硅超大規(guī)模集成電路工藝技術(shù)

前言

　　2001年7月間，電子工業(yè)出版社的領(lǐng)導(dǎo)同志邀請(qǐng)各高校十幾位通信領(lǐng)域方面的老師，商量引進(jìn)國(guó)外教材問(wèn)題。與會(huì)同志對(duì)出版社提出的計(jì)劃十分贊同，大家認(rèn)為，這對(duì)我國(guó)通信事業(yè)、特別是對(duì)高等院校通信學(xué)科的教學(xué)工作會(huì)很有好處。. 教材建設(shè)是高校教學(xué)建設(shè)的主要內(nèi)容之一。編寫、出版一本好的教材，意味著開(kāi)設(shè)了一門好的課程，甚至可能預(yù)示著一個(gè)嶄新學(xué)科的誕生。20世紀(jì)40年代MIT林肯實(shí)驗(yàn)室出版的一套28本雷達(dá)叢書，對(duì)近代電子學(xué)科、特別是對(duì)雷達(dá)技術(shù)的推動(dòng)作用，就是一個(gè)很好的例子。我國(guó)領(lǐng)導(dǎo)部門對(duì)教材建設(shè)一直非常重視。20世紀(jì)80年代，在原教委教材編審委員會(huì)的領(lǐng)導(dǎo)下，匯集了高等院校幾百位富有教學(xué)經(jīng)驗(yàn)的專家。

內(nèi)容概要

　　本書是美國(guó)斯坦福大學(xué)電氣工程系“硅超大規(guī)模集成電路制造工藝”課程所使用的教材，該課程是為電氣工程系微電子學(xué)專業(yè)的四年級(jí)本科生及一年級(jí)研究生開(kāi)設(shè)的一門專業(yè)課。本書最大的特點(diǎn)是，不僅詳細(xì)介紹了與硅超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)制造相關(guān)的實(shí)際工藝技術(shù)，而且還著重講解了這些工藝技術(shù)背后的科學(xué)原理。特別是對(duì)于每一步單項(xiàng)工藝技術(shù)，書中都通過(guò)工藝模型和工藝模擬軟件，非常形象直觀地給出了實(shí)際工藝過(guò)程的物理圖像。同時(shí)全書還對(duì)每一步單項(xiàng)工藝技術(shù)所要用到的測(cè)量方法做了詳細(xì)的介紹，對(duì)于工藝技術(shù)與工藝模型的未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)也做了必要的分析討論。另外，本書每一章后面都附有相關(guān)內(nèi)容的參考文獻(xiàn)，同時(shí)還附有大量習(xí)題?！　?duì)于我國(guó)高等院校微電子學(xué)專業(yè)的教師及學(xué)生，本書是一本不可多得的優(yōu)秀教材和教學(xué)參考書，并可供相關(guān)領(lǐng)域的工程技術(shù)人員學(xué)習(xí)參考。

書籍目錄

第1章　引言及歷史展望1.1　引言1.2　集成電路與平面工藝——促成集成電路產(chǎn)生的幾項(xiàng)關(guān)鍵發(fā)明1.3　半導(dǎo)體的基本特性1.4　半導(dǎo)體器件1.4.1　PN結(jié)二極管1.4.2　MOS晶體管1.4.3　雙極型晶體管1.5　半導(dǎo)體工藝技術(shù)的發(fā)展歷程1.6　現(xiàn)代科學(xué)發(fā)現(xiàn)——實(shí)驗(yàn)、理論與計(jì)算機(jī)模擬1.7　本書的內(nèi)容安排1.8　本章要點(diǎn)小結(jié)1.9　參考文獻(xiàn)1.10習(xí)題第2章　現(xiàn)代CMOS工藝技術(shù)2.1　引言2.2　CMOS工藝流程2.2.1　CMOS工藝流程2.2.2　有源區(qū)的形成2.2.3　用于器件隔離的可選工藝方案——淺槽隔離2.2.4　N阱和P阱的形成2.2.5　用于制備有源區(qū)和阱區(qū)的可選工藝方案2.2.6　柵電極的制備2.2.7　前端或延伸區(qū)（LDD）的形成2.2.8　源漏區(qū)的形成2.2.9　接觸與局部互連的形成2.2.10多層金屬互連的形成2.3　本章要點(diǎn)小結(jié)2.4　習(xí)題第3章　晶體生長(zhǎng)、晶圓片制造與硅晶圓片的基本特性3.1　引言3.2　歷史發(fā)展和基本概念3.2.1　單晶結(jié)構(gòu)3.2.2　晶體中的缺陷3.2.3　原料與提純3.2.4　直拉和區(qū)熔單晶的生長(zhǎng)方法3.2.5　圓片的準(zhǔn)備和規(guī)格3.3　制造方法和設(shè)備3.4　測(cè)量方法3.4.1　電學(xué)測(cè)試3.4.2　物理測(cè)量3.5　模型和模擬3.5.1　直拉法單晶生長(zhǎng)3.5.2　CZ單晶生長(zhǎng)期間的摻雜3.5.3　區(qū)域精煉與區(qū)熔（FZ）生長(zhǎng)3.5.4　點(diǎn)缺陷3.5.5　硅中的氧3.5.6　硅中碳3.5.7　模擬3.6　技術(shù)和模型的限制及未來(lái)趨勢(shì)3.7　本章要點(diǎn)小結(jié)3.8　參考文獻(xiàn)3.9　習(xí)題第4章　半導(dǎo)體制造——潔凈室、晶圓片清洗與吸雜處理4.1　引言4.2　歷史的發(fā)展與幾個(gè)基本概念4.2.1　第一個(gè)層次的污染降低:超凈化工廠4.2.2　第二個(gè)層次的污染降低:晶圓片清洗4.2.3　第三個(gè)層次的污染降低:吸雜處理4.3　制造方法與設(shè)備4.3.1　第一個(gè)層次的污染降低:超凈化工廠4.3.2　第二個(gè)層次的污染降低:晶圓片清洗4.3.3　第三個(gè)層次的污染降低:吸雜處理4.4　測(cè)量方法4.4.1　第一個(gè)層次的污染降低:超凈化工廠4.4.2　第二個(gè)層次的污染降低:晶圓片清洗4.4.3　第二個(gè)層次的污染降低:吸雜處理4.5　模型與模擬（模型化方法與模擬技術(shù)）4.5.1　第一個(gè)層次的污染降低:超凈化工廠4.5.2　第二個(gè)層次的污染降低:晶圓片清洗4.5.3　第三個(gè)層次的污染降低:吸雜處理4.6　工藝技術(shù)與模型方面的限制因素及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)4.7　本章要點(diǎn)小結(jié)4.8　參考文獻(xiàn)4.9　習(xí)題第5章　光刻第6章　熱氧化和Si-SiO2界面第7章　擴(kuò)散第8章　離子注入第9章　薄膜淀積第10章　刻蝕第11章　后端工藝附錄術(shù)語(yǔ)表

編輯推薦

　　《硅超大規(guī)模集成電路工藝技術(shù)：理論實(shí)踐與模型》對(duì)于我國(guó)高等院校微電子學(xué)專業(yè)的教師及學(xué)生，《硅超大規(guī)模集成電路工藝技術(shù)：理論實(shí)踐與模型》是一本不可多得的優(yōu)秀教材和教學(xué)參考書，并可供相關(guān)領(lǐng)域的工程技術(shù)人員學(xué)習(xí)參考。

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