮柵上的電子將穿過勢壘到達源極,浮柵上沒有電子后,就意味著信息被擦除了。NOR型Flash芯片構造原理和結構示意圖分別如圖3.2和圖3-3所示?! ∮捎跓犭娮拥乃俣瓤?,所以編程時間短,并且數(shù)據(jù)保存的效果好,但是耗電量比較大?! ∶總€場效應管為一個獨立的存儲單元。一組場效應管的漏極連接在一起組成位線,場效應管的柵極連接在一起組成選擇線,可以直接訪問每一個存儲單元,也就是說可以以字節(jié)或字為單位進行尋址,屬于并行方式。因此,可以實現(xiàn)快速的隨機訪問,但是這種方式使得存儲密度降低,相同容量時耗費的硅片面積比較大,因而這種類型的Flash芯片的價格比較高?! √攸c:數(shù)據(jù)線和地址線分離、以字節(jié)或字為單位編程、以塊為單位擦除、編程和擦除的速度慢、耗電量大、價格高?!  ?/pre>

編輯推薦

《現(xiàn)代數(shù)碼產(chǎn)品及其維修技術(附CD光盤1張)》以初學者的需求為出發(fā)點,以精煉的語言和豐富的內(nèi)容為基礎,圖文并茂地講述了流行數(shù)碼產(chǎn)品的維修測試,并將一些基礎知識和案例以生動的場景再現(xiàn)。

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