微電子與光電子集成技術(shù)

內(nèi)容概要

　　微電子技術(shù)與光電子技術(shù)緊密結(jié)合，相互滲透，必將推進(jìn)信息技術(shù)及相關(guān)的高新技術(shù)進(jìn)入新的發(fā)展階段。本書共分為9章，從技術(shù)基礎(chǔ)和實(shí)際應(yīng)用的角度出發(fā)，著重對(duì)微電子與光電子集成技術(shù)相關(guān)的工藝基礎(chǔ)、基本原理和關(guān)鍵集成技術(shù)進(jìn)行了詳細(xì)闡述，主要內(nèi)容包括光發(fā)射器件、光電探測(cè)器、光波導(dǎo)器件、光電子專用集成電路、硅基光電子集成回路、甚短距離光傳輸技術(shù)以及微電子與光電子混合集成技術(shù)等?！　∥㈦娮优c光電子集成技術(shù)的實(shí)用化進(jìn)程，必將為21世紀(jì)科學(xué)技術(shù)的發(fā)展作出重大貢獻(xiàn)。然而，微電子與光電子集成技術(shù)是信息技術(shù)發(fā)展的一個(gè)嶄新方向，雖然各項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)的發(fā)展取得了一定的進(jìn)步，但還存在諸多難題需要進(jìn)一步解決和完善?！　”緯饕獮閺氖录晒怆娮雍凸馔ㄐ诺认嚓P(guān)技術(shù)研究的科研人員提供參考。

書籍目錄

第1章  概述　1.1  微電子技術(shù)簡(jiǎn)介　　1.1.1  雙極型微電子技術(shù)簡(jiǎn)介　　1.1.2  MOS微電子技術(shù)簡(jiǎn)介　　1.1.3  Bi-CMOS微電子技術(shù)簡(jiǎn)介　　1.1.4  SOI微電子技術(shù)簡(jiǎn)介　1.2  光電子技術(shù)簡(jiǎn)介　　1.2.1  光發(fā)射器件簡(jiǎn)介　　1.2.2  光接收器件簡(jiǎn)介　　1.2.3  光波導(dǎo)器件簡(jiǎn)介　　1.2.4  太陽能電池　　1.2.5  電子圖像顯示器件　1.3  工藝與制備　　1.3.1  MBE工藝　　1.3.2  MOCVD工藝　　1.3.3  氧化　　1.3.4  化學(xué)氣相沉積（CVD）　　1.3.5  刻蝕　　1.3.6  光學(xué)光刻　　1.3.7  離子注入　　1.3.8  金屬化　1.4  微電子與光電子集成技術(shù)簡(jiǎn)介　參考文獻(xiàn)第2章  光發(fā)射器件及集成技術(shù)　2.1  光發(fā)射器件理論基礎(chǔ)　　2.1.1  晶體結(jié)構(gòu)　　2.1.2  能帶結(jié)構(gòu)　　2.1.3  雜質(zhì)能級(jí)　　2.1.4  半導(dǎo)體發(fā)光基礎(chǔ)理論　2.2  光發(fā)射二極管　　2.2.1  概述　　2.2.2  半導(dǎo)體光發(fā)射二極管的基本結(jié)構(gòu)　　2.2.3  發(fā)光二極管性質(zhì)　　2.2.4  硅基光發(fā)射二極管　2.3  半導(dǎo)體激光器　　2.3.1  半導(dǎo)體激光器分類　　2.3.2  異質(zhì)結(jié)激光器　　2.3.3  分布反饋激光器（DFB-LD）　　2.3.4  量子阱激光器　　2.3.5  硅基半導(dǎo)體激光器　2.4  垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）　　2.4.1  VCSEL的理論分析　　2.4.2  VCSEL的總體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)　　2.4.3  VCSEL中反射鏡的設(shè)計(jì)　　2.4.4  VCSEL光腔的設(shè)計(jì)　　2.4.5  幾種典型的VCSEL結(jié)構(gòu)及其制作工藝　參考文獻(xiàn)第3章  光接收器件及集成技術(shù)　3.1  光電探測(cè)器理論基礎(chǔ)　　3.1.1  半導(dǎo)體中的光吸收　　3.1.2  光生載流子　3.2  光電探測(cè)器性能參數(shù)　　3.2.1  量子效率和響應(yīng)度　　3.2.2  頻率響應(yīng)　　3.2.3  噪聲和探測(cè)度　3.3  基于Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體材料的光電探測(cè)器　　3.3.1  PIN型光電探測(cè)器　　3.3.2  APD光電探測(cè)器　　3.3.3  MSM光電探測(cè)器　　3.3.4  GaN基紫外光電探測(cè)器　3.4  基于硅基雙極型工藝的光電探測(cè)器　　3.4.1  與標(biāo)準(zhǔn)雙極工藝兼容的集成光電探測(cè)器　　3.4.2  修改雙極工藝條件下的集成光電探測(cè)器　3.5  基于硅基CMOS工藝的集成光電探測(cè)器　　3.5.1  基于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的集成光電探測(cè)器　　3.5.2  定制CMOS工藝下的PIN光電探測(cè)器　　3.5.3  BiCMOS工藝下集成光電探測(cè)器　3.6  鍺硅光電探測(cè)器　3.7  光電探測(cè)器陣列　參考文獻(xiàn)第4章  光波導(dǎo)器件及集成技術(shù)　4.1  光傳輸?shù)睦碚摳攀觥　?.1.1  線光學(xué)理論　　4.1.2  電磁場(chǎng)理論基礎(chǔ)　4.2  光波導(dǎo)基本結(jié)構(gòu)　4.3  SOI光波導(dǎo)　　4.3.1  SOI光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)　　4.3.2  光波導(dǎo)的折射率及損耗系數(shù)　　4.3.3  硅光波導(dǎo)中損耗的分類　　4.3.4  硅中的光調(diào)制機(jī)制　4.4  光波導(dǎo)器件制作技術(shù)　　4.4.1  SOI基片的制備　　4.4.2  SOI波導(dǎo)工藝特點(diǎn)簡(jiǎn)介　4.5  硅基電光調(diào)制器件簡(jiǎn)介　　4.5.1  硅基電光調(diào)制器分類　　4.5.2  光相位調(diào)制器　參考文獻(xiàn)第5章  光電子專用集成電路第6章  硅基光電子集成回路第7章  甚短距離光傳輸模塊及相關(guān)技術(shù)第8章  微電子與光電子混合集成技術(shù)第9章  微電子與光電子集成技術(shù)展望附錄A  縮略語

章節(jié)摘錄

　　第1章　概述　　近代電子信息技術(shù)的發(fā)展可以分為電子計(jì)算機(jī)技術(shù)、微電子技術(shù)、光電子技術(shù)3大分支。其中電子計(jì)算機(jī)技術(shù)發(fā)展時(shí)問最長(zhǎng)，最為成熟。從l946年第一臺(tái)計(jì)算機(jī)誕生到現(xiàn)在，已經(jīng)過去60多年了，在這期間，計(jì)算機(jī)以驚人的速度發(fā)展著，首先是晶體管取代了電子管，繼而是微電子技術(shù)的發(fā)展，使得計(jì)算機(jī)處理器和存儲(chǔ)器上的元件越做越小，數(shù)量越來越多，計(jì)算機(jī)的運(yùn)算速度和存儲(chǔ)容量迅速增加。如今，電子計(jì)算機(jī)技術(shù)已經(jīng)成為電子信息技術(shù)中最為重要的環(huán)節(jié)，而微電子技術(shù)則成為電子信息技術(shù)中的基礎(chǔ)。在過去的50多年中，微電子技術(shù)一直隨著摩爾定律飛速發(fā)展。根據(jù)該定律，芯片上可容納的晶體管數(shù)目每18個(gè)月便可增加一倍，即芯片集成度每18個(gè)月翻一番。而微電子技術(shù)正是依據(jù)這一定律不斷推進(jìn)電子信息技術(shù)的快速發(fā)展。光電子技術(shù)的發(fā)展歷史與微電子技術(shù)幾乎相同。近年來，光電子技術(shù)正成為世界各國(guó)搶占科技優(yōu)勢(shì)的焦點(diǎn)。　　目前，隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，微電子技術(shù)人員面臨著數(shù)據(jù)傳輸速率、帶寬、功耗等多方面的挑戰(zhàn)。而將微電子技術(shù)與光電子技術(shù)結(jié)合起來解決這些問題，正逐漸形成一種新興的微電子與光電子集成技術(shù)。近年來，微電子與光電子集成技術(shù)正成為各國(guó)科學(xué)家研究的熱點(diǎn)?！　?.1　微電子技術(shù)簡(jiǎn)介　　……

圖書封面

圖書標(biāo)簽Tags

無

評(píng)論、評(píng)分、閱讀與下載

---

    微電子與光電子集成技術(shù) PDF格式下載

---