硅鍺的性質(zhì)

內(nèi)容概要

《硅鍺的性質(zhì)》由31位來自德國、美國、加拿大、英國、日本等國Si基異質(zhì)結(jié)構(gòu)和應用領(lǐng)域的教授們撰稿，是一本論述SiGe／Si知識的權(quán)威性專著?！豆桄N的性質(zhì)》共七章，第一章綜述了SiGe應變層系統(tǒng)的一些總體性質(zhì)；第二章至第六章給出了應變的和弛豫的SiGe合金的具體材料性質(zhì)，論述了SiGe材料的結(jié)晶學、異質(zhì)結(jié)構(gòu)、熱學性質(zhì)、力學和晶格振動、能帶結(jié)構(gòu)、輸運特性、磁學特性、表面性質(zhì)、光吸收和光譜等方面的內(nèi)容；第七章介紹了一些代表性的SiGe／Si器件的結(jié)構(gòu)和特性。
《硅鍺的性質(zhì)》是半導體領(lǐng)域的學者和工程技術(shù)人員的必讀書，適于材料專業(yè)和半導體專業(yè)的科技人員、研究生、博士生閱讀，還可供物理領(lǐng)域中的廣大科技人員作為手冊進行查閱。
繼Si之后，SiGe／Si是研究得最多、最深入的一類Si基異質(zhì)材料。應變的和弛豫的SiGe已經(jīng)成為電子集成電路和光電子集成電路的非常重要的材料。

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