模擬電子技術(shù)

內(nèi)容概要

　　《模擬電子技術(shù)》主要包括：基本知識(shí)、放大電路基本理論與分析方法、放大器功能應(yīng)用電路分析等內(nèi)容。其中，基本知識(shí)包括半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)及常用5類(lèi)半導(dǎo)體器件介紹（晶體二極管、晶體三極管、晶閘管、場(chǎng)效應(yīng)管、集成運(yùn)算放大器）；放大電路基本理論與分析方法主要介紹放大器的基本組成、主要性能指標(biāo)及兩種分析方法；放大器功能應(yīng)用電路主要分析：集成運(yùn)算放大電路、正弦波振蕩電路、低頻功率放大電路、直流穩(wěn)壓電源等。
　　《模擬電子技術(shù)》主要作為高等職業(yè)學(xué)院和中專(zhuān)學(xué)校鐵路信號(hào)專(zhuān)業(yè)《模擬電子技術(shù)》課程的通用教材，也可以作為高職高專(zhuān)及中專(zhuān)電子信息、電氣自動(dòng)化、通信工程、機(jī)電一體化、汽車(chē)電子等的專(zhuān)業(yè)技術(shù)基礎(chǔ)課教材，還可供從事電子技術(shù)的工程技術(shù)人員自學(xué)與參考使用。（帶*號(hào)的內(nèi)容為中專(zhuān)學(xué)生的選學(xué)內(nèi)容，在書(shū)中用楷體編排）

書(shū)籍目錄

第1章 晶體管
　1.1 半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí)
　1.2 晶體二極管
　1.3 硅穩(wěn)壓二極管
　1.4 晶體三極管
　1.5 晶閘管
　1.6 場(chǎng)效應(yīng)管
　本章小結(jié)
　復(fù)習(xí)思考題
第2章 放大器
　2.1 放大器的基本概念
　2.2 放大器的基本分析方法
　2.3 負(fù)反饋放大器
　2.4 多級(jí)放大電路
　2.5 集成運(yùn)算放大器
　本章小結(jié)
　復(fù)習(xí)思考題
第3章 低頻功率放大電路
　3.1 低頻功率放大電路概述
　3.2 乙類(lèi)推挽功率放大電路
　3.3 集成功率放大電路
　本章小結(jié)
　復(fù)習(xí)思考題
第4章 正弦波振蕩器
　4.1 正弦波振蕩器的基本概念
　4.2 LC振蕩器
　4.3 RC正弦振蕩器
　4.4 石英晶體振蕩器
　本章小結(jié)
　復(fù)習(xí)思考題
第5章 直流穩(wěn)壓電源
　5.1 概述
　5.2 單相整流電路
　5.3 濾波電路
　5.4 硅穩(wěn)壓管并聯(lián)型穩(wěn)壓電路
　5.5 晶體管串聯(lián)型穩(wěn)壓電路
　5.6 集成穩(wěn)壓器
　5.7 開(kāi)關(guān)型穩(wěn)壓電源
　本章小結(jié)
　復(fù)習(xí)思考題
附錄一 常用半導(dǎo)體器件的命名方法及主要參數(shù)
附錄二 部分硅整流穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù)
附錄三 常用符號(hào)說(shuō)明
參考文獻(xiàn)

章節(jié)摘錄

　　自然界中的各種物質(zhì)按其導(dǎo)電性能的不同可劃分為：導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣體。半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間，它具有獨(dú)特的摻雜性、熱敏性和光敏性。自然界中半導(dǎo)體材料有：（1）元素半導(dǎo)體，如硅（si）、鍺（Ge）等；（2）化合物半導(dǎo)體，如砷化鎵（GaAs）等；（3）摻雜材料，如硼（B）、磷（P）等。其中，硅和鍺是目前用得最多的半導(dǎo)體材料，由于硅和鍺都是以晶體結(jié)構(gòu)存在于自然界中，因此半導(dǎo)體二極管、三極管常稱(chēng)作晶體二極管和晶體三極管?！　?.本征半導(dǎo)體　　完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體晶體就是本征半導(dǎo)體。其純度要達(dá)到99.99％，它在物理結(jié)構(gòu)上呈單晶體形態(tài)。　?。?）本征半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)　　由化學(xué)元素周期表可知，硅和鍺都是四價(jià)元素，即它們的原子最外層軌道上都有四個(gè)電子（稱(chēng)之為價(jià)電子），它們的空間排列模型如圖1-1（a）所示，其核外電子的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)平面示意圖如圖1-1（b）所示?！　。?）本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性　　在T=0K和沒(méi)有外界激發(fā)時(shí)，本征半導(dǎo)體中的每一個(gè)原子的外圍電子被共價(jià)鍵所束縛，不能自由移動(dòng)。這樣，本征半導(dǎo)體中雖然有大量的價(jià)電子，但沒(méi)有能夠自由移動(dòng)的電子，此時(shí)半導(dǎo)體是不能導(dǎo)電的。當(dāng)溫度升高或受光照射時(shí)，共價(jià)鍵中的價(jià)電子會(huì)獲得足夠能量，從共價(jià)鍵中掙脫出來(lái)，變成自由電子；同時(shí)在原共價(jià)鍵的相應(yīng)位置上流下一個(gè)空位，這個(gè)空位稱(chēng)為空穴，如圖1-2所示。顯然，電子和空穴是成對(duì)出現(xiàn)的，所以稱(chēng)之為電子一空穴對(duì)，在本征半導(dǎo)體中電子和空穴的數(shù)目總是相等的。我們把在熱或光的作用下，本征半導(dǎo)體中的價(jià)電子掙脫共價(jià)鍵的束縛產(chǎn)生電子-空穴對(duì)的現(xiàn)象，稱(chēng)為本征激發(fā)。　　……

圖書(shū)封面

評(píng)論、評(píng)分、閱讀與下載

---

    模擬電子技術(shù) PDF格式下載

---