MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)集成電路及應(yīng)用

前言

　　近幾年來(lái)，隨著微電子技術(shù)、磁性材料科學(xué)以及其他邊沿技術(shù)科學(xué)的不斷改進(jìn)和飛速發(fā)展，開關(guān)穩(wěn)壓電源（DC－DC、DC－AC、AC－DC、AC－AC等各種非線性高頻變換器技術(shù)）、功率因數(shù)校正（PFC）、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)（無(wú)極調(diào)速和變頻調(diào)速）和電源管理技術(shù)有了突破性的進(jìn)展，并且由此產(chǎn)生出了許多能夠提高人們生活水平和改善人們工作條件的新產(chǎn)品，如電動(dòng)自行車、自動(dòng)擋汽車、變頻空調(diào)、逆變焊機(jī)、快速充電器、電力機(jī)車、電力冶煉設(shè)備、太陽(yáng)能和風(fēng)力發(fā)電站等。MOSFET／IGBT驅(qū)動(dòng)技術(shù)則是這些技術(shù)中的關(guān)鍵技術(shù)，MOSFET／IGBT驅(qū)動(dòng)集成電路不僅成為各種功率電子設(shè)備的心臟，而且也成為各種功率電子設(shè)備和系統(tǒng)高效率、低功耗、安全可靠運(yùn)行和實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化控制的關(guān)鍵。目前，需要多路多種電源供電、功率因數(shù)校正和滿足電磁兼容（EMC）標(biāo)準(zhǔn)的系統(tǒng)和電子設(shè)備越來(lái)越多，需要無(wú)極調(diào)速和變頻調(diào)速的大型機(jī)械也越來(lái)越多。因此，為了凈化環(huán)境、凈化電網(wǎng)、節(jié)約能源，滿足EMI等方面的標(biāo)準(zhǔn)和要求，實(shí)現(xiàn)各種機(jī)械自動(dòng)化控制，M（）SFET／IGBT驅(qū)動(dòng)技術(shù)成為人們所倡導(dǎo)和要求推廣的技術(shù)?！　‰m然MOSFET／IGBT驅(qū)動(dòng)集成電路的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，但是有關(guān)這方面的書籍寥寥無(wú)幾。有關(guān)內(nèi)容均被插入和收編到開關(guān)電源方面的書籍中，且僅局限于開關(guān)電源應(yīng)用方面的MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)技術(shù)，有關(guān)功率因數(shù)校正和電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)等方面的MOSFET／IGBT驅(qū)動(dòng)技術(shù)只能在一些相關(guān)的生產(chǎn)廣家或公司的網(wǎng)站上查到。因此，本書將開關(guān)穩(wěn)壓電源、功率因數(shù)校正、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源管理方面的：MOSFET／IGBT驅(qū)動(dòng)技術(shù)匯集于一體，而且將作者20多年的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)融入到本書中的應(yīng)用電路設(shè)計(jì)實(shí)例的有關(guān)章節(jié)中，希望能使讀者應(yīng)用這些驅(qū)動(dòng)集成電路設(shè)計(jì)出較為實(shí)用的應(yīng)用電路。

內(nèi)容概要

本書主要介紹了同步整流式、雙端輸出式、半橋式和推挽式四個(gè)常用系列的MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)集成電路的電性能參數(shù)、引腳引線、外形封裝和內(nèi)部原理方框圖，重點(diǎn)給出了它們?cè)陂_關(guān)穩(wěn)壓電源(PWM驅(qū)動(dòng)及同步整流)、功率因數(shù)校正(PFC)、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)智能控制(無(wú)極調(diào)速和變頻調(diào)速)和電源管理(高端和低端開關(guān))等方面的典型應(yīng)用電路。為了達(dá)到凈化環(huán)境、凈化電網(wǎng)、節(jié)約能源和滿足對(duì)電磁兼容等方面要求的目的，本書對(duì)低電壓、大電流輸出式的MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)集成電路的應(yīng)用電路也進(jìn)行了重點(diǎn)介紹?！　”緯晒╇娮庸こ碳夹g(shù)、電源技術(shù)、無(wú)極調(diào)速技術(shù)、變頻調(diào)速技術(shù)、自動(dòng)化控制技術(shù)研究和應(yīng)用人員閱讀，也可供高等學(xué)校電力電子專業(yè)的師生參考。

書籍目錄

第1章　同步整流式MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器及應(yīng)用　  1.1　ADP3412　  1.2　ADP3416　  1.3　ADP3419　  1.4　APW1175　  1.5　APW7037/A/B　  1.6　APW7057　  1.7　APW7058　  1.8　APW7060　  1.9　APW7061　  1.10　APW7062A/B　  1.11　APW7063　  1.12　APW7065/A/C　  1.13　APW7066　  1.14　APW7068　  1.15　APW7073　  1.16　APW7074　  1.17　APW7088　  1.18　APW7095/A　  1.19　APW7098  1.20　APW7116　  1.21　APW7120A　  1.22　FAN3223/FAN3224/FAN3225　  1.23　FAN3226/FAN3227/FAN3228/FAN3229　  1.24　FAN5009　  1.25　FAN5026　  1.26　FAN5068　  1.27　FAN5069　  1.28　FAN5078　  1.29　FAN5099　  1.30　FAN5109/FAN5109B　  1.31　FAN5232　  1.32　FAN5234　  1.33　FAN5236　  1.34　FAN6520A/B　  1.35　FDMF6700　  1.36　FDMF8700　  1.37　FDMF8704　  1.38　FDMF8704V　  1.39　FDMF8705　  1.40　HIP6601B/HIP6603B/HIP6604B　  1.41　HIP6602/HIP6602B　  1.42　ICL7667　  1.43　ISL6207　  1.44　ISL6208/ISL6208A　  1.45　ISL6209　第2章　雙端輸出式MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器及應(yīng)用　  2.1　FAN4803　  2.2　IR2010/S　  2.3　IR2011/S　  2.4　IR2101/S、IR2102/S　  2.5　IR2106/S、IR21064/S　  2.6　IR2110/S/-1/-2、IR2113/S/-1/-2　  2.7　IR2112/S/-1/-2　  2.8　IR2213/S　  2.9　IR2301/S　  2.10　IR4426/S、IR4427/S、IR4428/S　  2.11　IRS2001/S　  2.12　IRS2011/S　  2.13　IRS2101/S　第3章　半橋式MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器及應(yīng)用　  3.1　FAN7380　  3.2　FAN7382　  3.3　FAN7383　  3.4　FAN7384　  3.5　FAN7385　  3.6　FAN7842　  3.7　FAN73832　  3.8　HIP2100　  3.9　HIP2101　  3.10　IR53H(D)420　  3.11　IR2085S　258  3.12　IR2103/S、IRS2103/S　  3.13　IR2104/S、IRS2104/S　  3.14　IR2105/S　  3.15　IR2108/4/S、IRS2108/4/S　  3.16　IR2109/4/S、IRS2109/4/S　  3.17　IR2111/S　282  3.18　IR2114SS/IR21141SS、IR2214SS/IR22141SS　  3.19　IR2153/D/S　  3.20　IR2155　  3.21　IR2183/4/S、IRS2183/4/S　  3.22　IR2184/4/S、IRS2184/4/S　第4章　推挽式MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)器及應(yīng)用　  4.1　MAX5075　  4.2　MAX5077　  4.3　SG1644/SG2644/SG3644　  4.4　UCC28089　參考文獻(xiàn)　

章節(jié)摘錄

　　1.主要性能　?。?）芯片內(nèi)部高靈活性的雙路同步式PWM控制器所包含的模式為：可以減小通道之間干擾的同相工作的DDR模式、可以減小輸入紋波的具有90相移的兩級(jí)DDR模式和兩路具有180相移的相互獨(dú)立的穩(wěn)壓器。　?。?）完整的DDR記憶電源包括：VIT跟蹤VDDQ／2和通過(guò)緩沖的VDDQ／2基準(zhǔn)源輸出。　?。?）在低端MOSFET功率開關(guān)上進(jìn)行低損耗的電流采樣或使用采樣電阻進(jìn)行精密電流采樣?！　。?）具有輸入電源電壓欠壓封鎖功能?！　。?）輸入電源電壓范圍為3～16V?！　。?）由于采用了正反饋和平均電流工作模式，因此具有非?？斓碾妷簞?dòng)態(tài)響應(yīng)?！　。?）具有電源電壓正常檢測(cè)輸出信號(hào)，并適應(yīng)于DDR.II和HSTL。　?。?）具有非常節(jié)省空間的TSSOP-28型封裝形式?！　。?）可獲得工作環(huán)境溫度范圍為-40～85℃的工業(yè)級(jí)產(chǎn)品系列?！　?.應(yīng)用領(lǐng)域　　（1）DDR VDDO和VIT電壓發(fā)生器.　?。?）臺(tái)式計(jì)算機(jī)電源?！　。?）繪圖卡電源。　　3.技術(shù)參數(shù)

編輯推薦

　　《MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)集成電路及應(yīng)用》將開關(guān)穩(wěn)壓電源、功率因數(shù)校正、電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源管理方面的：MOSFET／IGBT驅(qū)動(dòng)技術(shù)匯集于一體，而且將作者20多年的實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)融入到《MOSFET/IGBT驅(qū)動(dòng)集成電路及應(yīng)用》中的應(yīng)用電路設(shè)計(jì)實(shí)例的有關(guān)章節(jié)中，希望能使讀者應(yīng)用這些驅(qū)動(dòng)集成電路設(shè)計(jì)出較為實(shí)用的應(yīng)用電路。

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