21世紀高等院校規(guī)劃教材

內(nèi)容概要

《21世紀高等院校規(guī)劃教材:微機原理與接口技術(shù)習(xí)題解答及實驗指導(dǎo)》共分5篇，主要內(nèi)容包括教學(xué)內(nèi)容指導(dǎo)（包括知識點回顧與主教材習(xí)題答案）、綜合模擬試題及參考答案、匯編語言實驗環(huán)境及上機過程、匯編語言程序設(shè)計實驗指導(dǎo)、硬件接口電路實驗指導(dǎo)。

書籍目錄

第一篇教學(xué)內(nèi)容指導(dǎo) 第1章 概述 1.1知識點回顧 1.2主教材習(xí)題答案 第2章 微處理器系統(tǒng) 2.1知識點回顧 2.2主教材習(xí)題答案 第3章 尋址方式和指令系統(tǒng) 3.1 知識點回顧 3.2 主教材習(xí)題答案 第4章 匯編語言程序設(shè)計 4.1知識點回顧 4.2 主教材習(xí)題答案 第5章 存儲器系統(tǒng) 5.1 知識點回顧 5.2主教材習(xí)題答案 第6章 輸入，輸出和總線技術(shù) 6.1 知識點回顧 6.2主教材習(xí)題答案 第7章 中斷 7.1 知識點回顧 7.2主教材習(xí)題答案 第8章 常用數(shù)字接口芯片 8.1知識點回顧 8.2主教材習(xí)題答案 第9章A／D和D／A轉(zhuǎn)換 9.1 知識點回顧 9.2主教材習(xí)題答案 第二篇綜合試題及參考答案 綜合試題1 綜合試題2 綜合試題3 綜合試題4 綜合試題1參考答案 綜合試題2參考答案 綜合試題3參考答案 綜合試題4參考答案 第三篇匯編語言實驗環(huán)境及上機過程 第1章 匯編語言程序設(shè)計的實驗環(huán)境和上機過程簡介 第2章應(yīng)用案例 第3章 開發(fā)環(huán)境所需文件功能詳解 第四篇 匯編語言程序設(shè)計實驗指導(dǎo) 實驗1 TD調(diào)試程序的使用及尋址方式實驗 實驗2 算術(shù)運算、邏輯運算和移位指令實驗 實驗3 串操作指令實驗 實驗4順序程序結(jié)構(gòu)設(shè)計實驗 實驗5 兩個數(shù)相乘實驗 實驗6 分支及循環(huán)程序設(shè)計實驗 實驗7排序?qū)嶒?實驗8綜合設(shè)計實驗 第五篇硬件接口電路實驗指導(dǎo) 實驗1 8255可編程并行接口實驗 實驗2 8253可編程定時器／計數(shù)器實驗 實驗3 8251可編程串行接口實驗 實驗4 8259可編程中斷控制器實驗 實驗5 存儲器擴展實驗 實驗6 D／A轉(zhuǎn)換接口實驗 實驗7 AID轉(zhuǎn)換接口實驗 實驗8 步進電機控制實驗 附錄A TD使用說明 參考文獻

章節(jié)摘錄

版權(quán)頁：   插圖：   12.和外存相比，內(nèi)存的特點是A。 A.容量小、速度快、成本高 B.容量小、速度快、成本低 C.容量大、速度快、成本高 D.容量大、速度快、成本低 13.采用虛擬存儲器的目的是C 。 A.提高存儲的速度 B.擴大外存的容量 C.擴大內(nèi)存的存儲空間 D.提高外存的速度 二、填空題 1.存儲器是計算機系統(tǒng)中的存儲裝置，用來存放數(shù)據(jù)和程序。 2.存儲器的兩個基本操作是讀和寫。 3.對容量為2”B的存儲單元的存儲矩陣，需要n位地址線連通對應(yīng)存儲單元。 4.1位地址經(jīng)地址譯碼器譯碼后能尋址2個存儲單元。 5.一般微型計算機存儲器系統(tǒng)主要由主存儲器、高速緩沖存儲器、輔助存儲器以及管理這些存儲器的硬件和軟件組成。 6.微型計算機主存儲器由半導(dǎo)體存儲器RAM和ROM組成。 7.RAM是一種既能寫入又能讀出的存儲器。RAM只能在電源電壓正常時工作，一旦斷電，信息會丟失。 8.ROM是一種只讀的存儲器，通常用來存放那些固定不變、不需要修改的程序。 9.高速緩沖存儲器是介于CPU和主存儲器之間的一個容量小、但速度接近于CPU的存儲器，一般裝在CPU內(nèi)部。 10.Cache中保存的是CPU最近時間常用的信息，而不是在主存中駐留的信息。 三、簡答題 1.半導(dǎo)體存儲器有哪些優(yōu)點？SRAM、DRAM各自有何特點？ 【答】其優(yōu)點是容量大、存取速度快、體積小、功耗低、集成度高、價格便宜。 SRAM存放的信息在不停電的情況下能長時間保留不變，只要不掉電所保存的信息就不會丟失。而DRAM保存的內(nèi)容即使在不掉電的情況下隔一定時間后也會自動消失，因此要定時對其進行刷新。 2.ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash Memory各有何特點？適用于何種場合？ 【答】掩膜式ROM中的信息是在生產(chǎn)廠家制造時寫入的。制成后，信息只能讀出不能改寫。 PROM中晶體管的集電極接Vcc，基極連接行線，發(fā)射極通過一個熔絲與列線相連。出廠時，晶體管陣列的熔絲完好。寫入信息時，選中某個晶體管，輸入高低電平保留或燒斷熔絲以對應(yīng)1和0。燒斷熔絲不能再復(fù)原，因此只能進行一次編程。 EPROM芯片的頂部開有一石英窗口，通過紫外線的照射可擦除片內(nèi)原有信息，一塊芯片可多次使用，缺點是只能進行整片寫。 EEPROM是可用電擦除和編程的只讀存儲器，能在線讀寫，斷電情況下信息不丟失，能隨機改寫；其擦寫次數(shù)可達1萬次以上，數(shù)據(jù)可保存10年以上?？勺鳛橄到y(tǒng)中可靠保存數(shù)據(jù)的存儲器。 Flash Memory是新型的半導(dǎo)體存儲器，可實現(xiàn)大規(guī)模電擦除，擦除功能可迅速清除整個存儲器的所有內(nèi)容；可高速編程；閃速存儲器可重復(fù)使用，適用于文件需要經(jīng)常更新的可重復(fù)編程應(yīng)用中。對于需要實施代碼或數(shù)據(jù)更新的嵌人性應(yīng)用是一種理想的存儲器。

編輯推薦

《21世紀高等院校規(guī)劃教材:微機原理與接口技術(shù)習(xí)題解答及實驗指導(dǎo)》習(xí)題豐富，便于學(xué)生復(fù)習(xí)和自學(xué)；實驗部分脫離了固定的實驗箱限制，可操作性強?！?1世紀高等院校規(guī)劃教材:微機原理與接口技術(shù)習(xí)題解答及實驗指導(dǎo)》適合作為高等學(xué)校微機原理與接口技術(shù)等相關(guān)課程的配套教材和參考用書。

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