出版時間:2008-5 出版社:人民郵電 作者:貝克 頁數(shù):366 譯者:劉艷艷
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內(nèi)容概要
本書是CMOS集成電路設(shè)計領(lǐng)域的一部力作,是作者20多年教學(xué)和研究成果的總結(jié),內(nèi)容涵蓋電路設(shè)計流程、EDA軟件、工藝集成、器件、模型、數(shù)字和模擬集成電路設(shè)計等諸多方面,由基礎(chǔ)到前沿,由淺入深,結(jié)構(gòu)合理,特色鮮明?! ”緯鴮W(xué)生、科研人員和工程師各有所側(cè)重。無論對于哪一種類型的讀者而言,本書都是一本極好的參考書。
作者簡介
R.Jacob Baker博士,世界知名的電子設(shè)計專家。他曾在美國軍方和國家實驗室從事多年尖端電子設(shè)備的研制工作。并長期擔(dān)任Micron.Amkor、Rendition等業(yè)界知名公司的技術(shù)顧問。在集成電路設(shè)計方面擁有200多項專利。1993年轉(zhuǎn)入學(xué)界,任教于愛達荷大學(xué),2000年加入博伊西州立大學(xué)
書籍目錄
第1章 CMOS設(shè)計簡介 1.1 CMOS集成電路設(shè)計流程 1.2 CMOS基礎(chǔ) 1.3 SPICE簡介 延伸閱讀 習(xí)題第2章 阱 2.1 圖形制作 2.2 N阱的版圖設(shè)計 2.3 阻值的計算 2.4 N阱/襯底二極管 2.5 N阱的RC延遲 2.6 雙阱工藝 延伸閱讀 習(xí)題第3章 金屬層 3.1 連接焊盤 3.2 用金屬層進行設(shè)計和版圖繪制 3.3 串?dāng)_和地電位上跳 3.4 LASI版圖設(shè)計實例 延伸閱讀 習(xí)題第4章 有源層和多晶硅層 4.1 用active層和poly層繪制版圖 4.2 將導(dǎo)線與poly和active相連 4.3 靜電放電保護 延伸閱讀 習(xí)題 第5章 電阻、電容、MOS管 5.1 電阻 5.2 電容 5.3 MOS管 5.4 版圖實例 延伸閱讀 習(xí)題 第6章 MOS管工作原理 6.1 MOS管電容回顧 6.2 閾值電壓 6.3 MOS管的IV特性 6.4 MOS管的SPICE模型 6.5 短溝道MOS管 延伸閱讀 習(xí)題第7章 CMOS制備 第8章 電噪聲概述 第9章 模擬設(shè)計模型 第10章 數(shù)字設(shè)計模型 第11章 反相器 第12章 靜態(tài)邏輯門 第13章 鐘控電路 第14章 動態(tài)邏輯門 第15章 VLSI版圖設(shè)計舉例 第16章 存儲器電路 第17章 Δ∑調(diào)制感測 第18章 專用CMOS電路 第19章 數(shù)字鎖相環(huán)
章節(jié)摘錄
第2章 放大器本章將注意力轉(zhuǎn)向放大器。在每個運算放大器設(shè)計中幾乎都采用了單級放大器。通過采用MOS管晶體管(被稱為有源負(fù)載)代替無源電阻負(fù)載,可以顯著節(jié)省芯片面積。而且,與無源電阻相比,有源負(fù)載可提供更大的阻值,從而得到更高的增益。本章將研究幾種不同類型的有源負(fù)載。柵一漏負(fù)載是將MOS管的柵極與漏極短接,用這種有源負(fù)載構(gòu)成的放大器,帶寬大、輸出阻抗低,但缺點是增益小。電流源負(fù)載放大器具有很高的增益和輸出阻抗,但帶寬較小。當(dāng)用外部反饋來設(shè)定放大器的增益時,更傾向于采用電流源負(fù)載放大器。本章將分析基本有源負(fù)載單級放大器,以及每種情況的折中考慮。另外,將結(jié)合多種結(jié)構(gòu)的輸出級(包括推挽放大器),詳細(xì)討論共源共柵放大器的特性。2.1 柵一漏短接有源負(fù)載如圖l-1所示,柵一漏短接MOS管(負(fù)載)是半個電流鏡。這里,將由上一章介紹的直流工作條件和偏置,轉(zhuǎn)到討論交流小信號分析。2.1.1 共源放大器柵一漏短接MOS管(工作在非零漏極電流條件下)可以被看作阻值為l/gm的電阻[參見第1卷圖9-18和式(9-25)]。圖2-1中給出了4種可能的采用柵一漏短接負(fù)載的共源(CS)放大器。在每種結(jié)構(gòu)中,假設(shè)Ml管和M2管都被偏置在飽和區(qū)。注意在每種結(jié)構(gòu)中,放大MOS管(即非負(fù)載或柵一漏短接MOS管)的源極如何成為輸入和輸出的公共端。
編輯推薦
《CMOS電路設(shè)計、布局與仿真(第2版·第2卷)》由人民郵電出版社出版。
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