CMOS數(shù)字集成電路

內(nèi)容概要

本書詳細(xì)講述CMOS數(shù)字集成電路的相關(guān)內(nèi)容，反映現(xiàn)代技術(shù)發(fā)展水平并提供了電路設(shè)計(jì)的最新資料。本書共十五章。前八章詳細(xì)討論MOS晶體管的相關(guān)特性和工作原理、基本反相器電路設(shè)計(jì)、組合邏輯電路及時(shí)序邏輯電路的結(jié)構(gòu)與工作原理；第9章介紹應(yīng)用于先進(jìn)VLSI芯片設(shè)計(jì)的動(dòng)態(tài)邏輯電路，第10章介紹先進(jìn)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)電路，第11章介紹低功耗CMOS邏輯電路，第12章介紹雙極性晶體管基本原理和BiCMOS數(shù)字電路設(shè)計(jì)，第13章詳細(xì)介紹芯片的I/O設(shè)計(jì)，最后兩章分別討論電路的可制造性設(shè)計(jì)和可測(cè)試性設(shè)計(jì)這兩個(gè)重要問題。     本書是現(xiàn)代數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)的理想教材和參考書?？晒┡c集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域有關(guān)的各電類專業(yè)的本科生和研究生使用，也可供從事集成電路設(shè)計(jì)、數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)和VLSI設(shè)計(jì)等領(lǐng)域的工程師參考。

作者簡(jiǎn)介

Sung-Mo Kang：于加州大學(xué)伯克利分校獲得電子工程博士學(xué)位。美國(guó)加州大學(xué)Merced分校教授（2007年起任該校校長(zhǎng)）。他還是IEEE超大規(guī)模集成電路系統(tǒng)學(xué)報(bào)的總編輯及創(chuàng)刊人，IEEE及諸多國(guó)際性期刊的編委會(huì)委員，IEEE、ACM和AAAS會(huì)員。曾獲LIEEE Third Millennium  ，IEEE研究生教

書籍目錄

第1章 概論　1.1 發(fā)展歷史　1.2 本書的目標(biāo)和結(jié)構(gòu)　1.3 電路設(shè)計(jì)舉例　1.4 VLSI設(shè)計(jì)方法綜述　1.5 VLSI設(shè)計(jì)流程　1.6 設(shè)計(jì)分層　1.7 規(guī)范化、模塊化和本地化的概念　1.8 VLSI的設(shè)計(jì)風(fēng)格　1.9 設(shè)計(jì)質(zhì)量　1.10 封裝技術(shù)　1.11 計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)技術(shù)　1.12 習(xí)題第2章 MOS場(chǎng)效應(yīng)管的制造　2.1 引言 　　2.2 制造工藝的基本步驟　2.3 CMOS n阱工　2.4 版圖設(shè)計(jì)規(guī)劃　2.5 全定制掩膜版圖設(shè)計(jì)　2.6 習(xí)題第3章 MOS日體管　3.1 金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）結(jié)構(gòu)　3.2 外部偏置上下的MOS系統(tǒng)　3.3 MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）的結(jié)構(gòu)和作用　3.4 MOSFET的電流-電壓特性　3.5 MOSFET的收容和不尺寸效應(yīng)　3.6 MOSFET電容　3.7 習(xí)題第4章 用SPICE進(jìn)行MOS管建模　4.1 概述　4.2 基本概念　4.3 一級(jí)模型方程　4.4 二級(jí)模型方程　4.5 三維模型方程　4.6 選進(jìn)的MOSFT模型　　4.7 電容模型　4.8 SPICE　MOSFET模型的比較　4.9 附錄　4.10 習(xí)題第5章 MOS反相器的靜態(tài)特性　5.1 概述　5.2 電阻負(fù)載型反相器　5.3 n型MOSFET負(fù)載反相器　5.4 CMOS反相器　5.5 習(xí)題第6章 MOS反相器的開關(guān)特性和體效應(yīng)　6.1 概論　6.2 延遲時(shí)間的定義　6.3 延遲時(shí)間的計(jì)算　6.4 延遲限制下的反相器設(shè)計(jì)　6.5 互連線電容的估算　6.6 互連線延遲的計(jì)算　6.7 CMOS反相器的開關(guān)功耗　6.8 附錄　6.9 習(xí)題第7章 組合MOS邏輯電路　7.1 概述　7.2 帶耗盡型nMOS負(fù)載的MOS邏輯電路　7.3 CMOS邏輯電路　7.4 復(fù)合邏輯電路　7.5 CMOS傳輸門　7.6 習(xí)題第8章 時(shí)序MOS邏輯電路第9章 動(dòng)態(tài)邏輯電路第10章 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器第11章 低功耗CMOS邏輯電路第12章 BICMOS邏輯電路第13章 芯片輸入輸出電路第14章 產(chǎn)品化設(shè)計(jì)第15章 可測(cè)性設(shè)計(jì)參考文獻(xiàn)

章節(jié)摘錄

　　第1章 概論　　1.1 發(fā)展歷史　　由于集成技術(shù)和大規(guī)模系統(tǒng)設(shè)計(jì)的飛速進(jìn)步，電子工業(yè)在過去的幾十年里得到了驚人的發(fā)展。集成電路在高性能計(jì)算、通信以及消費(fèi)類電子等領(lǐng)域中的應(yīng)用一直在飛速發(fā)展。事實(shí)上，正是這些應(yīng)用所需求的計(jì)算和信息處理能力成為電子領(lǐng)域快速發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力。圖1.1所示的是近幾　　年信息技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)，當(dāng)前的前沿技術(shù)（如低比特率視頻和蜂窩通信）已經(jīng)為終端用戶提供了一定的處理能力和便捷性，人們希望這種對(duì)VLSI和系統(tǒng)設(shè)計(jì)具有重大影響的趨勢(shì)能夠延續(xù)下去?！　?duì)高性能的處理能力和帶寬的不斷增加的需求是信息業(yè)務(wù)最重要的特征之一（例如處理實(shí)時(shí)的視　　頻信號(hào)）。另一個(gè)重要特征是信息業(yè)務(wù)更趨向個(gè)人化，這將意味著信息處理設(shè)備必須更加智能化，并具有便攜性。便攜化的趨勢(shì)（亦即分布式系統(tǒng)結(jié)構(gòu)）成為系統(tǒng)集成的主要驅(qū)動(dòng)力之一。當(dāng)然，集中化的趨勢(shì)（例如在NC（網(wǎng)絡(luò)計(jì)算）和視頻業(yè)務(wù)中需要的高性能信息系統(tǒng)）也同樣需要?！　‰S著各種數(shù)據(jù)處理和通信設(shè)備功能越來越復(fù)雜，將眾多功能集成在一塊小芯片之上的需求一直在增加，集成度是由單塊芯片上邏輯門的數(shù)量來衡量的。由于工藝技術(shù)和互連技術(shù)的快速進(jìn)步，過去三十年來芯片的集成度一直在穩(wěn)步提高。表1.1所示的是過去三十年來集成電路邏輯復(fù)雜度的發(fā)展以及每個(gè)時(shí)期的里程碑。這里把電路復(fù)雜度作為惟一的衡量標(biāo)準(zhǔn)?！　　?/pre>








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