先進(jìn)封裝材料

內(nèi)容概要

　　本書綜述了先進(jìn)封裝技術(shù)的最新發(fā)展，包括三維（3D）封裝、納米封裝、生物醫(yī)學(xué)封裝等新興技術(shù)，并重點(diǎn)介紹了封裝材料與工藝方面的進(jìn)展。
　　本書適合微電子、集成電路制造行業(yè)的工程技術(shù)人員閱讀使用，也可作為高等院校相關(guān)專業(yè)的研究生和教師的參考用書。

書籍目錄

譯者序
前言
第1章三維集成技術(shù)綜述
1.1簡(jiǎn)介
1.1.1三維集成技術(shù)分類
1.1.2三維集成驅(qū)動(dòng)力
1.2技術(shù)描述
1.2.1三維片上集成
1.2.2含硅穿孔的三維IC堆棧結(jié)構(gòu)
1.2.3三維封裝
1.3三維集成技術(shù)35要問(wèn)題
1.3.1三維IC堆棧問(wèn)題
1.3.2三維封裝問(wèn)題
1.4結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第2章先進(jìn)鍵合/連接技術(shù)
2.1粘膠鍵合技術(shù)
2.1.1電子工業(yè)用膠
2.1.2粘合劑在電子產(chǎn)品中的應(yīng)用
2.1.3新型粘合劑
2.2直接鍵合方法
2.2.1陽(yáng)極鍵合
2.2.2擴(kuò)散鍵合
2.2.3表面活化鍵合
2.2.4新型Ag?Cu直接鍵合
2.3無(wú)鉛焊接與鍵合工藝
2.3.1基本釬焊工藝
2.3.2去除錫氧化物的無(wú)助焊劑工藝
2.3.3無(wú)氧化無(wú)助焊劑釬焊技術(shù)
2.3.4無(wú)助焊劑倒裝芯片互連技術(shù)
參考文獻(xiàn)
第3章先進(jìn)的芯片與基板連接技術(shù)
3.1引言
3.1.1ITRS中的倒裝芯片連接
3.1.2I/O電學(xué)模擬
3.1.3力學(xué)模擬
3.2采用焊料的柔性I/O結(jié)構(gòu)
3.2.1外圍與倒裝芯片面陣列結(jié)構(gòu)
3.2.2使用面陣列焊料I/O的再分布
3.2.3圓片級(jí)柔性I/O
3.3改善力學(xué)性能的焊料帽層結(jié)構(gòu)
3.4無(wú)焊料芯片?基板互連
3.4.1銅互連
3.4.2電鍍銅柱陣列
3.4.3柔性金凸點(diǎn)互連
3.4.4化學(xué)鍍NiB互連
3.5芯片與基板連接的未來(lái)需求和解決方案
3.5.1芯片外超高頻高帶寬運(yùn)行
3.5.2滿足熱管理的微流體互連
參考文獻(xiàn)
第4章先進(jìn)引線鍵合工藝——材料、方法與測(cè)試
4.1簡(jiǎn)介
4.2互連要求
4.3鍵合原理
4.3.1引線鍵合類型
4.3.2熱壓鍵合
4.3.3超聲鍵合
4.3.4熱超聲鍵合
4.3.5其他技術(shù)
4.3.6設(shè)備優(yōu)化
4.4鍵合材料
4.4.1鍵合引線
4.4.2焊盤
4.4.3鍍金
4.4.4焊盤清洗
4.5測(cè)試
4.6質(zhì)量保證
4.7可靠性
4.7.1金屬間化合物
4.7.2凹坑
4.8設(shè)計(jì)（線寬，弧線高度）
4.9新概念
4.9.1微間距
4.9.2軟襯底
4.9.3高頻鍵合
4.9.4螺栓凸點(diǎn)技術(shù)
4.9.5極高溫環(huán)境
4.10總結(jié)
致謝
參考文獻(xiàn)
第5章無(wú)鉛焊接
5.1全球無(wú)鉛焊接行動(dòng)
5.2主要無(wú)鉛焊料合金
5.2.1SnCu（+摻加劑（如Ni、Co、Ce））
5.2.2SnAg（+Cu、+Sb、+摻加劑（如Mn、Ti、Al、Ni、Zn、Co、Pt、P、Ce））
5.2.3SnAg（+Bi、+Cu、+In、+摻加劑）
5.2.4SnZn（+Bi）
5.2.5BiSn（+Ag）
5.3無(wú)鉛焊膏
5.4無(wú)鉛焊料表面處理
5.4.1無(wú)鉛焊料表面處理類型
5.4.2表面處理性能
5.5無(wú)鉛焊接器件
5.5.1溫度耐受力
5.5.2濕度敏感等級(jí)
5.6用于無(wú)鉛焊接的襯底材料
5.6.1熱分解
5.6.2尺寸穩(wěn)定性
5.7無(wú)鉛回流焊組裝
5.7.1設(shè)備
5.7.2回流曲線
5.7.3特殊曲線
5.8無(wú)鉛波峰焊組裝
5.8.1無(wú)鉛波峰焊工藝
5.8.2PCB設(shè)計(jì)
5.8.3設(shè)備侵蝕
5.8.4厚PCB通孔填充
5.9無(wú)鉛焊點(diǎn)檢查
5.10無(wú)鉛焊點(diǎn)返修
5.10.1手機(jī)返修
5.10.2BGA返修
5.11無(wú)鉛焊點(diǎn)可靠性
5.11.1微結(jié)構(gòu)
5.11.2焊點(diǎn)金屬間化合物
5.11.3溫度循環(huán)
5.11.4焊點(diǎn)脆性
5.12總結(jié)
參考文獻(xiàn)
第6章硅片減薄工藝
6.1薄硅器件
6.1.1薄硅片優(yōu)點(diǎn)
6.1.2制作薄硅片的基本考慮
6.2降低圓片厚度
6.2.1材料去除
6.2.2研磨過(guò)程
6.2.3薄圓片夾持
6.3薄圓片機(jī)械性能
6.3.1斷裂強(qiáng)度與彈性
6.3.2表征研磨過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力與損傷
6.3.3圓片減薄限制
6.4硅片切割
6.4.1機(jī)械劃片
6.4.2激光劃片
6.4.3減薄分割硅片
6.4.4通過(guò)損傷來(lái)分割硅片
6.5薄硅芯片封裝
參考文獻(xiàn)
第7章先進(jìn)基板材料與工藝展望
7.1簡(jiǎn)介
7.1.1歷史簡(jiǎn)述：從PCB到基板
7.2陶瓷基板
7.3有機(jī)基板
7.3.1兩層PBGA基板
7.3.2四層PBGA基板
7.3.3六層PBGA基板
7.3.4高密度互連基板
7.4載帶球柵陣列
7.5PBGA基板發(fā)展趨勢(shì)
7.5.1低成本電介質(zhì)
7.5.2低成本焊料掩膜
7.5.3薄基板、薄電介質(zhì)
7.5.4低膨脹電介質(zhì)
7.5.5表面處理
7.6FCBGA基板
7.7無(wú)芯基板
7.8特種基板
7.8.1射頻模塊基板
7.8.2具有低介電常數(shù)的高性能基板
7.8.3含嵌入式器件的基板
參考文獻(xiàn)
第8章先進(jìn)印制電路板材料
8.1介電材料
8.1.1樹脂體系
8.1.2增強(qiáng)材料
8.1.3填充料
8.2導(dǎo)電材料
8.2.1銅箔
8.2.2表面涂層
8.3印制電路板材料電氣方面的考量
8.3.1介電常數(shù)
8.3.2介電損耗
8.3.3濕度對(duì)電氣性能的影響
8.3.4傳導(dǎo)損耗
8.4印制電路板材料可靠性
8.4.1導(dǎo)孔可靠性
8.4.2導(dǎo)電陽(yáng)極絲
8.4.3球墊坑裂
8.4.4焊點(diǎn)可靠性
參考文獻(xiàn)
第9章倒裝芯片底部填充膠材料、工藝與可靠性
9.1簡(jiǎn)介
9.2常見(jiàn)的底部填充材料與工藝
9.3倒裝芯片底部填充封裝的可靠性
9.4底部填充膠面臨的新挑戰(zhàn)
9.5不流動(dòng)底部填充
9.5.1向不流動(dòng)底部填充膠中添加二氧化硅填充物的方法
9.6模塑料底部填充
9.7圓片級(jí)底部填充
9.8總結(jié)
參考文獻(xiàn)
第10章用于半導(dǎo)體芯片封裝的環(huán)氧模塑料發(fā)展趨勢(shì)
10.1簡(jiǎn)介
10.2環(huán)氧模塑料介紹
10.2.1環(huán)氧樹脂
10.2.2硬化劑
10.2.3有機(jī)填料
10.2.4促凝劑
10.2.5硅烷偶聯(lián)劑
10.2.6阻燃劑
10.2.7其他添加劑
10.3環(huán)氧模塑料成型工藝
10.4成模特性
10.5抗?jié)駳饣亓魈匦?br />10.5.1抗?jié)駳饣亓魈匦院?jiǎn)介
10.5.2機(jī)理
10.5.3改善抗?jié)駳饣亓魈匦?br />10.6改善面陣列封裝翹曲
10.7低k芯片模壓方面的挑戰(zhàn)
10.7.1控制應(yīng)力
10.7.2有限元模擬研究
10.7.3EMC評(píng)估
10.8未來(lái)趨勢(shì)
參考文獻(xiàn)
第11章導(dǎo)電膠
11.1引言
11.2各向異性導(dǎo)電膠
11.2.1概述
11.2.2種類
11.2.3粘合劑基體
11.2.4導(dǎo)電填充物
11.3使用各向異性導(dǎo)電膠的倒裝芯片應(yīng)用
11.3.1采用凸點(diǎn)的ACA倒裝芯片
11.3.2基于玻璃芯片基板的ACA凸點(diǎn)倒裝芯片
11.3.3基于高頻應(yīng)用的ACA凸點(diǎn)倒裝芯片
11.3.4基于無(wú)凸點(diǎn)倒裝芯片的ACA
11.3.5基于CSP和BGA應(yīng)用的ACA倒裝芯片
11.3.6SMT應(yīng)用
11.3.7失效機(jī)理
11.4各向同性導(dǎo)電膠描述
11.4.1電學(xué)導(dǎo)通的浸透理論
11.4.2粘合劑基體
11.4.3導(dǎo)電填充物
11.5使用各向同性導(dǎo)電膠的倒裝芯片應(yīng)用
11.5.1工藝
11.5.2基于金屬凸點(diǎn)的倒裝芯片連接點(diǎn)
11.5.3基于無(wú)凸點(diǎn)芯片的ICA工藝
11.6ICA在微電子封裝中的應(yīng)用
11.6.1表面組裝應(yīng)用
11.6.2ICA連接點(diǎn)高頻性能
11.6.3ICA連接點(diǎn)疲勞壽命
11.7提高ICA電導(dǎo)率
11.7.1消除潤(rùn)滑劑層
11.7.2增強(qiáng)收縮
11.7.3瞬態(tài)液相填充物
11.8提高接觸電阻穩(wěn)定性
11.8.1電阻增大原因
11.8.2穩(wěn)定接觸電阻方法
11.9提高抗沖擊性能
11.9.1環(huán)氧端基聚亞氨酯體系
參考文獻(xiàn)
第12章貼片膠與貼片膜
12.1貼片材料
12.1.1電子封裝趨勢(shì)
12.1.2貼片材料發(fā)展趨勢(shì)
12.1.3貼片材料要求
12.1.4貼片膏
12.1.5LOC封裝膠帶
12.1.6貼片膜
12.1.7未來(lái)的先進(jìn)貼片膜
12.2貼片膜發(fā)展——用于提高封裝抗裂性和先進(jìn)封裝可靠性
12.2.1介紹
12.2.2貼片膜主劑設(shè)計(jì)
12.2.3具有封裝抗裂性的貼片膜
12.2.4先進(jìn)封裝貼片膜
參考文獻(xiàn)
第13章熱界面材料
13.1熱界面材料
13.2導(dǎo)熱界面建模最新進(jìn)展
13.2.1熱導(dǎo)率(kTIM)預(yù)測(cè)模型
13.2.2預(yù)測(cè)熱界面材料粘合層厚度(BLT)的流變學(xué)模型
13.2.3填充顆粒體積分?jǐn)?shù)對(duì)熱界面材料體熱阻影響
13.2.4接觸熱阻預(yù)測(cè)模型
13.3聚合物熱界面材料可靠性
13.4合金焊料熱界面材料
13.5基于納米技術(shù)的熱界面材料
13.6熱界面材料性能表征
13.7前景展望
參考文獻(xiàn)
第14章嵌入式無(wú)源元件
14.1嵌入式電感
14.1.1引言
14.1.2磁性電感器建模與設(shè)計(jì)考慮
14.1.3嵌入式封裝體上和芯片上電感器——實(shí)驗(yàn)與分析
14.1.4嵌入式磁電感器未來(lái)的發(fā)展方向
14.2嵌入式電容器
14.2.1嵌入式電容器的電介質(zhì)選擇
14.2.2新概念與當(dāng)前發(fā)展趨勢(shì)
14.2.3小結(jié)
14.3嵌入式電阻
14.3.1前言
14.3.2技術(shù)障礙
14.3.3電阻基礎(chǔ)
14.3.4材料與加工技術(shù)
14.3.5射頻產(chǎn)品中LCP上的薄膜電阻
14.3.6小結(jié)
致謝
參考文獻(xiàn)
第15章納米材料與納米封裝
15.1納米封裝——微電子封裝中的納米科技
15.1.1簡(jiǎn)介
15.1.2納米顆粒
15.1.3其他納米研究主題
15.2納米焊料
15.3CNT
15.3.1介紹
15.3.2CNT用于電氣互連
15.3.3CNT用于散熱
15.3.4微系統(tǒng)與CNT集成
15.3.5總結(jié)及未來(lái)需求
15.4納米發(fā)電機(jī)——原理、制作及封裝
15.4.1簡(jiǎn)介
15.4.2采用ZnO納米線的納米發(fā)電機(jī)
15.4.3ZnO納米陣列的定向生長(zhǎng)
15.4.4納米發(fā)動(dòng)機(jī)組裝與封裝
15.4.5總結(jié)
參考文獻(xiàn)
第16章圓片級(jí)芯片尺寸封裝
16.1簡(jiǎn)介
16.2圓片級(jí)芯片尺寸封裝定義
16.3用于凸點(diǎn)與再分配技術(shù)的材料與工藝
16.3.1圓片凸點(diǎn)制作金屬
16.4無(wú)源器件集成材料
參考文獻(xiàn)
第17章微機(jī)電系統(tǒng)與封裝
17.1簡(jiǎn)介
17.2MEMS封裝
17.3用于封裝的MEMS器件
17.4用于制造MEMS的封裝
17.5機(jī)遇與主要挑戰(zhàn)
17.6結(jié)論
致謝
參考文獻(xiàn)
第18章LED和光學(xué)器件封裝與材料
18.1背景
18.1.1緒論
18.1.2大功率LED封裝材料挑戰(zhàn)與解決方案
18.1.3熱穩(wěn)定和紫外穩(wěn)定（長(zhǎng)壽命）塑封材料
18.1.4應(yīng)力與脫層
18.1.5可靠性與壽命
18.2封裝功能
18.2.1塑封與保護(hù)
18.2.2出光效率
18.2.3光學(xué)
18.2.4電連接
18.2.5散熱
18.3LED與光電器件封裝材料
18.3.1標(biāo)準(zhǔn)LED塑封材料
18.3.2大功率LED塑封材料
18.3.3光學(xué)透鏡材料
18.3.4光學(xué)芯片鍵合材料
18.3.5大功率LED用PCB材料
18.4材料、LED性能與可靠性
致謝
參考文獻(xiàn)
第19章數(shù)字健康與生物醫(yī)學(xué)封裝
19.1簡(jiǎn)介
19.2保健發(fā)展趨勢(shì)——醫(yī)療器件和電子封裝的機(jī)遇與挑戰(zhàn)
19.2.1保健趨勢(shì)與主要驅(qū)動(dòng)力
19.2.2保健趨勢(shì)對(duì)電子封裝機(jī)遇與挑戰(zhàn)影響的意義
19.3植入式醫(yī)療器件的外部封裝
19.3.1生物氣密性
19.3.2電學(xué)兼容性
19.3.3機(jī)械要求
19.3.4電學(xué)通路
19.3.5內(nèi)部封裝
19.3.6軟錯(cuò)誤與單一事件不適
19.4醫(yī)療器件探頭
19.4.1探頭評(píng)述
19.4.2探頭連接器
19.4.3導(dǎo)體
19.4.4絕緣
19.4.5電極
19.5植入式生物醫(yī)學(xué)傳感器
19.5.1植入式傳感器綜述
19.5.2用于診斷腸胃的傳感器
19.5.3植入式壓力傳感器
19.5.4用于失眠癥的植入式傳感器
19.5.5用于脊椎矯正的植入式傳感器
19.5.6植入式葡萄糖傳感器
19.6芯片診斷傳感器——機(jī)遇與挑戰(zhàn)
19.6.1介紹
19.6.2微系統(tǒng)、生物MEMS和生物芯片
19.6.3傳感器技術(shù)平臺(tái)
19.6.4生物芯片封裝問(wèn)題與挑戰(zhàn)
參考文獻(xiàn)

編輯推薦

　　《國(guó)際信息工程先進(jìn)技術(shù)譯叢：先進(jìn)封裝材料》特色：針對(duì)封裝材料和工藝技術(shù)眾多方面的最新研究進(jìn)行介紹，及時(shí)更新研究成果。提供了大量的參考文獻(xiàn)，為讀者參考國(guó)內(nèi)外相關(guān)研究情況提供了全面的背景資料?！　”緯菫閿?shù)不多的關(guān)于電子封裝材料的重要著作。原書作者汪正平（C.P.Wong）是美國(guó)工程院院士、佐治亞理工學(xué)院資深教授、電子封裝領(lǐng)域的權(quán)威專家，呂道強(qiáng)（DanielLu）博士也是電子封裝領(lǐng)域的權(quán)威專家。從內(nèi)容上看，本書不僅收錄了國(guó)際知名學(xué)者對(duì)封裝材料的最新見(jiàn)解，包括引線鍵合材料、無(wú)鉛焊料、基板材料、倒裝芯片底部填充料、環(huán)氧模塑料、導(dǎo)電膠、熱界面材料、納米封裝材料等：還涉及電子封裝技術(shù)的最新發(fā)展，包括三維集成、系統(tǒng)封裝（硅片減薄、填孔）、納米封裝與互聯(lián)、圓片級(jí)封裝、MEMS封裝、LED封裝等前沿領(lǐng)域。特別是本書提供了大量的參考文獻(xiàn)，為讀者參考國(guó)內(nèi)外相關(guān)研究情況提供了全面的背景資料。

圖書封面

圖書標(biāo)簽Tags

無(wú)

評(píng)論、評(píng)分、閱讀與下載

---

    先進(jìn)封裝材料 PDF格式下載

---