CMOS模擬集成電路設計

內(nèi)容概要

　　本書是模擬集成電路設計課程的一本經(jīng)典教材，作者從CMOS技術(shù)的前沿出發(fā)，結(jié)合豐富的工程和教學經(jīng)驗，對CMOS模擬電路設計的原理和技術(shù)以及容易被忽略的問題給出了詳盡論述，闡述了分層設計的方法。全書共分十章，主要介紹了模擬集成電路設計的背景知識，CMOS技術(shù)，器件模型，以及主要模擬電路的原理和設計，包括CMOS基本單元電路（MOS開關(guān)、MOS二極管、有源電阻，電流漏、電流源、電流鏡、帶隙基準源、基準電流源和電壓源等），放大器，運算放大器，比較器，開關(guān)電容電路，D/A和A/D轉(zhuǎn)換電路。本書通過大量設計實例闡述設計原理，將理論與實踐融為一體，同時還針對許多工業(yè)界人士的需求和問題進行了分析和解釋，因而本書不僅可以用做大專院校相關(guān)專業(yè)高年級本科生和研究生的教材，也可以作為半導體的集成電路設計領(lǐng)域技術(shù)人員很有價值的參考書?！　?	　　

書籍目錄

第一章 緒論1.1 模擬集成電路設計1.2 字符、符號和術(shù)語1.3 模擬信號處理1.4 VLSI混合信號電路設計模擬舉例1.5 小結(jié)習題參考文獻第二章 CMOS技術(shù)2.1 基本MOS半導體制造工藝2.2 PN結(jié)2.3 COM晶體管2.4 無源元件2.5 關(guān)于CMOS技術(shù)的其他考慮2.6 集成電路版圖2.7 小結(jié)習題參考文獻第三章 CMOS器件模型3.1 簡單的MOS大信號模型3.2 其他MOS管大信號模型的參數(shù)3.3 MOS管的小信號模型3.4 計算機仿真模型3.5 亞閾值電壓區(qū)MOS模型3.6 MOS電路的SPICE模擬3.7 小結(jié)習題參考文獻第四章 模擬CMOS子電路4.1 MOS開關(guān)4.2 MOS二極管/有源電阻4.3 電流漏和電流源4.4 電流鏡4.5 基準電流和電壓4.6 帶隙基準4.7 小結(jié)習題參考文獻第五章 CMOS放大器5.1 反相器5.2 差分放大器5.3 共源共柵放大器5.4 電流放大器5.5 輸出放大器5.6 商增益放大器結(jié)構(gòu)5.7 小結(jié)習題參考文獻第六章 CMOS運算放大器6.1 CMOS運算放大器設計6.2 運算放大器的補償6.3 兩級運算放大器設計6.4 兩級運算放大器的電源抑制比6.5 共源共柵運算放大器6.6 運算放大器的仿真與測量6.7 運算放大器的宏模型6.8 小結(jié)習題參考文獻第七章 高性能CMOS運算放大器……第八章 比較器第九章 開關(guān)電容電路第十章 數(shù)模和模數(shù)轉(zhuǎn)換器附錄索引

編輯推薦

　　期待多年之后，備受尊敬的兩位作者Phillip E. Allen和Douglas R.Holberg又為讀者奉上了經(jīng)典教材《CMOS模擬集成電路設》的第二版。作者從CMOS技術(shù)的前沿出發(fā)，將他們豐富的實踐經(jīng)驗與教學經(jīng)驗相結(jié)合，對CMOS模似電路設計的原理和技術(shù)給出了深入和詳盡的論述，本書有兩個主要目標：　　將理論和實踐完美結(jié)事，在內(nèi)容處理上既不膚淺也不拘泥于細節(jié)；　　使讀者能夠應用層次化設計的方法進行模擬集成電路設計；　　第二版中講到的多數(shù)技術(shù)和原理在過去的十年中已經(jīng)介紹給了工業(yè)界的讀者，他們提出的問題和需求對本書的修訂起了很大的作用，從而使新版教材成為更有價值的工程技術(shù)人員的參考書?！　”緯奶攸c是獨特的設計方法，該方法可使讀者一步一步地經(jīng)歷創(chuàng)建實際電路的過程，并能夠分析復雜的設計問題。本書詳細計論了容易被忽略的問題，同時有意識地談化了雙極型模擬電路，因為CMOS是模擬集成電路設計的主流工藝。本書適用于具有一定基礎(chǔ)電子學背景知識的高年級本科生和研究生，這些知識主要包括：偏置、建模、電路分析和頻率響應。本書提供了一個完整的設計流程圖，使讀者能夠用CMOS技術(shù)完成模擬電路設計?！　?	　　		　　

圖書封面

圖書標簽Tags

無

評論、評分、閱讀與下載

---

    CMOS模擬集成電路設計 PDF格式下載

---