納米電子材料與器件

內(nèi)容概要

　　納米電子學(xué)誕生是微電子學(xué)發(fā)展到今天的必然，納米電子器件是繼微電子器件之后的下一代固體電子器件，納米電子材料與器件是納米電子學(xué)的基礎(chǔ)和關(guān)鍵。本書較為系統(tǒng)地闡述了納米尺度的電子學(xué)的理論基礎(chǔ)和實(shí)驗(yàn)研究的現(xiàn)狀，全書共分八章，內(nèi)容包括：納米電子學(xué)的誕生和發(fā)展綜述；納米材料及其電子學(xué)性質(zhì)；納米硅基CMOS器件；納米電子學(xué)基礎(chǔ)；固態(tài)納米電子器件；納米光電子材料和器件；納米表征和納米制造技術(shù)；碳納米管場(chǎng)致發(fā)射顯示器?！　”緯m合于電子學(xué)領(lǐng)域科研人員和電子學(xué)高年級(jí)本科生及研究生使用，同時(shí)也適合物理、化學(xué)和材料學(xué)科領(lǐng)域從事納米科學(xué)技術(shù)科研工作者進(jìn)行閱讀。

書籍目錄

第一章　緒論1.1 納米科學(xué)技術(shù)的誕生及其潛在影響1.1.1 納米科學(xué)技術(shù)的起源和發(fā)展1.1.2 納米科學(xué)技術(shù)對(duì)人類的潛在影響1.2 從微電子學(xué)到納米電子學(xué)1.2.1 微電子器件發(fā)展的摩爾定律1.2.2 納米電子學(xué)的誕生1.2.3 納米電子學(xué)的研究基礎(chǔ)1.3　納米電子材料和器件1.3.1 納米電子材料及其應(yīng)用1.3.2 電子器件的發(fā)展1.3.3 納米電子器件及其研究?jī)?nèi)容1.4 納米尺度材料和器件的制備、測(cè)量及其表征1.4.1 電子材料和器件發(fā)展過(guò)程中的相互作用1.4.2 電子薄膜材料及其多層化薄膜器件是目前研究的主流1.4.3 納米測(cè)量和表征及其基本特點(diǎn)小結(jié)參考文獻(xiàn)第二章　納米材料及其電子學(xué)性質(zhì)2.1 納米電子材料2.1.1 分類和特征2.1.2 制備方法簡(jiǎn)介2.2 納米結(jié)構(gòu)及其組裝技術(shù)2.2.1 納米結(jié)構(gòu)及其特征2.2.2 納米結(jié)構(gòu)的組裝技術(shù)2.3 固體電子學(xué)基礎(chǔ)2.3.1 晶體的電子能帶結(jié)構(gòu)2.3.2 費(fèi)米分布函數(shù)2.3.3 金屬和半導(dǎo)體中的電子分布2.4　維納米材料的電子結(jié)構(gòu)2.4.1 低維半導(dǎo)體的電子結(jié)構(gòu)2.4.2 碳納米管及其電子學(xué)性質(zhì)2.5 有限高勢(shì)壘的量子隧穿理論2.5.1 一維對(duì)稱方勢(shì)壘的隧穿理論2.5.2 半導(dǎo)體超晶格及其微帶輸運(yùn)小結(jié)參考文獻(xiàn)第三章　納米硅基CMOS器件3.1　硅基MOS集成電路技術(shù)步入納米尺度3.1.1 國(guó)際MOS集成電路技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展史3.1.2 國(guó)際納米尺度CMOS器件的研究現(xiàn)狀3.2 納米CMOS器件面臨的挑戰(zhàn)3.2.1 CMOS技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)3.2.2 納米CMOS器件新物理效應(yīng)3.3 納米體硅CMOS器件結(jié)構(gòu)3.3.1 按比例縮小限制3.3.2 納米CMOS器件中的柵結(jié)構(gòu)3.3.3 納米CMOS器件中溝道結(jié)構(gòu)3.3.4 納米CMOS器件中源漏淺結(jié)結(jié)構(gòu)——超淺結(jié)和相關(guān)離子摻雜新技術(shù)3.4 納米體硅CMOS器件工藝3.4.1 納米體硅器件的圖形制備技術(shù)3.4.2 超細(xì)柵線條和超淺pn結(jié)的制作3.5 納米體硅CMOS器件的量子效應(yīng)3.5.1 薄柵氧化層的量子隧穿效應(yīng)3.5.2 溝道反型層量子化效應(yīng)3.5.3 溝道雜質(zhì)隨機(jī)分布3.6 新型CMOS器件及其集成技術(shù)3.6.1 SOI MOSFET3.6.2 雙柵MOSFET小結(jié)參考文獻(xiàn)第四章　納米電子學(xué)基礎(chǔ)4.1 固體電子學(xué)在納米尺度的發(fā)展空間4.2 小尺度晶體中電子的輸運(yùn)性質(zhì)4.2.1 電子運(yùn)動(dòng)的幾個(gè)基本物理特征長(zhǎng)度4.2.2 晶體中電子輸運(yùn)性質(zhì)4.3 納米結(jié)構(gòu)的基本物理現(xiàn)象及其規(guī)律4.3.1 納米結(jié)構(gòu)中載流子輸運(yùn)的幾個(gè)基本物理現(xiàn)象4.3.2 量子導(dǎo)線的理想彈道輸運(yùn)和電導(dǎo)量子4.3.3 庫(kù)侖阻塞和單電子隧穿4.4 納米結(jié)構(gòu)的Landauer一Buttiker輸運(yùn)理論4.4.1 納米結(jié)構(gòu)的二端單通道模式的Landauer電導(dǎo)公式4.4.2 納米結(jié)構(gòu)的二端多通道模式的Buttiker電導(dǎo)公式小結(jié)參考文獻(xiàn)第五章　固態(tài)納米電子器件5.1 量子電子器件的基本類型及其特征5.2共振隧穿器件5.2.1 雙勢(shì)壘結(jié)構(gòu)及其共振隧穿效應(yīng).5.2.2 共振隧穿器件的工作機(jī)理5.2.3 RTD應(yīng)用5.3 單電子器件5.3.1 單電子盒——最簡(jiǎn)單的單電子器件5.3.2 單電子晶體管5.4　碳納米管互連及其場(chǎng)效應(yīng)晶體管5.4.1 碳納米管輸運(yùn)性質(zhì)及其互連5.4.2 碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管5.4.3 碳納米管在未來(lái)納米電子學(xué)中的發(fā)展前景小結(jié)參考文獻(xiàn)第六章　納米光電子材料和器件6.1 固體光電子學(xué)的發(fā)展歷史6.1.1 固體光電子學(xué)的發(fā)展6.1.2 納米光電子器件的起源和研究現(xiàn)狀6.2　低維半導(dǎo)體的光學(xué)性質(zhì)6.2.1 半導(dǎo)體中的激子理論6.2.2 低維半導(dǎo)體中的帶間躍遷及其激子效應(yīng)6.2.3 半導(dǎo)體量子阱中同一帶內(nèi)子帶間光躍遷6.3　仁導(dǎo)體發(fā)光二極管6.3.1 發(fā)光二極管簡(jiǎn)介6.3.2 白光二極管和未來(lái)照明工程6.3.3 InGaN/（3aN量子阱高亮度發(fā)光二極管6.4　異質(zhì)結(jié)半導(dǎo)體激光器6.4.1 雙異質(zhì)結(jié)激光器6.4.2 量子阱/超晶格異質(zhì)結(jié)激光器6.4.3 量子點(diǎn)半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)激光器6.4.4 單量子線半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)激光器6.5 導(dǎo)體光電/光熱探測(cè)器6.5.1 量子光電探測(cè)原理和應(yīng)用6.5.2 光熱探測(cè)機(jī)理及應(yīng)用6.5.3 納米傳感器、執(zhí)行器及其智能微系統(tǒng)MEMS和NEMS6.6 光子晶體及其應(yīng)用6.6.1 光子晶體基本理論和基本特性6.6.2 光子晶體的制備和應(yīng)用研究小結(jié)參考文獻(xiàn)第七章　納米表征和納米制造技術(shù)7.1 納米表征技術(shù)7.1.1 X射線衍射方法7.1.2 電子束分析方法7.1.3 表面分析技術(shù)7.1.4 掃描探針技術(shù)7.2 納米制造技術(shù)7.2.1 納米制造技術(shù)的兩個(gè)基本途徑及其綜合7.2.2 薄膜沉積技術(shù)及其應(yīng)用7.2.3 納米結(jié)構(gòu)的圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)7.2.4 納米結(jié)構(gòu)的自組裝技術(shù)小結(jié)參考文獻(xiàn)第八章　碳納米管場(chǎng)致發(fā)射顯示器8.1 場(chǎng)致發(fā)射現(xiàn)象及其基本規(guī)律8.1.1 真空微/納電子學(xué)和場(chǎng)致電子發(fā)射現(xiàn)象8.1.2 場(chǎng)致電子發(fā)射的Fowle—Nordhaeim理論8.1.3 場(chǎng)致發(fā)射冷陰極的應(yīng)用研究8.2 碳納米管陰極的場(chǎng)致發(fā)射性質(zhì)8.2.1 單根碳納米管及其陣列的場(chǎng)致發(fā)射性質(zhì)8.2.2 直接生長(zhǎng)碳納米管膜陰極的場(chǎng)致發(fā)射性質(zhì)8.2.3 印制型碳納米管膜陰極的場(chǎng)致發(fā)射性質(zhì)研究8.3 碳納米管平板顯示器8.3.1 場(chǎng)致發(fā)射平板顯示器的顯示原理和研究現(xiàn)狀8.3.2 CNTFEA制備技術(shù)8.3.3 三極結(jié)構(gòu)CNT-FED陰極的制備技術(shù)8.3.4 CNT-FED的發(fā)展前景小結(jié)參考文獻(xiàn)

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　　本書較為系統(tǒng)地闡述了納米尺度的電子學(xué)的理論基礎(chǔ)和實(shí)驗(yàn)研究現(xiàn)狀，全書共分八章，內(nèi)容包括：納米電子學(xué)的誕生和發(fā)展綜述；納米材料及其電子學(xué)性質(zhì)；納米硅基CMOS器件；納米電子學(xué)基礎(chǔ)；固態(tài)納米電子器件；納米光電子材料和器件；納米表征和納米制造技術(shù)；碳納米管場(chǎng)致發(fā)射顯示器。

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