模擬電子技術

前言

　　模擬電子技術是高職高專電子信息類專業(yè)的重要專業(yè)基礎課，而且是一門實踐性很強的課程。本書根據(jù)高職院校培養(yǎng)應用型高技能人才的要求和高職學生的學習特點進行編寫，理論以必需、夠用為度，降低理論難度，重在技能培養(yǎng)，重在應用，力求遵循理論與實踐的緊密結合，突出應用性和針對性，加強實踐能力的培養(yǎng)，注重培養(yǎng)學生的應用能力和解決現(xiàn)場實際問題的能力。本教材的特色如下：　　1）本教材以任務方式引入課程教學的知識體系和實踐教學內(nèi)容?！　?）將Multisim仿真引入教材，并且Multisim仿真貫穿全書，在教師理論講解過程中，可隨時利用仿真軟件進行驗證，使學生感到言之有物，從而引起學生學習模電的興趣?！　?）將相關內(nèi)容重新進行組織、歸納、整理，減少教材篇幅，在各章節(jié)配有小知識、思考題。　　4）每章都介紹了應掌握的相關的技能知識，這些知識是電子信息類專業(yè)學生應掌握的基本技能，起到崗前培訓的作用?！　?）本書中刪除了對電路的復雜運算與推導，突出實用性，增加實訓比例，突出了對電子電路安裝、檢測、調(diào)試能力的培養(yǎng)。將理論講授、仿真演示、仿真實驗、實踐技能訓練有機結合，每章都有本章小結、習題、仿真實驗實訓、相關的基本技能知識?！　”緯珊Ｄ宪浖殬I(yè)技術學院吳恒玉、唐民麗擔任主編，海南職業(yè)技術學院朱迅德?lián)胃敝骶?，海南職業(yè)技術學院周亞東為參編，其中吳恒玉編寫了第2章、第4章、第5章，唐民麗編寫了第1章、第3章，朱迅德編寫了第6章、第8章的8.2 節(jié)和8.3 節(jié)，周亞東編寫了第7章和第8章的8.1 節(jié)。全書由吳恒玉、唐民麗統(tǒng)稿?！　”緯珊Ｄ宪浖殬I(yè)技術學院教授桂占吉任主審，他認真仔細地審閱了全稿，并提出了許多寶貴的修改意見，對此表示衷心的感謝。　　本書編寫過程中得到了海南軟件職業(yè)技術學院和海南職業(yè)技術學院的領導和廣大老師的幫助和支持，在此一并表示感謝和敬意?！　∮捎诰幷咚接邢?，書中的錯誤和缺點在所難免，懇請廣大讀者批評指正，并提出意見和建議。

內(nèi)容概要

本書根據(jù)高職院校培養(yǎng)應用型高技能人才的要求和高職學生的學習特點進行編寫，以理論必需、夠用為度，降低理論難度，重在技能培養(yǎng)，重在應用，加強實踐能力的培養(yǎng)，注重培養(yǎng)學生的應用能力和解決現(xiàn)場實際問題的能力。    本教材內(nèi)容包括半導體器件、基本放大電路、集成運算放大器的基礎、負反饋放大電路、波形發(fā)生電路與變換電路、功率放大電路、直流穩(wěn)壓電源、模擬電子技術與大學生電子設計競賽。    本書各章除了有一定的理論分析以外，同時還配有相關的仿真演示和仿真驗證內(nèi)容，并且每章還介紹了本章應掌握的相關技能知識和仿真實訓內(nèi)容，這些知識是電子信息類專業(yè)學生應掌握的基本技能，起到崗前培訓的作用，旨在提高學生在電子技術方面的分析、實踐和開發(fā)能力。    本書可作為高等職業(yè)技術院校、高等?？茖W校、成人高校等高職高專層次電子信息類專業(yè)的教材，也可供從事電子技術的工程技術人員學習參考。

書籍目錄

前言第1章  半導體器件  1.1  本章任務的導人  1.2  相關的理論知識    1.2.1  半導體的基礎知識    1.2.2  二極管    1.2.3  單向整流電路    1.2.4  濾波電路    1.2.5  晶體管    1.2.6  場效應晶體管  1.3  相關的基本技能    1.3.1  常用電子元器件的識別與檢測    1.3.2  Multisim仿真軟件介紹及基本使用方法    1.3.3  Multisim仿真軟件的應用訓練  本章小結  習題第2章  放大電路  2.1  本章任務的導人  2.2  相關的理論知識    2.2.1  共發(fā)射極放大電路    2.2.2  圖解分析法    2.2.3  微變等效電路    2.2.4  穩(wěn)定靜態(tài)工作點的放大電路    2.2.5  共集電極放大電路和共基極放大電路    2.2.6  多級放大電路    2.2.7  場效應晶體管放大電路  2.3  相關的基本技能    2.3.1  電子元器件的焊接技術    2.3.2  晶體管放大電路的仿真實驗  本章小結  習題第3章  集成運算放大器的基礎  3.1  本章任務的導入  3.2  相關的理論知識    3.2.1  差動放大電路    3.2.2  集成運算放大器的簡介    3.2.3集成運算放大器的基本運算電路  3.3  相關的基本技能    3.3.1  集成電路的識圖、讀圖方法    3.3.2  集成運算放大器仿真實驗  本章小結  習題第4章  負反饋放大電路  4.1  本章任務的導人  4.2  相關的理論知識    4.2.1  反饋的基本概念    4.2.2  反饋的分類    4.2.3  反饋類型的判別    4.2.4  負反饋放大電路的四種組態(tài)    4.2.5  負反饋對放大器性能的影響  4.3  相關的基本技能    4.3.1  整機電路圖和識圖方法    4.3.2  負反饋放大電路的仿真調(diào)試  本章小結  習題第5章  波形發(fā)生電路與變換電路  5.1  本章任務的導入  5.2  相關的理論知識    5.2.1  正弦波振蕩器    5.2.2  非正弦波振蕩器  5.3  相關的基本技能    5.3.1  印制電路圖識圖方法    5.3.2  Multisim仿真軟件應用訓練  本章小結  習題第6章  功率放大電路  6.1  本章任務的導入  6.2  相關的理論知識    6.2.1  功率放大電路的特點與分類    6.2.2  甲類功率放大電路    6.2.3  乙類雙電源互補對稱功率放大電路    6.2.4  甲乙類互補對稱功率放大電路    6.2.5  單電源互補對稱功率放大電路    6.2.6  復合晶體管互補對稱功率放大電路    6.2.7  集成電路功率放大器簡介  6.3  相關的基本技能    6.3.1  OTL功率放大器的仿真實驗    6.3.2  音頻功率放大器的設計與制作  本章小結  習題第7章  直流穩(wěn)壓電源  7.1  本章任務的導入  7.2  相關的理論知識    7.2.1  概述    7.2.2  穩(wěn)壓管組成的并聯(lián)型穩(wěn)壓電路    7.2.3  串聯(lián)型穩(wěn)壓電路的組成和穩(wěn)壓原理    7.2.4  集成穩(wěn)壓器    7.2.5  開關式穩(wěn)壓電路  7.3  相關的基本技能    7.3.1  實用電源電路的識圖、讀圖練習    7.3.2  Muhisim仿真軟件應用訓練  本章小結  習題第8章  模擬電子技術與大學生電子設計競賽  8.1  2009年全國大學生電子設計競賽試題：低頻功率放大器(G題高職高專組)解析    8.1.1  試題及評分要求    8.1.2  試題解析    8.1.3  試題完成方案  8.2  1999年全國大學生電子設計競賽試題：測量放大器解析    8.2.1  試題及評分要求    8.2.2  試題解析    8.2.3  試題完成方案  8.3  2007年全國大學生電子設計競賽試題：信號發(fā)生器(H題高職高專組)解析    8.3.1  試題及評分要求    8.3.2  試題解析    8.3.3  試題完成方案  本章小結習題解答參考文獻

章節(jié)摘錄

　　在絕對零度（約-273℃）和無外界激發(fā)的情況下，價電子不能掙脫共價鍵的束縛而參與導電。此時本征半導體中沒有可以自由運動的帶電原子，如同絕緣體?！　‘敎囟壬呋蚴艿焦庹蘸?，少數(shù)的價電子可以從外界獲得足夠的能量而掙脫共價鍵的束縛，成為可移動的自由電子，自由電子是一種可以參與導電的粒子，稱為載流子。價電子掙脫共價鍵束縛成為自由電子的同時，會在共價鍵上留下一個空位，這個空位稱為空穴。由于存在這樣的空穴，附近共價鍵中的電子就比較容易進來填補，而同時又留下一個新的空位，其他地方的電子又有可能來填補后一個空位，從效果上來看，相當于帶正電的空穴在運動一樣，稱這種運動為空穴運動，并將空穴看成帶正電的載流子。金屬導體中只有一種載流子：自由電子。本征半導體中有兩種載流子：自由電子和空穴。把由于共價鍵破裂而形成的自由電子和空穴稱為電子一空穴對，并且把這種由于光照、輻射、溫度的影響而產(chǎn)生電子一空穴對的現(xiàn)象稱為本征激發(fā)?！　∽杂呻娮釉谶\動中，可能與空穴相遇，使電子一空穴對消失，稱為復合。在一定溫度下盡管本征激發(fā)和復合在不斷地進行，但電子（空穴）的濃度不變，保持一種動態(tài)平衡狀態(tài)。當溫度升高或光照時，本征激發(fā)將加強，復合也隨之增加，最后達到一種新的動態(tài)平衡?！　?.雜質(zhì)半導體　　本征半導體中雖然有兩種載流子參與導電，但由于數(shù)量不多因而導電能力仍然不能和導體相比。但是，在本征半導體中摻入微量的某種元素后，導電能力將大大地增強。這種摻入雜質(zhì)的本征半導體，稱為雜質(zhì)半導體。按摻入雜質(zhì)元素的不同可分為N型半導體和P型半導體?！　。?）N型半導體在本征半導體中摻人微量的五價元素，如磷（P）、砷（AS）等，在半導體內(nèi)產(chǎn)生的自由電子的數(shù)量遠多于空穴數(shù)量，這種半導體稱為N型半導體。其結構如圖1.4 所示。　　在N型半導體中，也同時存在著本征激發(fā)的現(xiàn)象，有電子一空穴對的產(chǎn)生，但產(chǎn)生的自由電子的數(shù)量遠少于摻入的數(shù)量，自由電子是多數(shù)載流子，簡稱為“多子”。空穴為少數(shù)載流子，簡稱為“少子”，但整個N半導體呈現(xiàn)電中性。N型半導體在外電場作用下，電子電流遠大于空穴電流，其導電是以電子導電為主的，所以它又稱為電子型半導體。

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