半導體器件和集成電路的輻射效應

內(nèi)容概要

本書較為全面地介紹了各類典型半導體器件和集成電路在核輻射（主要為中子注量、總劑量和劑量率等）和空間輻射環(huán)境下的損傷機理和效應。主要內(nèi)容包括：國內(nèi)外核輻射效應發(fā)展簡史、研究對象和方法，核爆炸、空間、模擬源和核動力等輻射環(huán)境分析，位移、電離、劑量增強和單粒子等輻射效應機理，各類二極管、微波器件、雙極和單結(jié)晶體管、異質(zhì)結(jié)器件、場效應晶體管、各類線性和數(shù)字集成電路等的輻射效應，宇宙射線重離子、質(zhì)子和中子等粒子在大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中產(chǎn)生的單粒子效應，X射線和低能r射線輻射器件和電路中引起的劑量增強效應，低劑量率輻射在器件和電路中產(chǎn)生的增強損傷，紅外探測器、光電和電光器件、激光二極管和CCD等光學器件的輻射效應。　

書籍目錄

第1章 緒論 1.1 核輻射效應發(fā)展簡史 1.2 研究對象與方法 1.3 描述輻射效應的幾個物理量 參考文獻第2章 輻射環(huán)境 2.1 核爆炸輻射環(huán)境 2.2 空間環(huán)境 2.3 模擬源環(huán)境 2.4 核動力輻射環(huán)境 2.5 其它輻射環(huán)境 參考文獻第3章 輻射損傷機理 3.1 位移效應 3.2 電離效應 3.3 劑量增強效應 3.4 低劑量率效應 參考文獻第4章 分立半導體器件輻射效應 4.1 二極管 4.2 微波半導體器件 4.3 單結(jié)晶體管 4.4 雙極晶體管 4.5 異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT) 4.6 場效應晶體管 4.7 硅可控整流器 4.8 太陽能電池 4.9 晶體振蕩器 參考文獻第5章 集成電路輻射效應 5.1 雙極線性集成電路 5.2 雙極數(shù)字集成電路 5.3 結(jié)型場效應晶體管(JFET)集成電路 5.4 MOS線性集成電路 5.5 MOS數(shù)字集成電路 5.6 微處理器(CPU) 參考文獻第6章 單粒子效應……第7章 劑量增強效應第8章 低劑量率輻射效應第9章 光學器件輻射效應

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