晶體管原理與設(shè)計(jì)

內(nèi)容概要

本書全面系統(tǒng)地介紹了半導(dǎo)體器件基本方程、PN結(jié)二極管、雙極結(jié)型晶體管（BJT）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的基本原理和工作特性，包括直流、功率、頻率、開關(guān)、噪聲等特性，以及器件的SPICE模型。本書還介紹了雙極晶體管的設(shè)計(jì)方法和制造中的問題，并附有各種圖表以供參考。書中提供大量習(xí)題，供讀者鞏固以加深對(duì)所學(xué)知識(shí)的理解。     本書適合作為高等學(xué)校“電子科學(xué)與技術(shù)”、“集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)”、“微電子學(xué)”等本科專業(yè)相關(guān)課程的教材，也可供其他相關(guān)專業(yè)本科生、研究生和工程技術(shù)人員閱讀參考。

作者簡(jiǎn)介

　　陳星弼，男，1931年1月出生于上海，畢業(yè)于重慶永川國(guó)立十六中學(xué)（現(xiàn)名為北山中學(xué)），1952年畢業(yè)于同濟(jì)大學(xué)，后在廈門大學(xué)、南京工學(xué)院及中國(guó)科學(xué)院物理研究所工作。1956年開始在成都電訊工程學(xué)院工作。1980年美國(guó)俄亥俄州大學(xué)作訪問學(xué)者。1981年加州大學(xué)伯克萊分校作訪問學(xué)者、研究工程師。1983年任電子科技大學(xué)微電子科學(xué)與工程系系主任、微電子研究所所長(zhǎng)。曾先后被聘為加拿大多倫多大學(xué)電器工程系客座教授，英國(guó)威爾斯大學(xué)天鵝海分校高級(jí)客座教授。1999年當(dāng)選中國(guó)科學(xué)院院士。

書籍目錄

第1章 半導(dǎo)體器件基本方程  1.1 半導(dǎo)體器件基本方程的形式 1.2 基本方程的簡(jiǎn)化與應(yīng)用舉例 參考文獻(xiàn)第2章 PN結(jié) 2.1 PN結(jié)的平衡狀態(tài) 2.2 PN結(jié)的直流電流電壓方程 2.3 準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)與大注入效應(yīng) 2.4 PN結(jié)的擊穿 2.5 PN結(jié)的勢(shì)壘電容 2.6 PN結(jié)的交流小信號(hào)特征與擴(kuò)散電容 2.7 PN結(jié)的開關(guān)特性 2.8 SPICE中的二極管模型 習(xí)題 參考文獻(xiàn)第3章 雙極結(jié)型晶體管 3.1 雙極結(jié)型晶體管基礎(chǔ) 3.2 均勻基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù) 3.3 緩變基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù) 3.4 雙極晶體管的直流電流電壓方程 3.5 雙極晶體管的反向特性 3.6 基極電阻 3.7 雙極晶體管的功率特性 3.8 電流放大系數(shù)與頻率的關(guān)系 3.9 高頻小信號(hào)電流電壓方程與等效電路 3.10 功率增益和最高振蕩頻率 ……第4章 雙極晶體管的設(shè)計(jì)第5章 絕緣柵場(chǎng)效誚晶體管附錄A 晶體管設(shè)計(jì)中的一些常用圖表

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