出版時(shí)間:2011-10 出版社:機(jī)械工業(yè)出版社 作者:莫蒂爾 頁(yè)數(shù):180 譯者:王曉剛
內(nèi)容概要
本書(shū)首先介紹了LED照明的原理,并對(duì)面臨的問(wèn)題與挑戰(zhàn)進(jìn)行了討論;接著詳述了LED制造中的幾個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題,包括襯底、外延、工藝和封裝;隨后論述了LED的光電特性、LED照明、色彩品質(zhì)的提高;最后對(duì)OLED(即有機(jī)LED)技術(shù)進(jìn)行了介紹。
本書(shū)可供LED制造業(yè)從業(yè)人員和相關(guān)專(zhuān)業(yè)人員閱讀,還可作為材料物理、材料化學(xué)等專(zhuān)業(yè)教師和學(xué)生的參考書(shū)。
書(shū)籍目錄
譯者序
原書(shū)序
前言
第1章 LED:原理與挑戰(zhàn)
1.1 光源領(lǐng)域的革新歷史
1.2 LED和照明
1.3 LED的工作原理、顏色、效率、壽命和質(zhì)量
1.3.1 LED發(fā)出白光:原理與挑戰(zhàn)
1.3.2 壽命
1.3.3 LED的品質(zhì)
1.4 LED面臨的挑戰(zhàn)
1.5 參考文獻(xiàn)
第2章 III族氮化物電致發(fā)光二極管的襯底
2.1 簡(jiǎn)介
2.2 晶體結(jié)構(gòu)及其與6H-SiC和Al2O3的外延關(guān)系
2.3 異質(zhì)外延的缺點(diǎn)和約束
2.3.1 位錯(cuò)
2.3.2 襯底的解取向
2.3.3 外延應(yīng)力
2.3.4 熱應(yīng)力
2.4 GaN在藍(lán)寶石上的MOVPE生長(zhǎng)
2.4.1 GaN生長(zhǎng)
2.4.2 標(biāo)準(zhǔn)2D外延
2.4.3 3D外延生長(zhǎng)
2.4.4 外延的橫向過(guò)生長(zhǎng)(ELO1S)
2.4.5 各向異性生長(zhǎng)
2.4.6 兩級(jí)ELOGaN生長(zhǎng)(ELO2S)
2.4.7 使用懸空外延技術(shù)的GaN生長(zhǎng)
2.4.8 納米外延
2.5 大塊氮化物襯底
2.5.1 制造結(jié)晶GaN的HNPS(高氮壓溶液法)
2.5.2 GaN的氨熱合成
2.5.3 GaN的鹵化物氣相外延(HVPE)
2.6 結(jié)論
2.7 參考文獻(xiàn)
第3章 III族氮化物高亮度LED
3.1 簡(jiǎn)介
3.2 GaN的pn結(jié)
3.3 有源區(qū):InGaN/GaN量子阱
3.3.1 生長(zhǎng)和結(jié)構(gòu)
3.3.2 光學(xué)性質(zhì)
3.4 輻射效率
3.5 結(jié)論與展望
3.6 參考文獻(xiàn)
第4章 二極管工藝設(shè)計(jì)
4.1 簡(jiǎn)介
4.2 數(shù)量級(jí)
4.3 二極管結(jié)構(gòu)
4.3.1 常規(guī)芯片(CC)
4.3.2 倒裝芯片(FC)
4.3.3 垂直薄膜(VTF)
4.3.4 薄膜倒裝芯片(TFFC)
4.4 晶片級(jí)光提取
4.5 二極管工藝設(shè)計(jì)、蝕刻、接觸沉積
4.5.1 n型接觸
4.5.2 p型接觸
4.6 蝕刻
4.7 移除襯底
4.8 發(fā)展趨勢(shì)
4.9 參考文獻(xiàn)
第5章 封裝
5.1 簡(jiǎn)介
5.2 各種封裝工藝
5.2.1 歷史背景
5.2.2 從晶片到芯片
5.2.3 帶連接引腳的器件
5.2.4 SMT有引腳器件
5.2.5 SMT無(wú)引腳器件
5.2.6 其他技術(shù)
5.2.7 小結(jié)
5.3 熱管理
5.3.1 目的
5.3.2 散熱方式
5.3.3 LED內(nèi)的散熱
5.3.4 各種封裝工藝的比較
5.3.5 小結(jié)
5.4 LED的光提取
5.4.1 LED的橫向光提取
5.4.2 利用透鏡實(shí)現(xiàn)垂直光提取
5.4.3 透鏡和密封材料
5.4.4 透鏡和密封的實(shí)現(xiàn)
5.5 LED器件的特性
5.5.1 熱和電氣特性
5.5.2 光學(xué)特性
5.5.3 篩選
5.5.4 可靠性
5.6 結(jié)論與展望
5.7 附錄
5.8 參考文獻(xiàn)
第6章 電致發(fā)光二極管的光電特性
6.1 LED的光度測(cè)定
6.1.1 基本知識(shí)概述
6.1.2 常用參數(shù)
6.1.3 光度計(jì)/輻射計(jì)應(yīng)具備的性能
6.1.4 發(fā)光強(qiáng)度的測(cè)量
6.1.5 光通量的測(cè)量
6.1.6 光譜測(cè)量
6.2 LED的電氣特性
6.2.1 正向電壓
6.2.2 溫度效應(yīng)
6.2.3 光度測(cè)量用LED的工作條件
6.2.4 規(guī)范化的立場(chǎng)
6.3 參考文獻(xiàn)
第7章 LED的白光品質(zhì)
7.1 簡(jiǎn)介:白光和視覺(jué)品質(zhì)
7.1.1 白光
7.1.2 與光品質(zhì)有關(guān)的幾個(gè)想法
7.1.3 人類(lèi)視覺(jué)功能:感受器、視網(wǎng)膜、大腦
7.1.4 本章內(nèi)容
7.2 比色法和測(cè)光法的概念
7.2.1 比色法
7.2.2 光度值
7.3 用LED獲得白光
7.3.1 基于短波長(zhǎng)發(fā)射的白光二極管
7.3.2 基于紫外光二極管的白光LED
7.3.3 將紅光、綠光和藍(lán)光結(jié)合
7.3.4 多個(gè)LED結(jié)合和光譜優(yōu)化的實(shí)例
7.3.5 白光LED顏色的標(biāo)準(zhǔn)化
7.4 光源的顯色性
7.4.1 CIE對(duì)CRI的定義
7.4.2 詳細(xì)計(jì)算過(guò)程
7.4.3 CIE立場(chǎng)的改變,考慮了觀察者的判斷
7.5 改善LED的發(fā)光品質(zhì)
7.5.1 模型
7.5.2 色彩模擬
7.5.3 實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
7.5.4 關(guān)于視覺(jué)評(píng)判復(fù)雜性的結(jié)論
7.6 LED在照明中的應(yīng)用
7.7 結(jié)論:優(yōu)點(diǎn)、措施和展望
7.8 致謝
7.9 參考文獻(xiàn)
第8章 OLED技術(shù)
8.1 簡(jiǎn)介
8.1.1 有機(jī)材料:發(fā)展史
8.1.2 第一個(gè)OLED器件的誕生
8.2 電致發(fā)光二極管
8.2.1 有機(jī)半導(dǎo)體的類(lèi)別
8.2.2 沉積技術(shù)概述
8.3 有機(jī)半導(dǎo)體:理論
8.3.1 有機(jī)化學(xué)半導(dǎo)性簡(jiǎn)介
8.3.2 非晶態(tài)有機(jī)固體的電子輸運(yùn)模型
8.4 OLED的電氣特性
8.4.1 載荷子注入模型
8.4.2 載荷子輸運(yùn)模型
8.5 OLED的各種結(jié)構(gòu)
8.5.1 直接二極管和反向二極管
8.5.2 使用底發(fā)射和頂發(fā)射二極管
8.5.3 異質(zhì)結(jié)二極管和能帶工程
8.5.4 光提取
8.5.5 熒光與磷光
8.6 OLED照明專(zhuān)用結(jié)構(gòu)
8.6.1 單發(fā)光層結(jié)構(gòu)
8.6.2 雙發(fā)光層材料
8.6.3 n發(fā)光層結(jié)構(gòu)(n≥3)
8.6.4 堆疊式OLED和疊層結(jié)構(gòu)
8.6.5 轉(zhuǎn)換器(下轉(zhuǎn)換)
8.7 OLED的穩(wěn)定性與壽命:封裝問(wèn)題
8.8 用于照明的OLED
8.9 參考文獻(xiàn)
作者列表
圖書(shū)封面
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