集成電路芯片制造實(shí)用技術(shù)

內(nèi)容概要

　　本書根據(jù)職業(yè)教育要求和職業(yè)類學(xué)生特點(diǎn)編寫，以集成電路芯片的制造工藝流程為主線，涵蓋了集成電路芯片制造的主要技術(shù)。全書共分9章，內(nèi)容包括了概述、硅晶圓制程、硅晶薄膜制備、氧化工藝、摻雜工藝、光刻工藝、刻蝕制程、芯片封裝、集成電路芯片品檢。內(nèi)容覆蓋面較寬，淺顯易懂,減少理論部分，突出實(shí)用性和可操作性，內(nèi)容上涵蓋了部分工藝設(shè)備的操作入門知識，為學(xué)生步入工作崗位奠定了基礎(chǔ)。
　　本書適合高等職業(yè)教育電子類專業(yè)學(xué)生使用，也可以作為本科電子類學(xué)生的專業(yè)選修教材。

書籍目錄

出版說明
前言
第1章　概述
　1.1集成電路的發(fā)展歷程
　1.2集成電路芯片制造工藝流程
　　1.2.1外延工藝
　　1.2.2擴(kuò)散工藝和離子注入技術(shù)
　　1.2.3氧化工藝
　　1.2.4光刻工藝
　　1.2.5刻蝕技術(shù)
　　1.2.6薄膜淀積工藝
　　1.2.7測試
　　1.2.8封裝
　1.3集成電路的生產(chǎn)環(huán)境
　　1.3.1凈化標(biāo)準(zhǔn)
　　1.3.2人
　　1.3.3超純水
　1.4集成電路芯片制造產(chǎn)業(yè)介紹
　　1.5習(xí)題
第2章　硅晶圓制程
　2.1概述
　2.2半導(dǎo)體硅材料制備
　　2.2.1采石
　　2.2.2冶金級硅的制備
　　2.2.3提純
　2.3生長硅單晶
　　2.3.1單晶生長設(shè)備
　　2.3.2單晶生長
　　2.3.3其他單晶的生長方法
　2.4晶圓成型工藝
　　2.4.1晶錠滾圓
　　2.4.2切片
　　2.4.3倒角
　　2.4.4晶面研磨
　　2.4.5晶圓腐蝕
　2.5晶圓拋光
　　2.5.1拋光方法
　　2.5.2拋光設(shè)備
　　2.5.3拋光工藝
　2.6晶圓清洗
　2.7實(shí)訓(xùn)拉晶工藝
　　2.7.1設(shè)備概況
　　2.7.2生產(chǎn)工藝
　　2.7.3拉晶工藝
　2.8習(xí)題
第3章　硅晶薄膜制備
　3.1概述
　3.2硅晶薄膜的種類
　　3.2.1襯底
　　3.2.2多晶硅
　　3.2.3非晶硅
　　3.2.4二氧化硅
　3.3硅外延生長
　　3.3.1氣相外延生長法
　　3.3.2液相外延生長法
　　3.3.3分子束外延生長法
　　3.3.4外延工藝設(shè)備
　3.4淀積工藝
　　3.4.1化學(xué)氣相淀積
　　3.4.2物理氣相淀積
　3.5實(shí)訓(xùn)外延設(shè)備操作入門
　　3.5.1實(shí)訓(xùn)目的
　　3.5.2實(shí)訓(xùn)儀器
　　3.5.3理論支持
　　3.5.4液相外延工藝過程
　　3.5.5要求和注意事項(xiàng)
　3.6習(xí)題
第4章　氧化工藝
　4.1概述
　4.2二氧化硅膜特性及應(yīng)用
　　4.2.1二氧化硅膜的主要性質(zhì)
　　4.2.2二氧化硅膜的主要應(yīng)用
　4.3熱氧化
　　4.3.1水平爐管反應(yīng)爐
　　4.3.2垂直爐管反應(yīng)爐
　　4.3.3快速升溫反應(yīng)爐
　　4.3.4快速加熱工藝
　　4.3.5高壓氧化
　4.4二氧化硅膜制備方法
　　4.4.1干氧氧化法
　　4.4.2濕氧氧化法
　　4.4.3氫氧合成氧化法
　　4.4.4干-濕-干氧化法
　　4.4.5高壓氧化法
　　4.4.6氧化膜質(zhì)量評價
　4.5實(shí)訓(xùn)氧化設(shè)備操作入門
　　4.5.1干氧氧化程序
　　4.5.2濕氧氧化程序
　　4.5.3氧化爐和擴(kuò)散爐設(shè)備的故障及解決辦法
　　4.5.4氧化膜質(zhì)量評估
　4.6習(xí)題
第5章　摻雜工藝
　5.1概述
　5.2擴(kuò)散
　　5.2.1間隙式擴(kuò)散
　　5.2.2替位式擴(kuò)散
　　5.2.3推填式擴(kuò)散
　　5.2.4擴(kuò)散工藝
　5.3離子注入摻雜
　　5.3.1離子注入的基本原理
　　5.3.2離子注入設(shè)備
　　5.3.3安全注意事項(xiàng)
　　5.3.4離子注入的雜質(zhì)分布
　　5.3.5離子注入后造成的損傷與退火
　　5.3.6離子注入的應(yīng)用與特點(diǎn)
　　5.3.7離子注入的前景
　5.4摻雜工藝的質(zhì)量評價
　　5.4.1擴(kuò)散摻雜工藝質(zhì)量評價
　　5.4.2離子注入摻雜工藝質(zhì)量評價
　5.5實(shí)訓(xùn)擴(kuò)散工藝規(guī)程
　　5.5.1適用范圍
　　5.5.2工藝參數(shù)
　　5.5.3準(zhǔn)備工作
　　5.5.4操作過程
　　5.5.5關(guān)閉設(shè)備
　　5.5.6注意事項(xiàng)
　5.6習(xí)題
第6章　光刻工藝
　6.1概述
　　6.1.1襯底材料對光刻工藝的影響
　　6.1.2增粘處理
　6.2光刻工藝
　　6.2.1涂膠
　　6.2.2前烘
　　6.2.3曝光
　　6.2.4顯影
　　6.2.5堅(jiān)膜
　　6.2.6腐蝕
　　6.2.7去膠
　6.3曝光工藝
　　6.3.1曝光光源
　　6.3.2光刻對準(zhǔn)曝光方式
　　6.3.3超細(xì)線條曝光技術(shù)
　　6.4光刻膠與掩膜版
　　6.4.1光刻膠
　　6.4.2光刻掩膜版
　6.5光刻工藝設(shè)備
　　6.6實(shí)訓(xùn)光刻設(shè)備操作入門
　　6.6.1實(shí)訓(xùn)要求
　　6.6.2設(shè)備概況
　　6.6.3操作指南
　6.7習(xí)題
第7章　刻蝕制程
　7.1概述
　7.2濕法刻蝕工藝
　　7.2.1硅的濕法刻蝕
　　7.2.2二氧化硅的濕法刻蝕
　　7.2.3氮化硅的濕法刻蝕
　　7.2.4金屬鋁的濕法刻蝕
　7.3干法刻蝕工藝
　　7.3.1干法刻蝕設(shè)備
　　7.3.2常用材料的干法刻蝕
　7.4質(zhì)量評價
　　7.4.1干法刻蝕的終點(diǎn)監(jiān)測
　　7.4.2干法刻蝕的質(zhì)量檢測
　7.5實(shí)訓(xùn)刻蝕設(shè)備操作入門
　　7.5.1實(shí)訓(xùn)要求
　　7.5.2薄膜刻蝕設(shè)備
　　7.5.3金屬薄膜刻蝕設(shè)備
　7.6習(xí)題
第8章　芯片封裝
　8.1概述
　8.2芯片封裝分類
　　8.2.1封裝工程的技術(shù)層次
　　8.2.2封裝發(fā)展歷程
　　8.2.3封裝的分類
　8.3芯片封裝工藝
　　8.3.1芯片粘接
　　8.3.2芯片互連技術(shù)
　　8.3.3成型技術(shù)
　　8.3.4去飛邊毛刺
　　8.3.5上焊錫
　　8.3.6切筋成型
　　8.3.7打碼
　　8.3.8元器件裝配
　8.4最新的封裝類型
　　8.4.1球柵陣列封裝
　　8.4.2芯片級封裝
　　8.4.3倒裝芯片技術(shù)
　　8.4.4晶圓級別封裝
　　8.4.5多芯片組裝
　　8.4.6三維封裝技術(shù)
　8.5實(shí)訓(xùn)封裝操作入門
　　8.5.1前段操作
　　8.5.2后段操作
　8.6習(xí)題
第9章　集成電路芯片品檢
　9.1概述
　9.2測試
　　9.2.1裸芯片測試
　　9.2.2成品芯片測試
　9.3品質(zhì)質(zhì)量分析
　　9.3.1品質(zhì)質(zhì)量分析檢驗(yàn)的作用
　　9.3.2裸芯片到kgd的質(zhì)量分析
　9.4不良品處理
　9.5習(xí)題
參考文獻(xiàn)

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