VLSI測(cè)試方法學(xué)和可測(cè)性設(shè)計(jì)

出版時(shí)間:2005-1-1  出版社:電子工業(yè)出版社  作者:雷紹充,梁峰,邵志標(biāo)  頁(yè)數(shù):286  字?jǐn)?shù):480000  
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內(nèi)容概要

本書(shū)系統(tǒng)介紹超大規(guī)模集成電路(VLSI)的測(cè)試方法學(xué)和的可測(cè)性設(shè)計(jì),為讀者進(jìn)行更深層次的電路設(shè)計(jì)、模擬、測(cè)試和分析打下良好的基礎(chǔ),也為電路(包括電路級(jí)、芯片級(jí)和系統(tǒng)級(jí))的設(shè)計(jì)、制造、測(cè)試和應(yīng)用之間建立一個(gè)相互交流的平臺(tái)。    本書(shū)主要內(nèi)容為電路測(cè)試、分析的基本概念和理論,數(shù)字電路的描述和模擬方法,組合電路和時(shí)序電路的測(cè)試生成方法,專(zhuān)用可測(cè)性設(shè)計(jì),掃描和邊界掃描理論,IDDQ測(cè)試,隨機(jī)和偽隨機(jī)測(cè)試原理,各種測(cè)試生成電路結(jié)構(gòu)及其生成序列之間的關(guān)系,與MY鄧列相關(guān)的其他測(cè)試生成方法,內(nèi)建自測(cè)度原理,各種數(shù)據(jù)壓縮結(jié)構(gòu)和壓縮關(guān)系,專(zhuān)用電路Memory和SoC等的可測(cè)性設(shè)計(jì)方法。    本書(shū)既可作為人一集成電路設(shè)計(jì)、制造、測(cè)試、應(yīng)用,EDA和ATE專(zhuān)業(yè)人員的參考用書(shū),也可作為高等院校高年級(jí)學(xué)生和研究生的專(zhuān)業(yè)課程教材。

書(shū)籍目錄

第0章 概述  0.1 研究意義  0.2 章節(jié)安排  0.3 常用術(shù)語(yǔ)第1章 電路分析基礎(chǔ)  1.1 驗(yàn)證、模擬和測(cè)試  1.2 故障及故障檢測(cè)  1.3 缺陷、失效和故障  1.4 故障模型  1.5 故障的等效、支配和故障冗余  1.6 可控性、可觀性及可測(cè)性  1.7 數(shù)字電路的各種模型和描述方法第2章 模擬  2.1 大規(guī)模設(shè)計(jì)模擬  2.2 邏輯模擬  2.3 故障模擬第3章 組合電路和的測(cè)試  3.1 簡(jiǎn)介  3.2 異或法  3.3 布爾差分  3.4 路徑敏化法  3.5 D算法  3.6 PODEM算法  3.7 其他測(cè)試生成算法第4章 時(shí)序電路的測(cè)試  4.1 時(shí)序電路測(cè)試的概念  4.2 時(shí)序電路的功能測(cè)試  4.3 時(shí)序電路的確定性測(cè)試生成  4.4 時(shí)序電路的其他測(cè)試生成方法第5章 專(zhuān)用可測(cè)性設(shè)計(jì)  5.1 概述  5.2 可測(cè)性分析  5.3 可測(cè)性的改善方法  5.4 容易測(cè)試的電路  5.5 組合電路的可測(cè)性設(shè)計(jì)  5.6 時(shí)序電路可測(cè)性設(shè)計(jì)中的問(wèn)題第6章 掃描路徑法  6.1 簡(jiǎn)介  6.2 掃描路徑設(shè)計(jì)  6.3 掃描路徑的測(cè)試方法  6.4 掃描路徑設(shè)計(jì)及測(cè)試舉例  6.5 掃描路徑的結(jié)構(gòu)第7章 邊界掃描法  7.1 邊界掃描法的基本結(jié)構(gòu)  7.2 測(cè)試存取通道及控制  7.3 寄存器及指令  7.4 操作方式  7.5 邊界掃描描述語(yǔ)言第8章 隨機(jī)測(cè)試和偽隨機(jī)測(cè)試  8.1 隨機(jī)測(cè)試  8.2 偽隨機(jī)序列  8.3 LFSR的數(shù)學(xué)基礎(chǔ)  8.4 偽隨機(jī)測(cè)試序列生成電路  8.5 與M序列相關(guān)的序列的生成方法  8.6 低功耗測(cè)試序列第9章 內(nèi)建自測(cè)試  9.1 內(nèi)建自測(cè)試的概念  9.2 響應(yīng)數(shù)據(jù)壓縮  9.3 特征分析法  9.4 內(nèi)建自測(cè)試的結(jié)構(gòu)第10章 電流測(cè)試  10.1 簡(jiǎn)介  10.2 IDDQ測(cè)試機(jī)理  10.3 IDDQ測(cè)試方法  10.4 故障檢測(cè)  10.5 測(cè)試圖形生成  10.6 深亞微米技術(shù)對(duì)電流測(cè)試的影響第11章 存儲(chǔ)器測(cè)試  11.1 存儲(chǔ)器電路模型  11.2 存儲(chǔ)器的缺陷和故障模型  11.3 存儲(chǔ)器測(cè)試的類(lèi)型  11.4 存儲(chǔ)器測(cè)試算法  11.5 存儲(chǔ)器測(cè)試方法  11.6 存儲(chǔ)器冗余和修復(fù)第12章 SoC測(cè)試  12.1 SoC測(cè)試的基本問(wèn)題  12.2 概念性的SoC測(cè)試結(jié)構(gòu)  12.3 測(cè)試策略  12.4 IEEE P 1500標(biāo)準(zhǔn)  12.5 SoC測(cè)試再探索

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