現(xiàn)代集成電路制造技術(shù)原理與實(shí)踐

內(nèi)容概要

　　《現(xiàn)代集成電路制造技術(shù)原理與實(shí)踐》介紹當(dāng)代集成電路制造的基礎(chǔ)工藝，重點(diǎn)介紹基本原理，并就當(dāng)前集成電路芯片制造技術(shù)的最新發(fā)展做了較為詳盡的闡述。本書共18章，主要內(nèi)容包括：硅材料及襯底制備、外延生長(zhǎng)工藝原理、氧化介質(zhì)薄膜生長(zhǎng)、半導(dǎo)體的高溫?fù)诫s、離子注入低溫?fù)诫s、薄膜氣相淀積工藝、圖形光刻工藝原理、掩模制備工藝原理、集成電路工藝仿真、集成結(jié)構(gòu)測(cè)試圖形、電路管芯鍵合封裝、集成電路性能測(cè)試、工藝過(guò)程理化分析、管芯失效及可靠性、超大規(guī)模集成工藝、芯片產(chǎn)業(yè)質(zhì)量管理、可制造性設(shè)計(jì)工具和可制造性設(shè)計(jì)理念等。　　《現(xiàn)代集成電路制造技術(shù)原理與實(shí)踐》可作為高等學(xué)校電子科學(xué)與技術(shù)、微電子、集成電路設(shè)計(jì)等專業(yè)的高年級(jí)本科生和研究生教材，也可供集成電路芯片制造企業(yè)工程技術(shù)人員學(xué)習(xí)參考。

作者簡(jiǎn)介

李惠軍，1975年畢業(yè)于南京郵電學(xué)院半導(dǎo)體器件專業(yè)。山東大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院教授、山東大學(xué)孟堯微電子研發(fā)中心主任。從事超大規(guī)模集成電路制造工藝技術(shù)的教學(xué)及超深亞微米集成化器件工藝與器件物理特性級(jí)TCAD可制造性設(shè)計(jì)的研究。曾獲山東省科學(xué)技術(shù)進(jìn)步二等獎(jiǎng)、山東省省教委科技進(jìn)步一等獎(jiǎng)、山東省省級(jí)教學(xué)成果一等獎(jiǎng)、山東省省級(jí)教學(xué)成果二等獎(jiǎng)各一項(xiàng)。出版著作5部。

書籍目錄

緒論本章小結(jié)習(xí)題第1章 硅材料及襯底制備1.1 半導(dǎo)體材料的特征與屬性1.2 半導(dǎo)體材料硅的結(jié)構(gòu)特征1.3 半導(dǎo)體單晶制備過(guò)程中的晶體缺陷1.4 集成電路技術(shù)的發(fā)展和硅材料的關(guān)系1.5 關(guān)于半導(dǎo)體硅材料及硅襯底晶片的制備1.6 半導(dǎo)體硅材料的提純技術(shù)1.6.1 精餾提純四氯化硅技術(shù)及其提純裝置1.6.2 精餾提純四氯化硅的基本原理1.7 直拉法生長(zhǎng)硅單晶1.7.1 晶體生成技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀1.7.2 晶體生長(zhǎng)技術(shù)的分類1.7.3 硅直拉單晶生長(zhǎng)技術(shù)1.7.4 硅直拉單晶設(shè)備1.7.5 硅直拉單晶工藝步驟1.8 硅單晶的各向異性特征在管芯制造中的應(yīng)用本章小結(jié)習(xí)題本章參考文獻(xiàn)第2章 外延生長(zhǎng)工藝原理2.1 關(guān)于外延生長(zhǎng)技術(shù)2.2 外延生長(zhǎng)工藝方法概論2.2.1 典型的水平反應(yīng)器硅氣相外延生長(zhǎng)系統(tǒng)簡(jiǎn)介2.2.2 硅化學(xué)氣相淀積外延生長(zhǎng)反應(yīng)過(guò)程的一般描述2.3 常規(guī)硅氣相外延生長(zhǎng)過(guò)程的動(dòng)力學(xué)原理2.4 常規(guī)硅氣相外延生長(zhǎng)過(guò)程的結(jié)晶學(xué)原理2.5 關(guān)于氣相外延生長(zhǎng)的工藝環(huán)境和工藝條件2.5.1 外延生長(zhǎng)過(guò)程中的摻雜2.5.2 外延生長(zhǎng)速率與反應(yīng)溫度的關(guān)系2.5.3 外延生長(zhǎng)層內(nèi)的雜質(zhì)分布2.5.4 外延生長(zhǎng)缺陷2.5.5 外延生長(zhǎng)之前的氯化氫氣相拋光2.5.6 典型的外延生長(zhǎng)工藝流程2.5.7 工業(yè)化外延工序的質(zhì)量控制2.6 發(fā)生在硅氣相外延生長(zhǎng)過(guò)程中的二級(jí)效應(yīng)2.6.1 外延生長(zhǎng)過(guò)程中基片襯底雜質(zhì)的再分布效應(yīng)2.6.2 外延生長(zhǎng)過(guò)程中摻入雜質(zhì)的再分布本章小結(jié)習(xí)題本章參考文獻(xiàn)第3章 氧化介質(zhì)薄膜生長(zhǎng)3.1 氧化硅介質(zhì)膜的基本結(jié)構(gòu)3.2 二氧化硅介質(zhì)膜的主要性質(zhì).3.3 氧化硅介質(zhì)膜影響雜質(zhì)遷移行為的內(nèi)在機(jī)理3.4 氧化硅介質(zhì)膜的熱生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)原理3.5 典型熱生長(zhǎng)氧化介質(zhì)膜的常規(guī)生長(zhǎng)模式本章小結(jié)習(xí)題本章參考文獻(xiàn)第4章 半導(dǎo)體的高溫?fù)诫s4.1 固體中的熱擴(kuò)散現(xiàn)象及擴(kuò)散方程4.2 常規(guī)高溫?zé)釘U(kuò)散的數(shù)學(xué)描述4.2.1 恒定表面源擴(kuò)散問(wèn)題的數(shù)學(xué)分析4.2.2 有限表面源擴(kuò)散問(wèn)題的數(shù)學(xué)分析4.3 常規(guī)熱擴(kuò)散工藝簡(jiǎn)介4.4 實(shí)際擴(kuò)散行為與理論分布的差異4.4.1 發(fā)生在氧化硅一硅界面處的雜質(zhì)再分布行為4.4.2 發(fā)生在氧化過(guò)程中的氧化增強(qiáng)擴(kuò)散行為4.5 擴(kuò)散行為的仿真及影響擴(kuò)散行為的效應(yīng)4.5.1 雜質(zhì)熱擴(kuò)散及熱遷移工藝模型4.5.2 氧化增強(qiáng)擴(kuò)散模型4.5.3 對(duì)雜質(zhì)在可動(dòng)界面處變化的一維描述4.5.4 對(duì)雜質(zhì)在可動(dòng)界面處變化的二維描述4.5.5 對(duì)常規(guī)擴(kuò)散行為進(jìn)行的二維描述4.6 深亞微米工藝仿真系統(tǒng)所設(shè)置的小尺寸效應(yīng)模型本章小結(jié)習(xí)題本章參考文獻(xiàn)第5章 離子注入低溫?fù)诫s5.1 離子注入摻雜技術(shù)的特點(diǎn)……第6章 薄膜氣相淀積工藝第7章 圖形光刻工藝原理第8章 掩模制備工藝原理第9章 集成電路工藝仿真第10章 集成結(jié)構(gòu)測(cè)試圖形第11章 電路管芯鍵合封裝第12章 集成電路性能測(cè)試第13章 工藝過(guò)程理化分析第14章 管芯失效及可靠性第15章 超大規(guī)模集成工藝第16章 芯片產(chǎn)業(yè)質(zhì)量管理第17章 可制造性設(shè)計(jì)工具第18章 可制造性設(shè)計(jì)理念附錄A集成電路制作技術(shù)專業(yè)術(shù)語(yǔ)大全附錄B現(xiàn)代集成電路制造技術(shù)縮略語(yǔ)

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