半導體概論

內容概要

　　《半導體概論》從工程應用的角度，濃縮半導體物理、半導體材料和半導體器件的基本內容，介紹半導體及其器件的基本原理，介紹各種主要半導體材料的基本特性、制備方法及其應用，特別注意反映半導體科學與技術發(fā)展前沿的動態(tài)及最新成果。主要內容包括半導體物理與器件概論，半導體材料概論，半導體材料的制備方法，半導體雜質工程與能帶工程，寬禁帶半導體，以及半導體照明等?！　　峨娮有畔⑴c電氣學科規(guī)劃教材：半導體概論》可作為普通高等院校本科電子科學與技術專業(yè)和微電子學專業(yè)“半導體材料”課程和材料科學與工程學科研究生“半導體概論”課程以及相關領域工程碩士課程的教科書，也可作為相關學科研究生“光電子技術”等課程的教學參考書或補充教材，更可供在半導體器件與微電子技術領域、材料科學與工程領域、微機電領域以及應用物理等領域從事研究和開發(fā)工作的研究人員和工程技術人員參考。

書籍目錄

半導體科技發(fā)展史概要（代序）參考文獻第1章 半導體物理概論1.1 半導體中電子的能量狀態(tài)1.1.1 能帶理論1.1.2 半導體的能帶結構1.1.3 半導體中的載流子1.1.4 載流子的有效質量1.2 半導體的導電性1.2.1 載流子的漂移運動和半導體的電導率1.2.2 半導體中的載流子統(tǒng)計1.2.3 散射與載流予的遷移率1.2.4 半導體電阻率的溫度特性1.3 半導體中的額外載流予1.3.1 額外載流子的產(chǎn)生與復合1.3.2 額外載流子的運動1.4 半導體應用基礎1.4.1 半導體器件的基本結構1.4.2 半導體pn結原理1.4.3 金屬一半導體接觸原理1.4.4 MOS柵原理1.4.5 半導體光電子學原理參考文獻第2章 半導體材料概述2.1 半導體材料的晶體結構與分類2.1.1 元素的電負性與原子的結合2.1.2 共價結合與正四面體結構2.1.3 半導體的晶體結構2.1.4 化合物半導體的極性2.2 元素半導體2.2.1 硒（Se）2.2.2 三種具有半導體特征的結晶碳2.2.3 灰錫（a-Sn）2.2.4 鍺（Ge）2.2.5 硅（Si）2.2.6 其他元素半導體2.3 化合物半導體2.3.1 Ⅲ-Ⅴ族化合物2.3.2 Ⅱ-Ⅵ族化合物2.3.3 氧化物半導體2.3.4 Ⅳ-Ⅵ族化合物2.3.5 Ⅳ-Ⅳ族化合物2.3.6 其他化合物半導體2.3.7 半導體固溶體2.4 有機半導體2.5 非晶半導體2.5.1 非晶體結構與制備原理2.5.2 非晶半導體的電子態(tài)2.5.3 非晶半導體的輸運性質2.5.4 非晶半導體的光學性質2.5.5 非晶半導體種類及其應用2.6 精細結構半導體2.6.1 微晶和納米晶2.6.2 半導體超品格2.7 磁性及超導半導體參考文獻第3章 半導體材料制備概述3.1 半導體材料制備的理論基礎3.1.1 相圖3.1.2 區(qū)熔提純原理3.1.3 晶體生長原理3.2 晶體生長技術3.2.1 布里奇曼法（BIidgman）3.2.2　直拉法（czochralski，簡稱cz）3.2.3　區(qū)熔法（Floating Zone，簡稱FZ）3.2.4 升華法3.3半導體薄膜的生長與淀積3.3.1 外延生長3.3.2 半導體薄膜的其他制備方法參考文獻第4章 雜質工程和能帶工程4.1 常規(guī)摻雜……第5章 寬禁帶半導體第6章 半導體照明

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