多媒體技術(shù)應(yīng)用

內(nèi)容概要

本書(shū)圍繞多媒體系統(tǒng)平臺(tái)、多媒體信息處理技術(shù)、制作多媒體作品等多項(xiàng)內(nèi)容，進(jìn)行了精簡(jiǎn)實(shí)用的論述。對(duì)多媒體系統(tǒng)平臺(tái)、多媒體信息處理技術(shù)作了簡(jiǎn)明扼要的講述；介紹了多媒體信息的播放和使用；平面繪圖工具Illustrator、多媒體創(chuàng)作工具Flash的功能及使用技巧、數(shù)碼設(shè)備信息的采集和輸入技術(shù)，以及運(yùn)用專(zhuān)用軟件制作照片和影視信息，使不具有程序設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)的非計(jì)算機(jī)專(zhuān)業(yè)人員也能制作出集聲、圖、文于一體的多媒體作品。為了便于深入學(xué)習(xí)和理解書(shū)中內(nèi)容，本書(shū)在各章后都附有小結(jié)和習(xí)題，并配有大量實(shí)例?！　”緯?shū)既可作為中等職業(yè)技術(shù)學(xué)校多媒體技術(shù)課程的教材，也可作為從事多媒體技術(shù)人員的技術(shù)參考書(shū)?！　”緯?shū)配有教學(xué)光盤(pán)和電子教學(xué)資料包，詳見(jiàn)前言。

書(shū)籍目錄

第1章　集成電路設(shè)計(jì)概述　1.1　集成電路的發(fā)展　1.2　集成電路設(shè)計(jì)流程及設(shè)計(jì)環(huán)境　1.3　集成電路制造途徑　1.4　集成電路設(shè)計(jì)的知識(shí)范圍　思考題第2章　集成電路材料、結(jié)構(gòu)與理論　2.1　集成電路材料　　2.1.1　硅　　2.1.2　砷化鎵　　2.1.3　磷化銦　　2.1.4　絕緣材料　　2.1.5　金屬材料　　2.1.6　多晶硅　　2.1.7　材料系統(tǒng)　2.2　半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)　　2.2.1　半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)　　2.2.2　本征半導(dǎo)體與雜質(zhì)半導(dǎo)體　2.3　PN結(jié)與結(jié)型二極管　　2.3.1　PN結(jié)的擴(kuò)散與漂移　　2.3.2　PN結(jié)型二極管　　2.3.3　肖特基結(jié)二極管　　2.3.4　歐姆型接觸　2.4　雙極型晶體管　　2.4.1　雙極型晶體管的基本結(jié)構(gòu)　　2.4.2　雙極型晶體管的工作原理　2.5　MOS晶體管　　2.5.1　MOS晶體管的基本結(jié)構(gòu)　　2.5.2　MOS晶體管的工作原理　　2.5.3　MOS晶體管的伏安特性　思考題　本章參考文獻(xiàn)第3章　集成電路基本工藝　3.1  外延生長(zhǎng)　3.2　掩模版的制造　3.3　光刻原理與流程　　3.3.1　光刻步驟　　3.3.2　曝光方式　3.4　氧化　3.5　淀積與刻蝕　3.6　摻雜原理與工藝　思考題　本章參考文獻(xiàn)第4章　集成電路器件工藝　4.1　雙極型集成電路的基本制造工藝　　4.1.1　雙極型硅工藝　　4.1.2　HBT工藝　4.2　MESFET和HEMT工藝　　4.2.1　MESFET工藝　　4.2.2　HEMT工藝　4.3　MOS和相關(guān)的VLSl工藝　　4.3.1　PMOS工藝　　4.3.2　NMOS工藝　　4.3.3　CMOS工藝　4.4　BiCMOS工藝　思考題　本章參考文獻(xiàn)第5章　MOS場(chǎng)效應(yīng)管的特性　5.1　MOS場(chǎng)效應(yīng)管　　5.1.1　MOS管伏安特性的推導(dǎo)　　5.1.2　MOS電容的組成　　5.1.3　MOS電容的計(jì)算　5.2　MOS FET的閡值電壓VT　5.3　體效應(yīng)　5.4　MOSFET的溫度特性　5.5　MOSFET的噪聲　5.6　MOSFET尺寸按比例縮小　5.7　MOS器件的二階效應(yīng)　　5.7.1　L和W的變化　　5.7.2　遷移率的退化　　5.7.3　溝道長(zhǎng)度的調(diào)制　　5.7.4　短溝道效應(yīng)引起的閾值電壓的變化　　5.7.5　狹溝道效應(yīng)引起的閾值電壓的變化　思考題　本章參考文獻(xiàn)第6章　集成電路器件及SPICE模型第7章　SPICE數(shù)?；旌戏抡娉绦虻脑O(shè)計(jì)流程及方法第8章　集成電路版圖設(shè)計(jì)與工具第9章　模擬集成電路基本單元第10章　數(shù)字集成電路基本單元與版圖第11章　集成電路數(shù)字系統(tǒng)設(shè)計(jì)基礎(chǔ)第12章　集成電路的測(cè)試和封裝

章節(jié)摘錄

　　第2章　集成電路材料、結(jié)構(gòu)與理論　　2.1　集成電路材料　　材料按導(dǎo)電性能可以分為導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體三類(lèi)。如果說(shuō)電氣系統(tǒng)主要應(yīng)用導(dǎo)體和絕緣體兩類(lèi)材料的話(huà)，電子系統(tǒng)特別是微電子系統(tǒng)則應(yīng)用所有的三類(lèi)材料。具體到集成電路制造，所應(yīng)用到的材料分類(lèi)情況如表2.1所示?！　〖呻娐冯m然是導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體三種材料有機(jī)組合形成的系統(tǒng)，但相對(duì)于其他系統(tǒng)，半導(dǎo)體材料在集成電路的制造中起著根本性的作用。首先，集成電路通常是制作在半導(dǎo)體襯底材料之上的；同時(shí)，集成電路中的基本元件是依據(jù)半導(dǎo)體的特性構(gòu)成的?！　“雽?dǎo)體材料之所以得到廣泛的應(yīng)用，是因?yàn)樗哂幸韵绿匦??！　、偻ㄟ^(guò)摻入雜質(zhì)可以明顯改變半導(dǎo)體的電導(dǎo)率。例如，在室溫30℃時(shí)，在純凈鍺中摻入億分之一的雜質(zhì)，電導(dǎo)率會(huì)增加幾百倍。正是因?yàn)閾诫s可控制半導(dǎo)體的電導(dǎo)率，才能利用它制造出各種不同的半導(dǎo)體器件?！　、诋?dāng)半導(dǎo)體受到外界熱的刺激時(shí)，其導(dǎo)電能力將發(fā)生顯著變化。利用這種熱敏效應(yīng)可制成熱敏器件。另一方面，熱敏效應(yīng)會(huì)使半導(dǎo)體的熱穩(wěn)定性下降，所以由半導(dǎo)體構(gòu)成的電路中常采用溫度補(bǔ)償?shù)却胧?。　?、酃庹找部梢愿淖儼雽?dǎo)體的電導(dǎo)率，通常稱(chēng)為半導(dǎo)體的光電效應(yīng)。利用光電效應(yīng)可以制成光敏電阻、光電晶體管、光電耦合器等?！　、芏喾N由半導(dǎo)體形成的結(jié)構(gòu)中，當(dāng)注入電流時(shí)，會(huì)發(fā)射出光，從而可制造出發(fā)光二極管和激光二極管。　　……

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