模擬電子技術

內容概要

　　《模擬電子技術》主要包括：基本知識、放大電路基本理論與分析方法、放大器功能應用電路分析等內容。其中，基本知識包括半導體的基礎知識及常用5類半導體器件介紹（晶體二極管、晶體三極管、晶閘管、場效應管、集成運算放大器）；放大電路基本理論與分析方法主要介紹放大器的基本組成、主要性能指標及兩種分析方法；放大器功能應用電路主要分析：集成運算放大電路、正弦波振蕩電路、低頻功率放大電路、直流穩(wěn)壓電源等。
　　《模擬電子技術》主要作為高等職業(yè)學院和中專學校鐵路信號專業(yè)《模擬電子技術》課程的通用教材，也可以作為高職高專及中專電子信息、電氣自動化、通信工程、機電一體化、汽車電子等的專業(yè)技術基礎課教材，還可供從事電子技術的工程技術人員自學與參考使用。（帶*號的內容為中專學生的選學內容，在書中用楷體編排）

書籍目錄

第1章 晶體管
　1.1 半導體的基礎知識
　1.2 晶體二極管
　1.3 硅穩(wěn)壓二極管
　1.4 晶體三極管
　1.5 晶閘管
　1.6 場效應管
　本章小結
　復習思考題
第2章 放大器
　2.1 放大器的基本概念
　2.2 放大器的基本分析方法
　2.3 負反饋放大器
　2.4 多級放大電路
　2.5 集成運算放大器
　本章小結
　復習思考題
第3章 低頻功率放大電路
　3.1 低頻功率放大電路概述
　3.2 乙類推挽功率放大電路
　3.3 集成功率放大電路
　本章小結
　復習思考題
第4章 正弦波振蕩器
　4.1 正弦波振蕩器的基本概念
　4.2 LC振蕩器
　4.3 RC正弦振蕩器
　4.4 石英晶體振蕩器
　本章小結
　復習思考題
第5章 直流穩(wěn)壓電源
　5.1 概述
　5.2 單相整流電路
　5.3 濾波電路
　5.4 硅穩(wěn)壓管并聯型穩(wěn)壓電路
　5.5 晶體管串聯型穩(wěn)壓電路
　5.6 集成穩(wěn)壓器
　5.7 開關型穩(wěn)壓電源
　本章小結
　復習思考題
附錄一 常用半導體器件的命名方法及主要參數
附錄二 部分硅整流穩(wěn)壓二極管的主要參數
附錄三 常用符號說明
參考文獻

章節(jié)摘錄

　　自然界中的各種物質按其導電性能的不同可劃分為：導體、半導體和絕緣體。半導體的導電能力介于導體和絕緣體之間，它具有獨特的摻雜性、熱敏性和光敏性。自然界中半導體材料有：（1）元素半導體，如硅（si）、鍺（Ge）等；（2）化合物半導體，如砷化鎵（GaAs）等；（3）摻雜材料，如硼（B）、磷（P）等。其中，硅和鍺是目前用得最多的半導體材料，由于硅和鍺都是以晶體結構存在于自然界中，因此半導體二極管、三極管常稱作晶體二極管和晶體三極管。　　1.本征半導體　　完全純凈的、結構完整的半導體晶體就是本征半導體。其純度要達到99.99％，它在物理結構上呈單晶體形態(tài)?！　。?）本征半導體的共價鍵結構　　由化學元素周期表可知，硅和鍺都是四價元素，即它們的原子最外層軌道上都有四個電子（稱之為價電子），它們的空間排列模型如圖1-1（a）所示，其核外電子的共價鍵結構平面示意圖如圖1-1（b）所示。　?。?）本征半導體的導電特性　　在T=0K和沒有外界激發(fā)時，本征半導體中的每一個原子的外圍電子被共價鍵所束縛，不能自由移動。這樣，本征半導體中雖然有大量的價電子，但沒有能夠自由移動的電子，此時半導體是不能導電的。當溫度升高或受光照射時，共價鍵中的價電子會獲得足夠能量，從共價鍵中掙脫出來，變成自由電子；同時在原共價鍵的相應位置上流下一個空位，這個空位稱為空穴，如圖1-2所示。顯然，電子和空穴是成對出現的，所以稱之為電子一空穴對，在本征半導體中電子和空穴的數目總是相等的。我們把在熱或光的作用下，本征半導體中的價電子掙脫共價鍵的束縛產生電子-空穴對的現象，稱為本征激發(fā)。　　……

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