半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)

內(nèi)容概要

　　《半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)》在簡(jiǎn)要介紹半導(dǎo)體制造流程的基礎(chǔ)上，著力從理論和實(shí)踐兩個(gè)方面對(duì)晶體生長(zhǎng)、硅氧化、光刻、刻蝕、擴(kuò)散、離子注入和薄膜淀積等主要制備步驟進(jìn)行詳細(xì)探討?！栋雽?dǎo)體制造基礎(chǔ)》所有內(nèi)容的講解都結(jié)合了計(jì)算機(jī)仿真和模擬工具，并將工藝模擬作為問(wèn)題分析與討論的工具?！　　栋雽?dǎo)體制造基礎(chǔ)》可作為高等院校微電子和材料科學(xué)等專業(yè)高年級(jí)本科生或者一年級(jí)研究生的教材。

作者簡(jiǎn)介

　　Gary S.May，半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的世界級(jí)專家，IEEE會(huì)士，現(xiàn)任佐治亞理工學(xué)院電子和計(jì)算機(jī)工程學(xué)院院長(zhǎng)、教授。May于1991年獲得加州大學(xué)伯克利分校博士學(xué)位，此后任職于貝爾實(shí)驗(yàn)室和麥道公司。曾擔(dān)任半導(dǎo)體領(lǐng)域權(quán)威期刊IEEE Transactions of Semiconductor manufacturing主編。

書籍目錄

第1章 概述1.1 半導(dǎo)體材料1.2 半導(dǎo)體器件1.3 半導(dǎo)體工藝技術(shù)1.3.1 關(guān)鍵半導(dǎo)體技術(shù)1.3.2 技術(shù)趨勢(shì)1.4 基本制造步驟1.4.1 氧化1.4.2 光刻和刻蝕1.4.3 擴(kuò)散和離子注入1.4.4 金屬化1.5 小結(jié)參考文獻(xiàn)第2章 晶體生長(zhǎng)2.1 從熔體生長(zhǎng)硅單晶2.1.1 初始原料2.1.2 Czpcjralslo法2.1.3 雜質(zhì)分布2.1.4 有效分凝系數(shù)2.2 硅懸浮區(qū)熔法2.3 GaAs晶體生長(zhǎng)技術(shù)2.3.1 初始材料2.3.2 晶體生長(zhǎng)技術(shù)2.4 材料特征2.4.1 晶片整形2.4.2 晶體特征2.5 小結(jié)參考文獻(xiàn)習(xí)題第3章 硅氧化3.1 熱氧化方法3.1.1 生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)3.1.2 薄氧化層生長(zhǎng)3.2 氧化過(guò)程中雜質(zhì)再分布3.3 二氧化硅掩模特性3.4 氧化層質(zhì)量3.5 氧化層厚度表征3.6 氧化模擬3.7 小結(jié)參考文獻(xiàn)習(xí)題第4章 光刻4.1 光學(xué)光刻4.1.1 超凈間4.1.2 曝光設(shè)備4.1.3 掩模4.1.4 光致抗蝕劑4.1.5 圖形轉(zhuǎn)移4.1.6 分辨率增強(qiáng)工藝4.2 下一代光刻方法4.2.1 電子束光刻4.2.2 極短紫外光刻4.2.3 X射線光刻4.2.4 離子束光刻4.2.5 各種光刻方法比較4.3 光刻模擬4.4 小結(jié)參考文獻(xiàn)習(xí)題第5章 刻蝕第6章 擴(kuò)散第7章 離子注入第8章 薄膜淀積第9章 工藝集成第10章 IC制造第11章 未來(lái)趨勢(shì)和挑戰(zhàn)附錄A 符號(hào)表附錄B 國(guó)示單位制附錄C 單位詞頭附錄D 希臘字母表附錄E 物理常數(shù)附錄F 300K時(shí)Si和GaAs的性質(zhì)附錄G 誤差函數(shù)的一些性質(zhì)附錄H 氣體基本動(dòng)力學(xué)理論附錄I SUPREM命令附錄J 運(yùn)行PROLITH附錄K t分布的百分點(diǎn)附錄L F分布的百分點(diǎn)索引

圖書封面

圖書標(biāo)簽Tags

無(wú)

評(píng)論、評(píng)分、閱讀與下載

---

    半導(dǎo)體制造基礎(chǔ) PDF格式下載

---