納米電子材料與器件

內容概要

　　納米電子學誕生是微電子學發(fā)展到今天的必然，納米電子器件是繼微電子器件之后的下一代固體電子器件，納米電子材料與器件是納米電子學的基礎和關鍵。本書較為系統(tǒng)地闡述了納米尺度的電子學的理論基礎和實驗研究的現狀，全書共分八章，內容包括：納米電子學的誕生和發(fā)展綜述；納米材料及其電子學性質；納米硅基CMOS器件；納米電子學基礎；固態(tài)納米電子器件；納米光電子材料和器件；納米表征和納米制造技術；碳納米管場致發(fā)射顯示器?！　”緯m合于電子學領域科研人員和電子學高年級本科生及研究生使用，同時也適合物理、化學和材料學科領域從事納米科學技術科研工作者進行閱讀。

書籍目錄

第一章　緒論1.1 納米科學技術的誕生及其潛在影響1.1.1 納米科學技術的起源和發(fā)展1.1.2 納米科學技術對人類的潛在影響1.2 從微電子學到納米電子學1.2.1 微電子器件發(fā)展的摩爾定律1.2.2 納米電子學的誕生1.2.3 納米電子學的研究基礎1.3　納米電子材料和器件1.3.1 納米電子材料及其應用1.3.2 電子器件的發(fā)展1.3.3 納米電子器件及其研究內容1.4 納米尺度材料和器件的制備、測量及其表征1.4.1 電子材料和器件發(fā)展過程中的相互作用1.4.2 電子薄膜材料及其多層化薄膜器件是目前研究的主流1.4.3 納米測量和表征及其基本特點小結參考文獻第二章　納米材料及其電子學性質2.1 納米電子材料2.1.1 分類和特征2.1.2 制備方法簡介2.2 納米結構及其組裝技術2.2.1 納米結構及其特征2.2.2 納米結構的組裝技術2.3 固體電子學基礎2.3.1 晶體的電子能帶結構2.3.2 費米分布函數2.3.3 金屬和半導體中的電子分布2.4　維納米材料的電子結構2.4.1 低維半導體的電子結構2.4.2 碳納米管及其電子學性質2.5 有限高勢壘的量子隧穿理論2.5.1 一維對稱方勢壘的隧穿理論2.5.2 半導體超晶格及其微帶輸運小結參考文獻第三章　納米硅基CMOS器件3.1　硅基MOS集成電路技術步入納米尺度3.1.1 國際MOS集成電路技術產業(yè)發(fā)展史3.1.2 國際納米尺度CMOS器件的研究現狀3.2 納米CMOS器件面臨的挑戰(zhàn)3.2.1 CMOS技術面臨的挑戰(zhàn)3.2.2 納米CMOS器件新物理效應3.3 納米體硅CMOS器件結構3.3.1 按比例縮小限制3.3.2 納米CMOS器件中的柵結構3.3.3 納米CMOS器件中溝道結構3.3.4 納米CMOS器件中源漏淺結結構——超淺結和相關離子摻雜新技術3.4 納米體硅CMOS器件工藝3.4.1 納米體硅器件的圖形制備技術3.4.2 超細柵線條和超淺pn結的制作3.5 納米體硅CMOS器件的量子效應3.5.1 薄柵氧化層的量子隧穿效應3.5.2 溝道反型層量子化效應3.5.3 溝道雜質隨機分布3.6 新型CMOS器件及其集成技術3.6.1 SOI MOSFET3.6.2 雙柵MOSFET小結參考文獻第四章　納米電子學基礎4.1 固體電子學在納米尺度的發(fā)展空間4.2 小尺度晶體中電子的輸運性質4.2.1 電子運動的幾個基本物理特征長度4.2.2 晶體中電子輸運性質4.3 納米結構的基本物理現象及其規(guī)律4.3.1 納米結構中載流子輸運的幾個基本物理現象4.3.2 量子導線的理想彈道輸運和電導量子4.3.3 庫侖阻塞和單電子隧穿4.4 納米結構的Landauer一Buttiker輸運理論4.4.1 納米結構的二端單通道模式的Landauer電導公式4.4.2 納米結構的二端多通道模式的Buttiker電導公式小結參考文獻第五章　固態(tài)納米電子器件5.1 量子電子器件的基本類型及其特征5.2共振隧穿器件5.2.1 雙勢壘結構及其共振隧穿效應.5.2.2 共振隧穿器件的工作機理5.2.3 RTD應用5.3 單電子器件5.3.1 單電子盒——最簡單的單電子器件5.3.2 單電子晶體管5.4　碳納米管互連及其場效應晶體管5.4.1 碳納米管輸運性質及其互連5.4.2 碳納米管場效應晶體管5.4.3 碳納米管在未來納米電子學中的發(fā)展前景小結參考文獻第六章　納米光電子材料和器件6.1 固體光電子學的發(fā)展歷史6.1.1 固體光電子學的發(fā)展6.1.2 納米光電子器件的起源和研究現狀6.2　低維半導體的光學性質6.2.1 半導體中的激子理論6.2.2 低維半導體中的帶間躍遷及其激子效應6.2.3 半導體量子阱中同一帶內子帶間光躍遷6.3　仁導體發(fā)光二極管6.3.1 發(fā)光二極管簡介6.3.2 白光二極管和未來照明工程6.3.3 InGaN/（3aN量子阱高亮度發(fā)光二極管6.4　異質結半導體激光器6.4.1 雙異質結激光器6.4.2 量子阱/超晶格異質結激光器6.4.3 量子點半導體異質結激光器6.4.4 單量子線半導體異質結激光器6.5 導體光電/光熱探測器6.5.1 量子光電探測原理和應用6.5.2 光熱探測機理及應用6.5.3 納米傳感器、執(zhí)行器及其智能微系統(tǒng)MEMS和NEMS6.6 光子晶體及其應用6.6.1 光子晶體基本理論和基本特性6.6.2 光子晶體的制備和應用研究小結參考文獻第七章　納米表征和納米制造技術7.1 納米表征技術7.1.1 X射線衍射方法7.1.2 電子束分析方法7.1.3 表面分析技術7.1.4 掃描探針技術7.2 納米制造技術7.2.1 納米制造技術的兩個基本途徑及其綜合7.2.2 薄膜沉積技術及其應用7.2.3 納米結構的圖形轉移技術7.2.4 納米結構的自組裝技術小結參考文獻第八章　碳納米管場致發(fā)射顯示器8.1 場致發(fā)射現象及其基本規(guī)律8.1.1 真空微/納電子學和場致電子發(fā)射現象8.1.2 場致電子發(fā)射的Fowle—Nordhaeim理論8.1.3 場致發(fā)射冷陰極的應用研究8.2 碳納米管陰極的場致發(fā)射性質8.2.1 單根碳納米管及其陣列的場致發(fā)射性質8.2.2 直接生長碳納米管膜陰極的場致發(fā)射性質8.2.3 印制型碳納米管膜陰極的場致發(fā)射性質研究8.3 碳納米管平板顯示器8.3.1 場致發(fā)射平板顯示器的顯示原理和研究現狀8.3.2 CNTFEA制備技術8.3.3 三極結構CNT-FED陰極的制備技術8.3.4 CNT-FED的發(fā)展前景小結參考文獻

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　　本書較為系統(tǒng)地闡述了納米尺度的電子學的理論基礎和實驗研究現狀，全書共分八章，內容包括：納米電子學的誕生和發(fā)展綜述；納米材料及其電子學性質；納米硅基CMOS器件；納米電子學基礎；固態(tài)納米電子器件；納米光電子材料和器件；納米表征和納米制造技術；碳納米管場致發(fā)射顯示器。

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